當(dāng)全球的目光聚焦于AI算力競(jìng)賽與HBM（高帶寬內(nèi)存）的軍備競(jìng)賽時(shí)，一個(gè)更為龐大且基礎(chǔ)性的存儲(chǔ)市場(chǎng)，正悄然迎來(lái)由人工智能驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)性變革。它不再是僅僅為智能手機(jī)和PC擴(kuò)容的配角，而是正在成為支撐海量AI數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與高速推理的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施——這就是NAND閃存市場(chǎng)。

愛集微VIP頻道近日上線由摩根大通（J.P. Morgan）發(fā)布的《全球NAND閃存市場(chǎng)深度解析：演進(jìn)、創(chuàng)新與未來(lái)展望》，本報(bào)告系統(tǒng)剖析了NAND產(chǎn)業(yè)未來(lái)三年的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，明確指出：得益于企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）在AI推理場(chǎng)景中的爆發(fā)式需求，NAND市場(chǎng)規(guī)模增速將迎來(lái)歷史性躍升，一個(gè)由技術(shù)、供需與資本紀(jì)律共同驅(qū)動(dòng)的新周期已然開啟。

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核心洞察：從消費(fèi)電子到AI基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值重估

一、市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：TAM增速歷史性躍升，AI成為核心引擎

報(bào)告指出，過去25年，受消費(fèi)電子市場(chǎng)成熟影響，NAND位元需求增長(zhǎng)放緩。然而，未來(lái)三年將迎來(lái)根本性轉(zhuǎn)折：全球NAND市場(chǎng)規(guī)模（TAM）的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將從長(zhǎng)期平均的10%躍升至30%以上。

這一飛躍的核心驅(qū)動(dòng)力，正是人工智能。NAND閃存通過企業(yè)級(jí)SSD（eSSD），在AI推理中扮演了至關(guān)重要的角色，用于KV緩存卸載、上下文存儲(chǔ)等關(guān)鍵場(chǎng)景，完美彌補(bǔ)了HBM容量有限、成本高昂的短板。

-數(shù)據(jù)印證：2024年eSSD出貨量同比激增86%，創(chuàng)2012年以來(lái)新高。預(yù)計(jì)到2028年，eSSD的位元需求占比將飆升至53%，總量達(dá)到驚人的900EB。

-協(xié)同效應(yīng)：傳統(tǒng)HDD（機(jī)械硬盤）的供應(yīng)緊張，進(jìn)一步加速了高密度QLC SSD在近線存儲(chǔ)領(lǐng)域的滲透，形成SSD與HDD優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的新格局。

二、供需與價(jià)格：強(qiáng)資本紀(jì)律遇上強(qiáng)需求，漲價(jià)周期明確

與需求爆發(fā)形成鮮明對(duì)比的是，供給端表現(xiàn)出前所未有的“資本支出紀(jì)律”。

-供應(yīng)克制：2025-2027年，NAND行業(yè)的平均資本密集度僅為16%，遠(yuǎn)低于DRAM的26%。主要廠商策略聚焦于技術(shù)升級(jí)而非激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能增長(zhǎng)受限。

-價(jià)格強(qiáng)勢(shì)反彈：經(jīng)歷2022-2023年的深度下行后，市場(chǎng)在頭部廠商減產(chǎn)下迅速出清。自2025年中觸底后，NAND價(jià)格開啟暴力反彈。例如，512GB TLC晶圓現(xiàn)貨價(jià)在半年內(nèi)從2.7美元飆升至15美元，漲幅達(dá)5.5倍。

-未來(lái)展望：報(bào)告預(yù)測(cè)，2026年NAND行業(yè)平均售價(jià)（ASP）將增長(zhǎng)40%。盡管2027年整體ASP可能微調(diào)，但企業(yè)級(jí)服務(wù)器用的高價(jià)值NAND產(chǎn)品仍有充足的漲價(jià)空間。

三、技術(shù)創(chuàng)新：3D堆疊深水競(jìng)賽與下一代HBF曙光

技術(shù)是驅(qū)動(dòng)NAND成本下降、性能提升的根本。當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)在于：

-層數(shù)競(jìng)賽白熱化：行業(yè)主流已進(jìn)入176層以上，三星、SK海力士、鎧俠/西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟均在向300層以上邁進(jìn)，以滿足AI數(shù)據(jù)中心對(duì)高密度存儲(chǔ)的渴求。

-架構(gòu)革命：鎧俠的CMOS直接鍵合陣列（CBA）等混合鍵合技術(shù)，通過突破傳統(tǒng)架構(gòu)限制，實(shí)現(xiàn)了性能與密度的雙重飛躍。

-未來(lái)變量——高帶寬閃存（HBF）：由閃迪（SanDisk）提出的HBF技術(shù)，被視為可能改變游戲規(guī)則的長(zhǎng)期變量。它旨在通過TSV技術(shù)堆疊NAND裸片，兼具大容量與高帶寬，成本低于HBM，有望成為AI推理的新型存儲(chǔ)方案，預(yù)計(jì)最早2028年商用。

四、競(jìng)爭(zhēng)格局與投資脈絡(luò)：寡頭市場(chǎng)中的贏家

NAND市場(chǎng)呈現(xiàn)高度集中的寡頭格局，三星、鎧俠、SK海力士三大巨頭合計(jì)占據(jù)約80%份額。

-差異化競(jìng)爭(zhēng)：SK海力士（含Solidigm）在QLC eSSD領(lǐng)先；三星和鎧俠主導(dǎo)TLC eSSD市場(chǎng)；美光以高堆疊層數(shù)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)密度優(yōu)勢(shì)。

-服務(wù)器賽道是關(guān)鍵：各廠商正全力提升服務(wù)器業(yè)務(wù)占比。其中，鎧俠（Kioxia）被摩根大通列為首選推薦（Overweight評(píng)級(jí)），因其服務(wù)器業(yè)務(wù)占比提升潛力最為顯著，將充分受益于行業(yè)上行周期。

報(bào)告核心結(jié)論：一個(gè)新時(shí)代的開啟

摩根大通報(bào)告的核心結(jié)論清晰而有力：NAND閃存市場(chǎng)正處于從消費(fèi)電子驅(qū)動(dòng)向AI與企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)的歷史性轉(zhuǎn)型拐點(diǎn)。

在技術(shù)上，3D堆疊與架構(gòu)創(chuàng)新持續(xù)突破物理極限；在供需上，嚴(yán)格的資本紀(jì)律與爆發(fā)的AI需求形成共振，驅(qū)動(dòng)價(jià)格與盈利能力的長(zhǎng)期修復(fù)；在競(jìng)爭(zhēng)上，擁有技術(shù)、產(chǎn)能與客戶卡位優(yōu)勢(shì)的頭部廠商將最大程度分享行業(yè)紅利。

未來(lái)三年，超過30%的復(fù)合增長(zhǎng)并非曇花一現(xiàn)，它標(biāo)志著NAND作為AI時(shí)代核心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的價(jià)值獲得重估，一個(gè)屬于NAND產(chǎn)業(yè)的“黃金時(shí)代”正在到來(lái)。

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