昨日(3月29日)下午，2026 中關(guān)村論壇年會(huì)重大成果專場(chǎng)發(fā)布會(huì)正式舉行。本次發(fā)布會(huì)圍繞 “面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)、面向國(guó)家重大需求、面向人民生命健康” 四大方向，集中發(fā)布多項(xiàng)重磅科技成果。共有 5 項(xiàng)成果入選，分別為：

• 高能同步輻射光源建成試運(yùn)行

• 世界最高磁場(chǎng)全超導(dǎo)用戶磁體

• 首次實(shí)現(xiàn)二維金屬

• 性能超越硅基的二維半導(dǎo)體晶圓

• 全球首款亞埃米級(jí)光譜成像芯片“玉衡”

其中性能超越硅基的二維半導(dǎo)體晶圓這一成果由北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)。

當(dāng)前，傳統(tǒng)硅基芯片的性能逼近物理極限，全球科研與產(chǎn)業(yè)界均在積極探尋下一代芯片技術(shù)的革命性方案。硒化銦憑借優(yōu)異的電學(xué)特性，被業(yè)界視作極具潛力的“黃金半導(dǎo)體” 材料。北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上率先攻克關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量二維硒化銦材料的晶圓級(jí)集成制造，并完成 2 英寸高質(zhì)量硒化銦晶圓的規(guī)?；苽?。

經(jīng)驗(yàn)證，該器件電子遷移率等核心性能創(chuàng)下二維薄膜器件新紀(jì)錄，信號(hào)延遲時(shí)間降至傳統(tǒng)硅基器件的1/3，能效提升達(dá) 10 倍，為后摩爾時(shí)代芯片性能跨越式升級(jí)提供了全新材料與技術(shù)路線。

相關(guān)研究成果最早已于 2025 年 7 月發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《Science》，論文 DOI：10.1126/science.adu3803。