芯東西（公眾號(hào)：aichip001）
作者 ZeR0
編輯 漠影

芯東西2月13日報(bào)道，HBM戰(zhàn)局連生變數(shù)，美光科技周三剛披露已提前一個(gè)季度開展HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)和商業(yè)出貨，三星就在昨日推出業(yè)界首款商用HBM4。

這給全球HBM霸主SK海力士不斷施加新壓力。

SK海力士曾放話將保持HBM4芯片“壓倒性”的市場份額，計(jì)劃使HBM4的生產(chǎn)良率與HBM3E芯片相近，并在最新一季的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中強(qiáng)調(diào)自己積累的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和客戶信任度都“短時(shí)間內(nèi)難以趕上”。

美光科技計(jì)劃在2026年全面推出HBM4。在周三的一場行業(yè)會(huì)議上，美光科技CFO Mark Murphy透露，美光已開展HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)和商業(yè)出貨，這比去年12月財(cái)報(bào)會(huì)議上披露的“第二季度”提前了一個(gè)季度。

他強(qiáng)調(diào)說，美光HBM4產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度超過11Gbps，公司“對HBM4產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性非常有信心”。

周四，三星宣布自家HBM4已開始量產(chǎn)，并已向客戶交付商用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其HBM產(chǎn)品銷量在2026年將達(dá)到2025年的3倍以上，并正積極擴(kuò)大HBM4的產(chǎn)能；其HBM4E樣品預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始發(fā)放，而定制HBM樣品將根據(jù)客戶的具體規(guī)格于2027年開始交付。

產(chǎn)品規(guī)格方面，三星HBM4采用第六代10nm級DRAM工藝1c DRAM和4nm邏輯工藝，可提供高達(dá)11.7Gbps的穩(wěn)定處理速度，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps提升約46%，比其前代產(chǎn)品HBM3E的最高引腳速度9.6Gbps提升22%。與HBM3E相比，其每個(gè)堆棧的總內(nèi)存帶寬提高至2.7倍，最高可達(dá)3.3TB/s。

英偉達(dá)將在今年3月的GTC大會(huì)上發(fā)布新一代旗艦AI計(jì)算平臺(tái)Vera Rubin，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步點(diǎn)燃HBM搶位戰(zhàn)。

在今年1月底到訪中國臺(tái)灣期間，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛透露，英偉達(dá)與所有主要的HBM供應(yīng)商都有合作，今年非常依賴這些合作伙伴來滿足飆升的需求。

早先有韓媒援引消息人士報(bào)道，英偉達(dá)將其HBM4需求的約70%分配給了SK海力士。但是這一爆料數(shù)據(jù)近期又有變化。

據(jù)韓媒2月9日報(bào)道，三星將于2月開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)交付HBM4，英偉達(dá)于去年12月初步將HBM4需求的約50%分給SK海力士，三星和美光則各分到20%左右。

市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research此前預(yù)計(jì)，2026年全球HBM4市場中，SK海力士、三星、美光的市占率分別為54%、28%、18%。

另據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大存儲(chǔ)芯片原廠的HBM4驗(yàn)證程序已進(jìn)展至尾聲，預(yù)計(jì)將在2026年第二季度陸續(xù)完成。其中，三星預(yù)期將率先通過驗(yàn)證，SK海力士、美光隨后跟上。

去年6月，美光向重點(diǎn)客戶交付了36GB、12層封裝的HBM4樣品。該HBM4基于其成熟的1β DRAM工藝，采用2048位接口，每個(gè)內(nèi)存堆棧的讀寫速度超過2.0TB/s，性能比上一代產(chǎn)品HBM3E提升超過60%，能效提升超過20%。

三星HBM4產(chǎn)品同樣采用12層堆疊技術(shù)，容量從24GB到36GB，還計(jì)劃通過采用16層堆疊技術(shù)，將容量擴(kuò)展至最高48GB。

三星在核心芯片中集成了先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)方案。與上一代HBM3E相比，其HBM4通過采用低電壓硅通孔（TSV）技術(shù)和電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）優(yōu)化，將能效提升40%、熱阻降低10%、散熱能力提高30%。

雖然數(shù)據(jù)中心市場對先進(jìn)HBM的需求，但幾家存儲(chǔ)芯片巨頭未必有足夠動(dòng)力去全力投入HBM4生產(chǎn)，因?yàn)橥ㄓ肈RAM產(chǎn)品的價(jià)格也在飆升。

國際投資銀行高盛披露，今年通用DRAM的價(jià)格為每Gb 1.25美元，或每GB 10美元（1GB=8Gb）。這個(gè)價(jià)格與當(dāng)前HBM市場的旗艦產(chǎn)品12層HBM3E（第五代HBM）產(chǎn)品并沒有顯著差異。由于通用DRAM無需像HBM那樣采用頂尖封裝技術(shù)，因此其利潤率據(jù)稱要高得多。

隨著存儲(chǔ)供應(yīng)持續(xù)緊張，AI基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)地位正在發(fā)生變化，存儲(chǔ)芯片大廠們將掌握更高的議價(jià)權(quán)。