英偉達與蘋果計劃在其2028年的費曼架構(gòu)平臺上與英特爾合作。

在美國制造政策的背景下，臺積電在先進工藝和封裝領(lǐng)域的主導地位使其成為眾矢之的。受成本和產(chǎn)能限制的影響，芯片客戶目前面臨著日益沉重的供應鏈多元化壓力，這加速了向多源采購策略的轉(zhuǎn)變。

近期供應鏈報告顯示，英偉達(Nvidia)與蘋果(Apple)計劃在其2028年的費曼(Feynman)架構(gòu)平臺上與英特爾(Intel)合作。兩家公司都瞄準了“小批量、低端、非核心”的生產(chǎn)任務，以配合特朗普政府的指令，同時維持其與臺積電的核心關(guān)系。這種雙代工模式旨在滿足政治壓力的同時，最大限度地降低量產(chǎn)風險。

英偉達費曼一代部分轉(zhuǎn)向英特爾

繼英偉達于2025年9月宣布向英特爾投資50億美元后，該公司打算在Rubin系列的下一代產(chǎn)品——費曼GPU芯片上與英特爾合作。

GPU裸片將仍由臺積電生產(chǎn)，但部分I/O裸片預計將利用英特爾的18A或計劃于2028年推出的14A工藝，具體取決于良率的改善情況。先進封裝將利用英特爾的EMIB技術(shù)，英特爾負責高達25%的最終封裝，臺積電負責其余的75%。

供應鏈內(nèi)部人士指出，在美國制造指令和關(guān)稅壓力下，美國主要芯片制造商長期以來一直在探索與英特爾的合作。然而，鑒于目前18A技術(shù)的局限性，實質(zhì)性的合作很可能要等到2028年的14A生產(chǎn)才會開始。

鑒于采用14A和18A工藝的固有風險，大多數(shù)與英特爾的合作都從EMIB先進封裝開始。英特爾首席執(zhí)行官陳立武(Lip-Bu Tan)最近證實，有兩家客戶正在評估14A規(guī)格，而資本支出趨勢則預示了英特爾何時能獲得確定的訂單。

分析師觀察到，盡管美國制造目標面臨成本和良率挑戰(zhàn)，但政治考量、供應鏈韌性需求以及臺積電緊張的先進封裝產(chǎn)能，正推動美國芯片公司走向雙代工策略。

蘋果選擇英特爾生產(chǎn)入門級M系列芯片

蘋果與英特爾的討論集中在目前由臺積電生產(chǎn)的MacBook機型的入門級M系列處理器上。這標志著雙方關(guān)系的顯著轉(zhuǎn)變，這種關(guān)系在過去二十年里發(fā)生了巨大的變化。

蘋果從2006年開始在Mac電腦中使用英特爾x86處理器，英特爾于2005年在其俄勒岡州晶圓廠建立了一條專門的“蘋果組”生產(chǎn)線。這種合作關(guān)系一直持續(xù)到2020年6月，當時蘋果推出了基于Arm架構(gòu)的Apple Silicon芯片，并在兩年內(nèi)完成了向自研設計的全面過渡。此舉增強了蘋果的供應鏈控制和生態(tài)系統(tǒng)整合，同時規(guī)避了英特爾問題頻出的10nm工藝開發(fā)延誤。

合作關(guān)系的重燃主要源于特朗普政府下的美國制造政策和關(guān)稅，同時也受到成本擔憂、風險分散必要性以及現(xiàn)有供應商產(chǎn)能限制的影響。

臺積電的戰(zhàn)略回應

蘋果和英偉達正在謹慎行事，最初只將低風險產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到英特爾。其他潛在的合作者包括谷歌、微軟、AWS、高通、博通、AMD、特斯拉以及與美國政府大型合同相關(guān)的實體。

英特爾能否滿足習慣了臺積電執(zhí)行標準的科技巨頭，仍是一個未知數(shù)。

對臺積電而言，預期的訂單分流至英特爾可能更多意味著機遇而非威脅。行業(yè)專家指出了三個戰(zhàn)略優(yōu)勢：第一，減少壟斷擔憂和監(jiān)管審查；第二，緩解來自美國的政治壓力；第三，剝離“非核心”訂單以增強未來的定價和供應談判能力。

這種動態(tài)解決了圍繞臺積電市場份額的反壟斷擔憂，同時緩解了特朗普政府的要求。臺積電仍有信心保留核心的高端芯片制造合同——這是利潤最高、技術(shù)要求最高的工作。

隨著客戶嘗試替代代工廠，他們最終可能會對臺積電的能力有更深的體會，從而長期鞏固其議價能力和供應可靠性。

臺積電繼續(xù)保持其在2nm工藝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

據(jù) EE Times 調(diào)查的多位分析師稱，臺積電最近宣布的2nm工藝（內(nèi)部稱為“N2”）有望在未來幾年內(nèi)使其在先進半導體節(jié)點領(lǐng)域領(lǐng)先于競爭對手三星電子和英特爾。

該工藝的早期客戶包括英偉達、蘋果、AMD 和高通等主要半導體設計公司，以及微軟、亞馬遜和谷歌等超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商。

2025年12月底，臺積電宣布開始量產(chǎn)N2工藝。N2是該公司首款采用納米片GAA晶體管技術(shù)的工藝，但比競爭對手三星晚了幾年。為了提升2nm制程節(jié)點的性能，臺積電開發(fā)了低電阻重分布層（RDL）和超高性能金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容器。因此，N2聲稱在性能和功耗方面實現(xiàn)了全節(jié)點級的提升。

臺積電表示，其 2nm 技術(shù)在密度和能效方面領(lǐng)先于半導體行業(yè)，并在一份聲明中表示：“我們持續(xù)改進的戰(zhàn)略，以及 N2 及其衍生技術(shù)，將在未來進一步成功擴大臺積電的技術(shù)領(lǐng)先地位?！?/p>

分析人士一致認為，臺積電將繼續(xù)保持其在先進制程節(jié)點領(lǐng)域的“領(lǐng)軍者”地位。國際商業(yè)戰(zhàn)略公司首席執(zhí)行官 Handel Jones表示，臺積電預計到 2028 年將在美國擁有一些 2nm 制造能力，但計劃將其領(lǐng)先能力和最先進的技術(shù)節(jié)點保留在中國臺灣。

TechInsights 副董事長 Dan Hutcheson表示：“臺積電的N2芯片已被超過15家客戶采用，并可能成為該公司最成功的技術(shù)之一。公開表示對這項技術(shù)感興趣的客戶包括蘋果、英偉達、谷歌、博通、Marvell、AMD、英特爾和聯(lián)發(fā)科?！?/p>

分析人士指出，即使新芯片的設計成本高達8億美元，也僅占臺積電部分客戶每年在晶圓生產(chǎn)上200億至300億美元支出的一小部分。采用先進制程工藝設計芯片的公司，正押注于能夠提供高良率、準時交付晶圓的代工廠。

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