一粒成本不過3.7元的南極磷蝦油，終端售價(jià)竟能飆升至60元，可若將其置于DRAM內(nèi)存芯片的利潤(rùn)版圖中審視，這般溢價(jià)便如螢火之光，難掩巨頭壟斷下灼灼燃燒的暴利烈焰。

縱覽全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）產(chǎn)業(yè)格局，每年超三千億美元的龐大產(chǎn)值，幾乎全數(shù)匯聚于三星電子、SK海力士與美光科技三座高峰之上，三方合計(jì)掌控著全球92.3%的產(chǎn)能與出貨份額，形成近乎牢不可破的技術(shù)—資本雙壁壘。

中國(guó)身為全球最大的DRAM消費(fèi)國(guó)，年采購(gòu)量占全球總量近38.6%，卻長(zhǎng)期困守于“買得到、用得上、改不了、升不動(dòng)”的被動(dòng)局面。這種被卡住咽喉的壓抑感，并非近年新癥，而是自1975年我國(guó)首塊自主研制的1K DRAM芯片在中科院微電子所成功點(diǎn)亮起，便已悄然扎根，綿延整整五十年未解。

直到2026年元月，一份來(lái)自安徽合肥的上市申報(bào)文件悄然披露，其背后躍動(dòng)的營(yíng)收曲線與盈利拐點(diǎn)，如驚雷劃破沉寂多年的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)長(zhǎng)空，瞬間點(diǎn)燃全行業(yè)神經(jīng)。

半個(gè)世紀(jì)的首次盈利

2025年12月30日，上海證券交易所正式接收長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司提交的IPO申請(qǐng)，擬募集資金總額達(dá)295億元人民幣——這一數(shù)字不僅刷新科創(chuàng)板歷史單輪融資規(guī)模紀(jì)錄，穩(wěn)居第二位，更標(biāo)志著中國(guó)DRAM自主化征程邁入全新紀(jì)元。

這份厚重申報(bào)材料的主角，正是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。據(jù)其招股書披露的審慎財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)，公司2025年度歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)區(qū)間為20.1億至34.9億元，上下浮動(dòng)均圍繞盈虧平衡點(diǎn)穩(wěn)健展開。

這組數(shù)字背后，是整整半個(gè)世紀(jì)的蟄伏與突圍：從1975年實(shí)驗(yàn)室里那枚僅含1024個(gè)晶體管的雛形芯片，到如今實(shí)現(xiàn)全棧量產(chǎn)能力，中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)終于跨越了持續(xù)虧損的深水區(qū)，迎來(lái)歷史性扭虧為盈。而支撐這一轉(zhuǎn)折的，是一份令人屏息的投入賬本——成立至今累計(jì)凈虧損達(dá)408.57億元；僅2022至2024三年間，研發(fā)投入總額即高達(dá)152.3億元。

在2022至2024這輪全球存儲(chǔ)行業(yè)深度調(diào)整期，受制于高額折舊攤銷、產(chǎn)線爬坡緩慢及前期設(shè)備投資集中釋放等多重壓力，企業(yè)連續(xù)三年錄得凈虧損，總金額逾308億元。

但2025年成為無(wú)可爭(zhēng)議的逆轉(zhuǎn)之年：前三季度營(yíng)收達(dá)320.84億元，同比激增100.2%；其中第三季度單季營(yíng)收同比暴漲148.8%，毛利率強(qiáng)勢(shì)回升至34.9%，創(chuàng)歷史新高；產(chǎn)能利用率由年初85.1%躍升至年末94.3%，全年?duì)I收預(yù)計(jì)鎖定在552億至578億元區(qū)間。這一連串躍升并非偶然躍遷，而是以真金白銀在凜冽寒潮中鍛造出的堅(jiān)實(shí)暖流。

九死一生的荊棘征途

在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)，DRAM賽道素有“帝國(guó)墳場(chǎng)”之稱——德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)轟然崩塌、日本爾必達(dá)被低價(jià)清算、臺(tái)灣茂德科技黯然退市……一具具昔日技術(shù)巨擘的殘骸，靜靜陳列于這條布滿尖刺的攀登之路上。

其殘酷本質(zhì)在于極致的標(biāo)準(zhǔn)化與規(guī)模剛性：內(nèi)存作為通用型基礎(chǔ)器件，參數(shù)趨同、功能一致，最終博弈簡(jiǎn)化為成本控制力與交付規(guī)模的雙重比拼。市場(chǎng)景氣時(shí)訂單如雪片紛飛，一旦周期下行，價(jià)格便呈斷崖式跳水，跌幅常超六成。

