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在2026年光纖通信展（OFC 2026）上，三星晶圓代工正式宣布進(jìn)軍硅光子（SiPh）代工市場，并推出300mm平臺。其路線圖計劃在2027年推出光引擎，并在2029年提供交鑰匙式CPO服務(wù)。本文將對其戰(zhàn)略進(jìn)行分析。

三星為何進(jìn)軍硅光子學(xué)領(lǐng)域

三星晶圓代工的營收約為臺積電的六分之一（截至2025年，三星晶圓代工的營收約為150億至180億美元，而臺積電的營收超過900億美元）。僅靠先進(jìn)邏輯節(jié)點的競爭無法縮小這一差距。2026年3月17日，在洛杉磯舉行的OFC 2026上，三星晶圓代工開辟了新的戰(zhàn)線。該公司通過兩篇會議論文正式宣布進(jìn)軍硅光子器件（SiPh）市場。

三星的路線圖如下：2026 年實現(xiàn) PIC 生產(chǎn)準(zhǔn)備，2027 年實現(xiàn)基于 TC（熱壓）鍵合的光引擎，2028 年實現(xiàn)混合鍵合過渡，2029 年開始提供交鑰匙 CPO（共封裝光學(xué)器件）服務(wù)。

三星力推的核心信息是：“臺積電本身并不生產(chǎn)存儲器。三星可以在一個屋檐下提供HBM、晶圓代工、封裝和SiPh（系統(tǒng)級封裝）服務(wù)。” （不過，臺積電確實通過其CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)集成了外部HBM。）這正是三星SiPh戰(zhàn)略背后的核心邏輯。

這是一個很有吸引力的方案。想象一下，最終的人工智能芯片封裝方案是將GPU、HBM和光學(xué)引擎集成在一個封裝內(nèi)，由一家公司負(fù)責(zé)全部生產(chǎn)無疑會簡化供應(yīng)鏈。

但這個市場并非一片空白。三星試圖進(jìn)入的領(lǐng)域，已經(jīng)有其他廠商開通了生產(chǎn)線，贏得了客戶，并創(chuàng)造了收入。它們之間的差距并非僅僅體現(xiàn)在“更高的幾個GHz”上。

SiPh 和 CPO：為什么代工廠如此重要

AI集群正在快速擴展。隨著GPU數(shù)量從數(shù)萬個增長到數(shù)十萬個，連接芯片的銅線逐漸成為瓶頸。功耗持續(xù)上升，帶寬接近極限，延遲卻沒有改善。

SiPh（硅光傳輸）是一種利用光而非電來傳輸數(shù)據(jù)的技術(shù)。如果說銅纜是一條雙車道公路，那么SiPh就是一條八車道高速公路，而且成本只有銅纜的一半。在10米以上的鏈路距離上，SiPh的功率效率比銅纜高5到10倍。再加上WDM（波分復(fù)用）技術(shù)，可以在單根光纖上同時傳輸多個通道，帶寬擴展就變得輕而易舉了。

CPO技術(shù)更進(jìn)一步。如今，交換芯片和光模塊在物理上是分離的。您可能在服務(wù)器機架前端見過可插拔收發(fā)器。而CPO技術(shù)則將光引擎直接集成到交換芯片封裝內(nèi)。更短的信號路徑意味著更低的功耗和更低的延遲。

關(guān)鍵在于：制造硅光子集成電路（SiPh PIC）與制造標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件截然不同。處理光需要波導(dǎo)（引導(dǎo)光的通道）、調(diào)制器（將電信號轉(zhuǎn)換為光信號的器件）和光電探測器（將光信號轉(zhuǎn)換回電信號的器件）。

目前，全球能夠采用CMOS兼容工藝在300mm硅晶圓上制造這些器件的代工廠屈指可數(shù)。作為專業(yè)的SiPh代工廠，Tower Semiconductor和GlobalFoundries處于領(lǐng)先地位。臺積電（TSMC）憑借其COUPE平臺也加入了競爭。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）也開始運行300mm SiPh平臺。三星正努力成為第五家。

硅光子晶圓代工市場已迅速崛起，成為人工智能數(shù)據(jù)中心互連供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在2025年GTC大會上，NVIDIA發(fā)布了基于臺積電COUPE光子芯片的Spectrum-X（以太網(wǎng)）和Quantum-X（InfiniBand）交換機版本。當(dāng)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域最重要的客戶宣布“我們正在用光連接”時，代工廠也紛紛效仿。

SiPh 代工廠市場的核心是一場建造為 AI 數(shù)據(jù)中心提供光源的工廠的競賽。

三星的技術(shù)定位：

他們展示了什么，還缺少什么

以下是三星在OFC 2026大會上發(fā)表的兩篇論文的摘要。前文已詳細(xì)介紹了設(shè)備層面的分析，因此本節(jié)重點介紹關(guān)鍵規(guī)格和背景信息。

他們展示的內(nèi)容：設(shè)備性能

三星的 300mm SiPh 平臺（Tu2D.3 論文）將 Si 和 SiN 雙波導(dǎo)、Ge 光電探測器、TSV（硅通孔）、加熱器和 MIM 電容器集成在 SOI（絕緣體上硅）晶圓上。

主要設(shè)備規(guī)格：

另一篇論文（Th3F.6）中發(fā)表的微環(huán)輔助鍺雪崩光電二極管（MRA-Ge APD）也值得關(guān)注。三星利用微環(huán)諧振器，在尺寸為180nm x 400nm的鍺APD中實現(xiàn)了0.82A/W的諧振響應(yīng)度（@-1V）、7.5的雪崩增益（@-6.1V）以及253GHz的增益帶寬積（@-6.5V）。與需要10-15V或更高電壓的傳統(tǒng)SACM APD相比，-6.1V的電壓確實更低。然而，正如第一部分分析的那樣，在EIC電源軌工作電壓為0.75-1.8V的CPO封裝中，仍然需要一個單獨的電壓轉(zhuǎn)換器。

