鎧俠迎來重大人事變動。

日本存儲制造商鎧俠宣布，將執(zhí)行副總裁Hiroo Oota晉升為首席執(zhí)行官兼總裁，此舉旨在擴大其在蓬勃發(fā)展的存儲芯片市場的份額。

63歲的Hiroo Oota將接替70歲的Nobuo Hayasaka，后者將出任高級執(zhí)行顧問。鎧俠1月29日在一份聲明中表示，此次領導層變動將在公司定于6月舉行的年度股東大會上獲得股東批準后生效。鎧俠表示，董事會認為現在是進行過渡的合適時機，因為公司正值IPO一周年之際，并希望在人工智能驅動的存儲芯片需求激增的背景下加速增長。

2024年12月，鎧俠在東京證券交易所最高一級的PRIME 市場掛牌上市，發(fā)行價 1455 日元。值得注意的是，自2018年獨立以來，鎧俠一直在積極籌備上市。鎧俠的第一次IPO計劃起于2020年，這一年鎧俠獲得上市資格但由于國際貿易環(huán)境和市場波動的影響，鎧俠推遲了上市計劃。鎧俠的第二次IPO計劃始于2024年8月，隨著全球半導體市場的回暖，特別是在人工智能技術推動下對高性能存儲芯片需求的激增，2024年8月，鎧俠再次提交上市申請，計劃10月IPO。然而，這次IPO計劃也無果而終。歷經兩次 IPO 折戟，鎧俠終于在 2024 年 12 月迎來資本市場的正式亮相。

“擔任存儲器公司的 CEO 是一項極其艱巨的工作，”O(jiān)mdia分析師Akira Minamikawa表示。他指出，鑒于存儲器市場以繁榮與蕭條周期著稱，投資時機必須精準把握，“領導者需要身處一線，奔走于市場，積極參與銷售，并對客戶真實想法的細微變化保持敏銳?！?/p>

當下，大模型訓練、云計算中心擴建、智能終端升級等 AI 相關基建的全面鋪開，對存儲芯片提出了更高的性能要求，高帶寬、高容量、高穩(wěn)定性的企業(yè)級 NAND 閃存成為市場剛需，消費級存儲產品的需求也隨智能設備的普及持續(xù)走高。這一趨勢讓全球存儲芯片市場徹底走出此前的下行周期，鎧俠也迎來一路狂飆。

據Tom's Hardware援引韓國媒體Digital Daily報道，鎧俠存儲業(yè)務部門董事總經理Shunsuke Nakato在首爾舉行的會議上明確表示，1TB SSD售價在7000日元（約45美元）左右的日子已經一去不復返。自2023年底至2024年初以來，市場上已難覓低于50美元的1TB SSD產品，這一結構性轉變標志著低價存儲周期的結束。

供應端的短缺已迅速傳導至終端價格，導致消費級和企業(yè)級存儲產品價格全線飆升。市場數據顯示，部分主流SSD型號的價格在過去幾個月內出現了超過130%的漲幅。即便是在入門級SATA SSD市場，起售價也已大幅上漲至73美元左右，較2023年的低點上漲超過50%。

鎧俠高管指出，面對訂單堆積，公司無法通過物理手段隨意加速交付，這迫使制造商在分配策略上做出調整。這一表態(tài)與行業(yè)其他主要玩家的觀察一致，凸顯了在AI基礎設施建設擠占產能的背景下，全球NAND閃存供應鏈正面臨嚴峻的供需失衡挑戰(zhàn)。

為了應對旺盛的需求，鎧俠會提高工廠效率來增加供應量，四日市Fab已經升級為AI+IoT智慧工廠，每天采集50TB制造數據來提升良率，從2026 年起，位于北上市Fab2將正式量產新一代 BiCS 8閃存。

從第八代BiCS FLASH閃存技術上開始，鎧俠便引入了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨制造后粘合在一起。第九代BiCS FLASH閃存技術則是利用CBA技術降低生產成本，同時實現高性能，其中整合了現有的存儲單元技術與最新CMOS技術。

到了第十代BiCS FLASH閃存技術，鎧俠將增加存儲層的數量，從第八代BiCS FLASH閃存技術的218層增至332層，總層數增加了38%；優(yōu)化平面布局后，位密度提升了59%，進一步增強了存儲密度；采用了Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，將NAND I/O接口速度從3.6Gbps提升至4.8Gbps；引入PI-LTT技術，從而降低了功耗，其中數據輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。

有業(yè)內人士表示，由于鎧俠缺乏DRAM業(yè)務，所以不會像三星、SK海力士和美光那樣保守，策略上更為進取，希望趁著這次“存儲芯片超級周期”進一步提升自身的市場地位。

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