在金-鋁鍵合系統(tǒng)中，金與鋁界面通過固態(tài)擴散形成的金屬間化合物是微電子封裝中常見的可靠性問題。這些化合物的生成雖然不影響初期導電性，但會顯著降低鍵合界面機械強度，成為高可靠性電子產(chǎn)品潛在的失效風險。科準測控小編將通過本文，結合微觀分析與可靠性數(shù)據(jù)，為您系統(tǒng)解析該退化過程的機理與防護策略。

一、金屬間化合物的生成過程與結構特征當工作溫度超過150℃時，金與鋁原子獲得足夠的激活能，開始跨界面進行固態(tài)擴散。這種互擴散不是簡單的原子混合，而是按照特定的原子比例形成具有確定晶體結構的金屬間化合物相，主要包括AuAl?（紫色相）和Au?Al?（白色相）等。這些化合物的晶體結構與母材金屬的金相結構完全不同，表現(xiàn)出截然不同的物理化學性質(zhì)。

Au-Al鍵合界面金屬間化合物的SEM形貌

圖中顯示鍵合界面處形成的白色疏松金屬間化合物區(qū)域，該區(qū)域雖仍保持導電性，但結構已發(fā)生本質(zhì)變化。

二、金屬間化合物對鍵合強度的退化影響研究表明，Au-Al鍵合在200℃下存儲2688小時后，界面剪切強度下降約2.5倍。這種退化主要歸因于金屬間化合物的脆性特性以及伴隨形成的Kirkendall空洞。金屬間化合物的硬度雖高于純金屬，但其斷裂韌性較低，在熱機械應力下易發(fā)生脆性開裂。具體來說，AuAl?相的顯微硬度約為5.5GPa，遠高于純鋁的0.3GPa和純金的1.0GPa，但其斷裂韌性卻比純金屬低一個數(shù)量級。這種高硬度低韌性的特性導致界面在應力作用下容易發(fā)生脆性斷裂。

三、退化過程的動力學特征金屬間化合物的生長速率受溫度與時間共同影響，遵循拋物線生長規(guī)律。在反應初期（數(shù)百小時內(nèi)），化合物層較?。ㄍǔＰ∮?μm），對界面電阻的影響較小。隨著反應的持續(xù)進行，化合物層逐漸增厚，界面脆性顯著加劇。這一過程可以用擴散控制的界面反應模型來描述，其中化合物的生長厚度與時間的平方根成正比。當可用反應金屬消耗殆盡后，化合物生長速率逐漸減緩，最終達到熱力學平衡狀態(tài)。

四、設計建議與緩解措施為應對金屬間化合物帶來的可靠性挑戰(zhàn)，建議采取以下設計策略：一是嚴格控制器件工作溫度與高溫存儲時間，避免長時間處于高溫激活狀態(tài)；二是優(yōu)化金屬層厚度，通過減少可供反應的金屬體積來限制化合物層的最大厚度；三是在高溫應用場景中考慮采用金-銅或鋁-銅等互擴散速率更低的材料組合。這些措施需要綜合考慮工藝可行性和成本效益，實現(xiàn)可靠性與經(jīng)濟性的平衡。

通過理解金-鋁金屬間化合物的生成動力學與對機械性能的影響，可有效制定針對性設計策略，提升電子產(chǎn)品的長期可靠性?？茰蕼y控可提供專業(yè)的金-鋁鍵合高溫可靠性測試服務，通過精確控制的溫度環(huán)境和定期的界面剪切力測試，幫助客戶評估鍵合系統(tǒng)的長期穩(wěn)定性，為材料選擇和工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。