2026年2月22日，國產(chǎn)半導(dǎo)體迎來重大突破：國內(nèi)廠商成功量產(chǎn)8英寸鈮酸鋰晶圓，良率突破70%，達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)，華為等企業(yè)已內(nèi)部試用，用于光通信、射頻芯片與高速連接模塊。該技術(shù)可制造光子芯片，完全繞開EUV光刻機(jī)限制，為國產(chǎn)半導(dǎo)體開辟換道超車新路徑，打破海外技術(shù)壟斷。

鈮酸鋰被稱為“光學(xué)硅”，是光模塊、射頻器件、6G通信、AI算力中心的核心基礎(chǔ)材料。相比傳統(tǒng)硅基芯片，鈮酸鋰依靠光子傳輸信息，速度更快、功耗更低、抗干擾更強(qiáng)，支持800G/1.6T高速光模塊，是AI與6G的關(guān)鍵底座。長(zhǎng)期以來，8英寸高性能鈮酸鋰晶圓被海外壟斷，價(jià)格高、供貨受限。國產(chǎn)量產(chǎn)打破卡脖子，成本下降超30%，實(shí)現(xiàn)自主穩(wěn)定供應(yīng)，為產(chǎn)業(yè)鏈提供安全保障。

這項(xiàng)突破意義深遠(yuǎn)。傳統(tǒng)先進(jìn)制程依賴EUV光刻機(jī)，而光子芯片以鈮酸鋰為核心，采用光刻與薄膜工藝，無需高端光刻機(jī)即可制造高性能芯片，為國產(chǎn)芯片提供全新方向。鈮酸鋰可廣泛用于數(shù)據(jù)中心、基站、衛(wèi)星通信、手機(jī)射頻、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，支撐6G、AI、智能汽車等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。華為等企業(yè)的試用將加速技術(shù)落地與產(chǎn)品迭代，形成自主技術(shù)壁壘，讓外部封鎖失效。

從長(zhǎng)遠(yuǎn)看，紅利持續(xù)釋放。用戶將享受更快網(wǎng)速、更穩(wěn)信號(hào)、更低延遲，數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施全面升級(jí)。高端材料與芯片自主可控，供應(yīng)鏈安全性大幅提升。國產(chǎn)半導(dǎo)體從追趕先進(jìn)制程轉(zhuǎn)向賽道切換，以新材料、新架構(gòu)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。在全球科技競(jìng)爭(zhēng)激烈的今天，8英寸鈮酸鋰晶圓量產(chǎn)，不僅是技術(shù)突破，更是中國半導(dǎo)體走向自主自強(qiáng)的重要標(biāo)志，展現(xiàn)出新材料與新架構(gòu)帶來的無限可能。