中經(jīng)記者 譚倫 北京報道

自2025年的存儲芯片漲價大潮仍在延續(xù)。

2026年2月19日，韓國存儲芯片巨頭三星電子股價再度創(chuàng)下歷史新高，盤中一度上漲逾5%，最高觸及190900韓元，今年以來累計漲幅已近50%，延續(xù)了2025年的迅猛漲勢。

這一波狂飆背后，直接誘因是三星正在進行的漲價談判。據(jù)韓媒披露，三星正與英偉達（NVIDIA）及其他大客戶敲定最新一代HBM4及超高性能存儲芯片的供應協(xié)議，其報價較上一代產品高出至多30%。在2025年存儲價格已經(jīng)翻倍的基礎上，這種“利好疊加”讓資本對存儲市場的青睞再度升溫。

獲得利好的不止三星，就在幾日前，媒體報道蘋果已被迫同意日本閃存大廠鎧俠的新續(xù)簽合約，除了NAND閃存漲價100%外，鎧俠有權在此后每個季度根據(jù)市場價重新議價。

在諸多刺激下，2026年年初的存儲芯片市場已然一片看漲態(tài)勢。CHIP中國實驗室主任羅國昭向《中國經(jīng)營報》記者表示，在供應不足帶來的漲價潮持續(xù)之下，存儲芯片已經(jīng)進入賣方市場，這輪資本市場對存儲企業(yè)的估價修正，可能還會延續(xù)較長一段時間。

三巨頭聚焦AI存儲

在此輪存儲漲價潮中，AI存儲被視為最大的拉動因素。其中，全球三大存儲芯片巨頭三星、SK海力士、美光，近三個月均將戰(zhàn)略重心聚焦于AI高端存儲領域，帶動其股價同步走強。

綜合多家韓國媒體消息，作為行業(yè)風向標，三星除推進最新一代HBM4芯片量產并洽談高價定價外，還將平澤P4工廠的投產時間從2027年一季度提前至2026年四季度，重點部署高性能DRAM與HBM產品，搶占AI存儲市場先機。據(jù)業(yè)界分析師估算，三星HBM4組件擬定價約700美元，較上一代HBM3E高出20%—30%，其營業(yè)利潤率預計可達50%—60%，盈利空間大幅提升。

SK海力士緊隨其后，作為AI需求爆發(fā)的核心受益者，SK海力士HBM產能已提前鎖定至2026年。在高端存儲產品占比提升帶動下，公司盈利能力持續(xù)改善。市場普遍預計，其利潤率有望維持在歷史高位區(qū)間。

美光科技則聚焦HBM3E量產。美光CEO Sanjay Mehrotra最近在業(yè)績電話會上表示，公司HBM產能已被客戶提前預訂至2026年。隨著資源向AI數(shù)據(jù)中心領域傾斜，公司正優(yōu)化產品結構，減少低毛利產品比重，提升整體盈利能力。受益于存儲芯片漲價，其美股股價也持續(xù)大漲，帶動西部數(shù)據(jù)等同行同步走高，費城半導體指數(shù)呈現(xiàn)普漲態(tài)勢。

對于此輪AI存儲的風靡原因，Trendforce研報分析認為，服務器端對高端存儲單元的優(yōu)先采購是本輪價漲的主要放大器。由于大型云服務商（CSP）與AI硬件采購方自2025年年底開始提前鎖定產能、簽訂長期供應協(xié)議以確保算力集群擴展，這帶來“搶占位次”的采購節(jié)奏，同時PC與手機端在2025年末出人意料地回暖，也吸走了一部分傳統(tǒng)消費端的DRAM/NAND需求。

中國存儲業(yè)緊隨獲利

本輪漲價浪潮下，中國本土存儲廠商也動作頻頻，加快崛起步伐。

長鑫存儲作為國內少數(shù)實現(xiàn)DRAM規(guī)?；慨a的企業(yè)，正持續(xù)提升產能與產品成熟度，市場普遍預期其營收規(guī)模有望進一步擴大，并加速向中低端智能手機與PC市場滲透。在3D NAND領域，長江存儲也依托Xtacking架構持續(xù)推進高堆疊產品布局。記者從多位半導體業(yè)內人士處獲悉，部分國內服務器廠商正加大對國產企業(yè)級SSD的驗證與導入力度，使其在全球存儲價格上行周期中強化供應鏈多元化。

羅國昭認為，這部分反映了我國在“存儲自給”戰(zhàn)略上的加速；同時，外部的技術限制與部分供應鏈安全考量也使得國內客戶在采購上更傾向進口與國產的雙向布局，從而對短期市場構成額外需求支撐，而這也帶動了存儲價格的拉升。

不過，這一輪漲價趨勢能持續(xù)多久，業(yè)界并未有共識。富達國際基金經(jīng)理人白芳蘋認為，存儲市場的供需緊張雖有可能在未來一到兩個季度內緩解，但整體漲價態(tài)勢或延續(xù)至2026年年底。

半導體分析師季維認為，短期來看，AI訓練需求短期難以回落，放眼一年以上的中長期，若主要廠商加快資本開支并且新產能的良率在2026年下半年逐步提升，則供給有望逐步緩和，價格有望回落但難恢復到疫情前的低位。

但是，若AI與云端擴容繼續(xù)超預期，且廠商繼續(xù)優(yōu)先供給高毛利產品，價格可能維持高位直至2027年前后。據(jù)其預計，存儲價格全面趨穩(wěn)甚至下降，需等到2027—2028年新產能完全投產并穩(wěn)定良率之后。

（編輯：張靖超 審核：李正豪 校對：翟軍）