#2月·每日幸運簽#

近日，北大團隊把鐵電晶體管的物理柵長做到1納米的消息，引起關(guān)注。簡單說，這幫科研人員造出了迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管，成果發(fā)在了《科學(xué)·進展》上。消息一出，有人喊加油，盼著早點擺脫被卡脖子的日子；有人質(zhì)疑發(fā)在美國期刊會不會泄密；還有人直接開嘲諷，說別光吹牛，得真干出來。

先說這次突破到底突破了什么�，F(xiàn)在AI芯片普遍有個頭疼的問題叫“內(nèi)存墻”——數(shù)據(jù)存儲和計算在兩個地方，來回調(diào)用又慢又費電。鐵電晶體管牛就牛在它存算一體，像人腦神經(jīng)元那樣，存儲和計算在一塊兒完成，天生適合AI。但過去這玩意兒有個硬傷：要讓鐵電材料干活，得給它上高電壓，能耗蹭蹭往上漲。

北大團隊的做法很巧妙，他們把晶體管的柵極做到1納米，原子尺度，相當(dāng)于在材料內(nèi)部造了個超級電場，只用0.6V的低電壓就能讓它翻轉(zhuǎn)工作。結(jié)果就是能耗比國際最好水平直接降了一個數(shù)量級。用邱晨光的話說，這叫對電場進行了“杠桿放大”。

有人問發(fā)美國期刊會不會泄密，這其實是個老話題�？茖W(xué)研究發(fā)頂級期刊是全球通行做法，一方面證明成果經(jīng)得起同行評議，是真東西；另一方面，核心技術(shù)體現(xiàn)在怎么設(shè)計和造出來，論文公開的是原理性突破，真正的工藝訣竅還在實驗室里。

有人嘲諷光吹牛不實干。有人稱：來看看殖人陰陽怪氣也是一樂事。其實，彭練矛院士團隊在碳基芯片、新型器件領(lǐng)域深耕了二十年，這次突破不是憑空冒出來的。而且這類基礎(chǔ)器件突破，離真正裝進手機、服務(wù)器確實還有距離，需要產(chǎn)業(yè)界接力把它變成可量產(chǎn)的技術(shù)。

還有更深一層的意義，可能很多人沒意識到�，F(xiàn)在全球芯片競賽，不光是拼誰的光刻機更先進、制程更小，還有一條暗線是拼架構(gòu)創(chuàng)新。西方在傳統(tǒng)硅基芯片上筑起高墻，中國科研團隊正嘗試從底層器件換條賽道。鐵電晶體管如果真能大規(guī)模應(yīng)用，未來的AI芯片可能不再需要那么依賴極致的制程微縮，靠新原理也能把算力和能效提上去。這就像別人堵死了大路，你發(fā)現(xiàn)了一條小路，雖然窄，但能走通，而且可能更近。

還有個現(xiàn)實價值被低估了——降低數(shù)據(jù)中心的能耗。現(xiàn)在隨便一個大廠的數(shù)據(jù)中心，電費都是天文數(shù)字。邱晨光提到，這種超低功耗的晶體管能為構(gòu)建高能效數(shù)據(jù)中心提供核心器件。如果未來服務(wù)器里的芯片能耗能降一個數(shù)量級，省下來的電和成本是驚人的。

網(wǎng)友說“加油干，早日實現(xiàn)不被掐脖子”，這話實在。但換個角度看，這次突破的意義或許不只是不被掐脖子，而是開始在某些基礎(chǔ)領(lǐng)域跑到了前面。以前我們更多的是追趕者，別人定規(guī)則、我們照著做�，F(xiàn)在這種新型器件，我們手里有原創(chuàng)性的東西，可以在下一代芯片的規(guī)則里加上中國方案。

當(dāng)然，從實驗室到生產(chǎn)線，從1納米原型到真正裝進手機、服務(wù)器，這條路不會短。需要材料、工藝、設(shè)計全鏈條的配合，也需要產(chǎn)業(yè)界敢于試錯和投入。但至少，這次突破讓人看到，在芯片這場長跑里，中國不僅有耐力，也開始有爆發(fā)力了。