更嚴(yán)峻的是，一座具備競(jìng)爭(zhēng)力的12英寸DRAM晶圓廠，初始投資門檻早已突破百億美元大關(guān)；而技術(shù)代際迭代節(jié)奏愈發(fā)緊湊，工藝節(jié)點(diǎn)每延遲半年，便可能錯(cuò)失整輪市場(chǎng)窗口，一步遲滯，滿盤皆輸。

回望2016年，彼時(shí)我國(guó)在先進(jìn)制程DRAM領(lǐng)域尚無(wú)自主產(chǎn)線，技術(shù)積累幾近空白。面對(duì)封鎖與質(zhì)疑，合肥市政府展現(xiàn)出罕見的戰(zhàn)略定力與資本魄力。

依托此前主導(dǎo)京東方項(xiàng)目落地所沉淀的產(chǎn)業(yè)組織經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)合兆易創(chuàng)新創(chuàng)始人朱一明團(tuán)隊(duì)，首期即撥付72億美元戰(zhàn)略引導(dǎo)資金；一期工程實(shí)際投入人民幣180.2億元，全部用于建設(shè)合肥經(jīng)開區(qū)12英寸DRAM制造基地。

長(zhǎng)鑫敏銳捕捉奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)后的技術(shù)窗口，通過合規(guī)渠道獲得其遺留的完整知識(shí)產(chǎn)權(quán)包，涵蓋超1027萬(wàn)份技術(shù)文檔、2.82TB核心設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)及數(shù)百項(xiàng)關(guān)鍵專利授權(quán)。

人才攻堅(jiān)同步啟動(dòng)：面向日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，以原薪資3.2倍至4.8倍的薪酬體系，成建制引進(jìn)超800名資深制程工程師與良率專家，組建起覆蓋研發(fā)、制造、封測(cè)全鏈條的核心骨干隊(duì)伍。

彼時(shí)福建晉華因?qū)＠m紛遭外部制裁而停擺，長(zhǎng)鑫引以為戒，自創(chuàng)立首日起即構(gòu)建高強(qiáng)度專利攻防體系——2017年成立當(dāng)年即提交發(fā)明專利申請(qǐng)354件；截至2025年底，公司在境內(nèi)外累計(jì)擁有有效專利5521項(xiàng)，其中發(fā)明專利占比達(dá)86.4%，構(gòu)筑起縱深達(dá)七層的技術(shù)護(hù)城河。

在舊設(shè)備的廢墟上奇襲

站穩(wěn)生存基本盤后，真正的硬仗才剛剛開始：如何彌合與國(guó)際一線廠商長(zhǎng)達(dá)5至7年的技術(shù)代差？當(dāng)時(shí)全球頭部企業(yè)已全面轉(zhuǎn)向DDR5標(biāo)準(zhǔn)，而長(zhǎng)鑫首款量產(chǎn)產(chǎn)品仍處于DDR4成熟階段。

面對(duì)看似不可逾越的鴻溝，企業(yè)選擇了一條極富張力的“多代并行研發(fā)布局”路徑——同步推進(jìn)DDR4+、DDR5、LPDDR5及早期DDR5X四條技術(shù)路線，六年之內(nèi)完成對(duì)手耗時(shí)十年的演進(jìn)歷程。其研發(fā)強(qiáng)度達(dá)三星同期水平的2.03倍、SK海力士的3.11倍，六年累計(jì)研發(fā)投入188.4億元，占總營(yíng)收比重常年穩(wěn)定在31.7%以上。

尤為震撼業(yè)界的是，在無(wú)法獲取EUV光刻機(jī)的嚴(yán)苛約束下，長(zhǎng)鑫工藝團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性復(fù)用現(xiàn)有浸沒式DUV平臺(tái)，通過多達(dá)12次精密套刻的“多重圖形曝光疊加”工藝，在DDR5芯片上實(shí)現(xiàn)單位面積存儲(chǔ)密度提升19.6%，部分型號(hào)實(shí)測(cè)性能甚至小幅超越同期海外競(jìng)品。

至2024年12月，DDR5與LPDDR5產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)全工藝鏈穩(wěn)定量產(chǎn)，各項(xiàng)電性參數(shù)、功耗指標(biāo)及可靠性測(cè)試結(jié)果均達(dá)到JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，小米14系列、傳音Infinix Zero 40旗艦機(jī)型及阿里云新一代智算服務(wù)器集群，均已規(guī)?；捎瞄L(zhǎng)鑫自研內(nèi)存模組。

