從去年第三季度開(kāi)始，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)“漲價(jià)潮”，兩大主要產(chǎn)品類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存）現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲。TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2026年第一季度NAND閃存產(chǎn)品合約價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比上漲55%-60%，通用型DRAM（即非HBM）合約價(jià)格將環(huán)比上漲90%-95%，高于此前預(yù)測(cè)的33%-38%、55%-60%。

有業(yè)內(nèi)人士分析認(rèn)為，這波漲價(jià)是人工智能（AI）浪潮引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需失衡，全球大型科技公司對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模投資推動(dòng)對(duì)HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）、高密度DDR5及企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（eSSD）的需求驟增，頭部廠商將大部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高附加值產(chǎn)品，擠壓了傳統(tǒng)型存儲(chǔ)供應(yīng)，造成“高端搶貨、中低端緊缺”局面。與此同時(shí)，消費(fèi)電子市場(chǎng)庫(kù)存去化完成，個(gè)人電腦、智能手機(jī)出貨量同步復(fù)蘇，進(jìn)一步加劇需求壓力。

簡(jiǎn)單介紹一下，存儲(chǔ)芯片是全球芯片市場(chǎng)比重最大的產(chǎn)品之一，按斷電后數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失可分為兩類，一是易失性存儲(chǔ)芯片（RAM，即隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存），由于具有讀寫速度快的優(yōu)勢(shì)，主要用于電腦和手機(jī)的內(nèi)存，包括SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。

二是非易失性存儲(chǔ)芯片（NVM，即只讀內(nèi)存），特點(diǎn)是只能讀出事先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，且斷電不丟失數(shù)據(jù)，主要應(yīng)用于存儲(chǔ)卡、U盤、SSD固態(tài)硬盤、移動(dòng)終端的內(nèi)部嵌入式存儲(chǔ)器等，包括ROM（只讀存儲(chǔ)器）、Flash（閃存，NAND FLASH、NOR FLASH）。

目前全球存儲(chǔ)芯片頭部廠商有三星電子（Samsung）、SK海力士（SK hynix）、美光（Micron）、鎧俠（Kioxia）、閃迪（SanDisk）等。由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，兩家韓國(guó)供應(yīng)商在2025年都交出了非常靚麗的成績(jī)單。

三星電子實(shí)現(xiàn)銷售額333.6萬(wàn)億韓元，同比增加10.9%，創(chuàng)下自成立以來(lái)最高值；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)43.6萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)45.2萬(wàn)億韓元，同比分別增加33.2%、31.2%。其中，第四季度銷售額同比增加24%至93.8萬(wàn)億韓元，刷新單季歷史紀(jì)錄；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比大漲209.2%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的20.1萬(wàn)億韓元。【注：按當(dāng)前匯率，1萬(wàn)億韓元等于47.9億元人民幣】

存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)是推動(dòng)三星電子業(yè)績(jī)高增的引擎，DS部門（三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心載體，涵蓋存儲(chǔ)、系統(tǒng) LSI、晶圓代工三大板塊）2025年第四季度營(yíng)收增長(zhǎng)46.2%至44萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴漲465.5%至16.4萬(wàn)億韓元（全年創(chuàng)造24.9萬(wàn)億韓元）。其中，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到37.1萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)61.3%；全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收104.1萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)23.2%。

2025年第四季度，三星電子已實(shí)現(xiàn)HBM4小批量試產(chǎn)，計(jì)劃今年2月正式大規(guī)模量產(chǎn)交付，包括業(yè)界領(lǐng)先的11.7Gbps SKU。同時(shí)繼續(xù)拓展人工智能相關(guān)產(chǎn)品的銷售，包括高密度DDR5、SOCAMM2、GDDR7等。聚焦高性能TLC固態(tài)硬盤銷售規(guī)模擴(kuò)大以滿足AI KV（鍵值）固態(tài)硬盤需求。

SK海力士的表現(xiàn)更為驚艷，2025年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收97.1萬(wàn)億韓元（約合人民幣4651億元），同比增長(zhǎng)47%，再創(chuàng)歷史新高。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為47.2萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)101%，首度超越三星電子。凈利潤(rùn)為42.9萬(wàn)億韓元，成功扭虧為盈。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為49%（刷新歷史紀(jì)錄），凈利潤(rùn)率為44%（相比之下三星電子只有13.5%）。

作為全球HBM“一哥”（2013年率先量產(chǎn)），SK海力士2025年HBM收入同比增長(zhǎng)1倍以上，3月實(shí)現(xiàn)全球首批HBM4樣品出貨，9月率先完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，第四季度便再次創(chuàng)下季度歷史最高業(yè)績(jī)，收入32.8萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)19.2萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)66.1%、137.2%；凈利潤(rùn)為15.2萬(wàn)億韓元；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)58%。

作為全球唯一可以同時(shí)穩(wěn)定供應(yīng)HBM3E和HBM4的廠商，SK海力士已成功拿下英偉達(dá)三分之二的HBM訂單。同時(shí)深化“定制HBM（Custom HBM）”合作的方式構(gòu)建差異化優(yōu)勢(shì)，以鞏固其在HBM領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

今年2月份，SK海力士將提前啟動(dòng)忠清北道清州市M15X工廠的HBM量產(chǎn)，計(jì)劃年底將總月產(chǎn)能提升至25萬(wàn)片。年初的時(shí)候，公司還宣布將投資19萬(wàn)億韓元建設(shè)面向HBM需求的先進(jìn)封裝后端晶圓廠P&T7，占地面積23.14萬(wàn)平方米，計(jì)劃4月開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)明年底竣工。其將與M15X DRAM 前端晶圓廠構(gòu)成有機(jī)整體，確保中長(zhǎng)期穩(wěn)定的生產(chǎn)能力。