大家好我是老札，現(xiàn)在AI存儲圈，HBM就是絕對的霸主，沒人能治得了它，就在大家以為這格局會一直僵下去時，英特爾拉上軟銀，重新?lián)炱鹱约旱睦媳拘?，掏出了ZM技術(shù)，就是要跟HBM正面硬剛、打破壟斷，但這波操作，真能讓英特爾翻身嗎？

HBM為啥能這么橫行霸道？

進(jìn)入2026年，AI存儲圈最炸的消息，就是英特爾推出的ZM芯片，之前有個HBF技術(shù)，專挑特定場景發(fā)力，不跟HBM正面沖突；

但ZM不一樣，目標(biāo)特別明確——就是要干掉HBM，甚至被不少人解讀成，幫黃仁勛出一口被HBM拿捏的惡氣。

HBM的原理很簡單，就是把好多顆DRAM內(nèi)存芯片堆在一起，用先進(jìn)技術(shù)跟GPU等芯片緊緊粘在一起，AI越火HBM越風(fēng)光，但它的霸道也很明顯，核心就兩個痛點。

第一個痛點是成本太高，HBM的成本能占到整個AI加速卡的30%到50%，相當(dāng)于買一張加速卡，一半錢都花在它身上，不管大公司還是小廠商，都得被它薅羊毛。

第二個痛點是壟斷嚴(yán)重，全球只有SK海力士、三星、美光這幾家能做HBM，別人想做都做不了，這就導(dǎo)致市場被它們牢牢攥住，產(chǎn)能有限供應(yīng)鏈還脆弱，稍微出點問題整個AI芯片行業(yè)都得慌。

現(xiàn)在幾乎所有做AI芯片的公司，都被HBM拿捏得死死的，最慘的就是英偉達(dá)。

黃仁勛再牛，也得看HBM廠商的臉色，甚至被網(wǎng)友調(diào)侃成HBM廠商的“打工仔”——辛辛苦苦做芯片，賺的錢一大半都交了“保護(hù)費”。

英特爾為啥敢出手？

正因為HBM太霸道，英特爾才跟軟銀聯(lián)手，想打破韓國企業(yè)的壟斷，重新回到行業(yè)巔峰，有人疑惑，軟銀創(chuàng)始人孫正義是韓國人，為啥不幫自己國家的企業(yè)？

其實很簡單，孫正義是商人，只看利益和實力，而英特爾的底蘊足夠支撐這場翻身仗，很多人不知道，英特爾最早不是做CPU的，而是做存儲的，還是全球第一個把DRAM商業(yè)化的廠商。

上世紀(jì)七八十年代，它在存儲領(lǐng)域是絕對的大哥大，但后來日本靠著特殊模式崛起，壓低DRAM價格，英特爾打不過，就果斷放棄存儲，專心做CPU，才逃過破產(chǎn)。

如今時隔40年，英特爾重操舊業(yè)，一是有底氣，多年的技術(shù)儲備足夠在AI存儲賽道拼一把；

二是太迫切，這些年它日子不好過，代工比不過臺積電，PC芯片被AMD追著打，AI芯片被英偉達(dá)碾壓，急需一個機(jī)會證明自己。

英特爾這次推出的ZM技術(shù)，不是臨時湊數(shù)的，背后有大來頭，它源于美國能源部的AMT計劃，這個計劃專門研究先進(jìn)內(nèi)存，還有很多國家實驗室撐腰，地位堪比咱們中國的零二專項，含金量很高。

英特爾在這個計劃里，貢獻(xiàn)了一項關(guān)鍵技術(shù)NGDD，光看名字就知道，它就是研究怎么把DRAM堆在一起的，跟HBM的技術(shù)方向完全對口，也難怪英特爾在ZM技術(shù)上這么有底氣。