短短五年，技術(shù)代際差距由最初的6.8年壓縮至當(dāng)前3.2年左右；從阿里巴巴、騰訊云到OPPO、vivo等主流終端品牌，過去只能被動(dòng)接受境外廠商配額分配的國(guó)內(nèi)客戶，如今首次擁有了真正具備商業(yè)可行性的“國(guó)產(chǎn)替代選項(xiàng)”，議價(jià)權(quán)與供應(yīng)鏈彈性顯著增強(qiáng)。

反攻號(hào)角方才吹響

產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)于2024年三季度清晰浮現(xiàn)：全球存儲(chǔ)市場(chǎng)結(jié)束長(zhǎng)達(dá)14個(gè)月的下行周期，疊加AI大模型訓(xùn)練對(duì)高帶寬內(nèi)存需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格指數(shù)單季度上漲達(dá)73.5%。長(zhǎng)鑫精準(zhǔn)把握節(jié)奏，在合肥、北京雙基地滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)下，規(guī)模效應(yīng)加速釋放，單位制造成本同比下降22.8%，盈利空間迅速打開。

最新出貨數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2025年第二季度全球市場(chǎng)份額已達(dá)3.97%，位列全球第四、中國(guó)第一；雖相較三星18.6%的市占率仍有明顯差距，產(chǎn)能亦僅為前者的32.4%，且在HBM3等高端異構(gòu)內(nèi)存領(lǐng)域尚未實(shí)現(xiàn)商用突破，但那道橫亙五十年的壟斷高墻，已被鑿開一道清晰可見的裂痕。

更具戰(zhàn)略意義的是，下一代3D堆疊式DRAM架構(gòu)對(duì)極紫外（EUV）光刻工藝依賴度大幅降低，更多轉(zhuǎn)向混合鍵合、TSV硅通孔及先進(jìn)封裝等技術(shù)路徑——這恰恰是中國(guó)企業(yè)相對(duì)具備追趕優(yōu)勢(shì)的新賽道，也為后續(xù)跨越式發(fā)展預(yù)留了關(guān)鍵時(shí)間窗口。

本次募集的295億元資金，將按既定規(guī)劃精準(zhǔn)投向1α納米級(jí)DRAM工藝研發(fā)、HBM3E高帶寬內(nèi)存試產(chǎn)線建設(shè)及三維集成存儲(chǔ)前瞻實(shí)驗(yàn)室搭建，全部項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2028年底前建成投產(chǎn)。據(jù)Yole Développement最新預(yù)測(cè)，至2029年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1260億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率11.3%，而中國(guó)有望貢獻(xiàn)其中42%的增量，本土企業(yè)的深度參與，已從產(chǎn)業(yè)選擇升維為國(guó)家安全級(jí)戰(zhàn)略支點(diǎn)。

這片曾吞噬無(wú)數(shù)豪情壯志的“帝國(guó)墳場(chǎng)”，終究沒有埋葬所有來(lái)者；它用五十年時(shí)光、408.57億元真金白銀、5521項(xiàng)專利構(gòu)筑的淬煉爐，鍛造出一個(gè)真正能與巨頭對(duì)坐談判的玩家。不到4%的全球份額，分量卻重逾千鈞——它不只是數(shù)字，更是主權(quán)意志在微觀晶體世界里的具象落子。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的崛起，印證了一個(gè)樸素卻鋒利的真理：在芯片這場(chǎng)沒有終點(diǎn)的耐力賽中，只要始終保有入場(chǎng)資格，就永遠(yuǎn)握有改寫終局的底牌。

這個(gè)領(lǐng)域從不存在捷徑意義上的“彎道超車”，唯有在技術(shù)懸崖邊緣持續(xù)加壓、在資本寒冬之中保持奔跑、在每一次良率波動(dòng)里校準(zhǔn)方向——才是穿越周期、抵達(dá)彼岸的唯一坐標(biāo)。

這一役的勝利，遠(yuǎn)不止于財(cái)務(wù)報(bào)表上的紅字轉(zhuǎn)綠；它是長(zhǎng)期主義在周期律動(dòng)中的悲壯凱旋，當(dāng)那筆408億元的虧損終于結(jié)痂成盾，新生的肌理，必將比過往任何時(shí)刻都更致密、更堅(jiān)韌、更能抵御下一場(chǎng)風(fēng)暴。