半導體制造領域里，光刻設備一直是技術門檻最高的部分。最近阿斯麥公司公布了一項關于EUV光源的進展，把功率提升到了1000瓦級別，這讓不少業(yè)內人士關注起來。

按照他們的規(guī)劃，這項技術到2030年能讓單臺光刻機的芯片產出增加50%左右。說白了，就是同樣的設備能干更多的活，幫晶圓廠省下不少成本，尤其是在現在人工智能芯片需求很大的情況下。

光刻機光源功率成了關鍵制約

大家都知道，芯片越做越小，傳統(tǒng)的光刻方式已經跟不上。EUV技術用的是13.5納米的極紫外光，這種光波長短，能刻出精細電路，但產生起來特別麻煩。阿斯麥的系統(tǒng)是用高能激光打熔融錫滴，制造等離子體來發(fā)出需要的紫外光。

光源功率直接影響曝光時間，功率越高，晶圓處理速度越快。目前量產的EUV設備光源功率基本在600瓦左右，這已經是工程上花了大力氣才達到的水平。再往上提，就要面對熱管理、碎片清理和光學保護等一系列問題。

如果功率不夠，設備每小時能處理的晶圓片數就有限制。這直接影響到晶圓廠的產能和單片成本。在人工智能和高端計算需求快速增長的今天，產能瓶頸讓很多廠子頭疼。阿斯麥這次把功率推到1000瓦，就是為了解決這個實際問題，讓設備吞吐量有明顯提高。

ASML通過具體創(chuàng)新實現功率躍升

阿斯麥在圣地亞哥的研發(fā)中心重點攻關光源技術。他們把錫滴噴射頻率提高了一倍，達到每秒大約10萬個。同時改進了激光脈沖方式，從原來的一次性高能脈沖，變成先用小脈沖預處理錫滴，再用主脈沖激發(fā)等離子體。這種雙脈沖做法提高了能量轉化效率，讓更多輸入能量變成有用的13.5納米光，而不是浪費成熱量。

這些調整不是簡單加大功率，而是從底層優(yōu)化。錫滴的大小、位置和速度要保持極高一致性，激光脈沖 timing也要精確配合。研發(fā)團隊花了時間解決熱負荷增加帶來的新挑戰(zhàn)，包括更好的冷卻和氫氣流動控制，確保系統(tǒng)能在真實生產環(huán)境中長時間穩(wěn)定工作。

對晶圓廠和供應鏈的實際影響

這項突破最直接的好處是降低先進制程的制造成本。晶圓廠像臺灣地區(qū)的臺積電、英特爾等，都在大量使用EUV設備。產能提升50%能緩解當前AI芯片供不應求的局面，讓更多先進芯片更快進入市場。

阿斯麥計劃把這項光源用到NXE:3800E以及高數值孔徑的新系列機型上，還提供生產力增強包幫助客戶升級現有設備。當然，從驗證到全面量產還有工程細節(jié)要完善，比如更高功率下的電力供應和維護安排。

阿斯麥通過提高功率和效率，進一步鞏固了在高端設備領域的地位。晶圓廠能用更少的設備達到更高產量，這對控制成本和擴大生產很有幫助。這次千瓦級突破是實打實的工程進步。它把EUV光刻的瓶頸往前推了一大步，讓芯片制造在效率和成本上都有改善空間。