ZM本質(zhì)也是DRAM堆疊方案，跟HBM是同門，但核心差別很大，多層DRAM的連接方式，被英特爾徹底改了，這也讓它有機(jī)會超越HBM。

HBM最大的瓶頸，就是單堆棧容量難提升。想增加容量，就得增加堆疊層數(shù)，但它的堆疊方式有硬傷：

每層DRAM靠TSV和微凸點連接，TSV要在晶圓上分散打幾千個孔，層數(shù)越多，打孔越多。

而且每個孔周圍都得留空地，不能放器件，層數(shù)越多，可用空間越少，容量自然上不去，所以HBM只能靠多堆幾個堆棧來增加容量，再加上微凸點是錫焊，發(fā)熱嚴(yán)重，散熱越來越難，陷入了死循環(huán)。

ZM的三大殺招

ZM專門針對HBM的痛點設(shè)計，核心有三大優(yōu)勢：

第一招重構(gòu)互聯(lián)形態(tài)，ZM也用TSV，但不在整個晶圓上打孔，只打在芯片邊緣，把數(shù)據(jù)線引到邊緣再上下貫穿。

這就像蓋大樓，HBM是在樓內(nèi)裝直梯，ZM是在樓邊裝扶梯，不占用內(nèi)部空間，能省出更多地方放器件，從根上解決容量瓶頸。

不過它也有缺點，集中走線一旦出故障，可能整個堆棧都廢了，目前還在研發(fā)，具體情況不好說。

第二招混合鍵合技術(shù)，HBM用傳統(tǒng)微凸點，而英特爾用自己擅長的混合鍵合，讓銅線直接連接、晶圓直接貼合，發(fā)熱大幅緩解，熱量能快速散出去。

值得一提的是HBM4E以后也會用上這項技術(shù)，算是行業(yè)趨勢。

第三招EMIB技術(shù)，ZM需要跟GPU等芯片集成，英特爾用EMIB技術(shù)替代傳統(tǒng)硅中介層，既提升了性能，又降低了成本，把自己的優(yōu)勢發(fā)揮得淋漓盡致。

前景可期但難題也不少

咱們也不能把ZM吹得太神，上面說的只是設(shè)計框架，實際落地還有很多工程難題。

HBM從實驗室到商業(yè)化用了十多年，而ZM現(xiàn)在只有英特爾一家推進(jìn)，沒有行業(yè)集體發(fā)力，進(jìn)度和效果都得打問號。

但如果ZM能順利落地，優(yōu)勢很明顯：容量能提升2到3倍，功耗降低40%到50%，還能省電費、減散熱開銷，成本也比HBM低。

在我看來，單是容量提升，就足以碾壓HBM——容量是HBM最大的痛點，直接制約AI大模型訓(xùn)練，HBM跟不上，就只能拖后腿。

ZM想實現(xiàn)2到3倍容量提升，光靠調(diào)整TSV不夠，還得用更激進(jìn)的技術(shù)，傳統(tǒng)DRAM是1T1C，電容越小，漏電越難控制。

業(yè)內(nèi)推測ZM可能會取消獨立電容，利用晶體管的浮體效應(yīng)存電荷，變成1T0C結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升容量，要是這項技術(shù)能用，英特爾顛覆的就不只是HBM，整個DRAM市場都得重新洗牌。

但它也有短板，電荷保持時間短，控制難度大，再加上軟銀初期投入只有幾千萬美元，短期內(nèi)大概率用不上，只能先做好基礎(chǔ)版ZM。

結(jié)語

按照規(guī)劃，ZM預(yù)計2027年實現(xiàn)原型生產(chǎn)，2030年前后商業(yè)化，要是能順利量產(chǎn)，絕對是AI存儲圈的“核彈級”產(chǎn)品，能徹底重構(gòu)行業(yè)格局。

而且ZM的核心技術(shù)已經(jīng)過長期驗證，單從技術(shù)上看完全可行，最終能不能成功，關(guān)鍵看三點：英特爾的執(zhí)行力、軟銀的資金支持、市場的接受度。

但不管怎么說，HBM一家獨大的日子到頭了，英特爾的ZM就算不能完全取代它，也能成為強(qiáng)勁對手，打破壟斷、平衡市場。

對整個AI行業(yè)來說，這絕對是好事——只有競爭，才有進(jìn)步，技術(shù)才會更成熟、成本才會更低，最終受益的還是整個行業(yè)。