PDK 也已到位：超過 40 個器件模型、DRC/LVS/PEX 驗證卡、25-85°C 的溫度相關(guān)建模，以及涵蓋 MRM 自加熱和光學(xué)峰值效應(yīng)的模型-硬件相關(guān)性。

imec 單獨測量了三星的調(diào)制器，其速率為 224Gbps/通道，據(jù) The Elec 報道。該數(shù)字與 200G/lambda 的目標(biāo)一致，在 8 通道配置下可實現(xiàn) 1.6Tbps。

缺失的部分：系統(tǒng)集成和客戶

沒有系統(tǒng)級集成數(shù)據(jù)。三星的OFC論文完全是器件級特性分析。沒有數(shù)據(jù)表明PIC和EIC粘合在一起并作為光引擎運行。50Gbaud PAM4眼圖是模擬的，而非測量的。沒有光鏈路傳輸實驗。沒有多通道或WDM數(shù)據(jù)。

目前尚無量產(chǎn)客戶。據(jù)報道，自2025年3月以來，博通SiPh公司已與三星展開合作，三星也已將相干光模塊公司、Lumentum公司以及無晶圓廠光集成電路設(shè)計公司等視為潛在客戶。但截至2026年光纖通信大會（OFC 2026），尚未公布任何具體的設(shè)計方案。

沒有量產(chǎn)經(jīng)驗。PDK 1.0 已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，但三星沒有任何將客戶設(shè)計轉(zhuǎn)化為量產(chǎn)的經(jīng)驗。在晶圓代工行業(yè)，“擁有 PDK”和“擁有經(jīng)過驗證的量產(chǎn)良率”是完全不同的兩個里程碑。

補充一點背景信息：三星的SOI晶圓采用305nm的硅層厚度。數(shù)據(jù)通信光子集成電路（PIC）最常用的厚度是220nm（射頻光子學(xué)領(lǐng)域使用300nm，非線性光子學(xué)領(lǐng)域使用400nm）。正如第一部分所述，這種非標(biāo)準(zhǔn)厚度會帶來光模式優(yōu)化方面的權(quán)衡以及PDK兼容性問題。將現(xiàn)有的基于220nm的設(shè)計移植到三星的平臺可能需要重新設(shè)計。

三星的器件物理性能具有競爭力。MRM 74GHz 和 MZM VpiL 1.4V·cm 均達(dá)到代工級標(biāo)準(zhǔn)。目前欠缺的是系統(tǒng)集成、量產(chǎn)經(jīng)驗和客戶。

三星需要彌合的差距

臺積電的差距是切入點。臺積電于2024年發(fā)布了COUPE（緊湊型通用光子引擎），2025年完成了可插拔認(rèn)證，并計劃在2026年左右完成基于CoWoS的CPO量產(chǎn)認(rèn)證。英偉達(dá)發(fā)布的Spectrum-X Photonics和Quantum-X Photonics交換機計劃基于COUPE平臺。

此外，技術(shù)上也存在顯著差異。臺積電 COUPE 采用 SoIC-X 技術(shù)，這是一種 3D 堆疊技術(shù)，它使用銅-銅混合鍵合將 EIC 芯片鍵合到 PIC 芯片之上。銅-銅混合鍵合是一種“無凸點”工藝：它不使用焊球，而是將每個芯片上的銅焊盤拋光平整，并在原子級層面直接鍵合。SoIC-X 是臺積電 3DFabric 平臺的高性能版本，鍵合間距小于 9 微米，未來幾代產(chǎn)品的目標(biāo)是達(dá)到 3 微米。這最大限度地降低了電光接口處的阻抗。

三星首款光學(xué)引擎將于 2027 年采用 TC 鍵合技術(shù)，而 Cu-Cu 混合鍵合技術(shù)則將于 2028 年推出。以下是這種差異為何至關(guān)重要：

熱壓鍵合：利用熱壓將焊球熔合在一起。焊球間距通常為 40-100 微米。由于焊球高度較高，連接密度有限，且信號路徑較長。

銅-銅混合鍵合：銅焊盤直接在原子尺度上鍵合。無凸點，因此間距可縮小至10微米以下。連接密度是傳統(tǒng)銅焊盤的10倍以上。信號路徑極短，從而降低阻抗和功率損耗。

打個比方：TC（熱電偶）封裝就像用粘合劑粘合方塊。銅-銅混合鍵合則是將表面拋光平整后直接焊接。后者密度更高、更堅固，但工藝難度更大。臺積電的SoIC-X封裝已經(jīng)量產(chǎn)，而三星要到2028年才能達(dá)到這一階段。兩者之間存在一到兩代封裝技術(shù)的差距。

2025年12月，Alchip和Ayar Labs在臺積電歐洲OIP論壇上展示了基于COUPE的光連接解決方案。該演示展示了一款100Tb/s的封裝內(nèi)光I/O引擎，采用UCIe接口，這是業(yè)界首次公開展示基于COUPE平臺的PIC+EIC。三星尚未達(dá)到這一階段。

單與臺積電相比，三星就落后了三年。正面追趕臺積電對三星來說并不現(xiàn)實。何況，如上所述，市場上還有很多其他競爭者。

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（來源：編譯自photoncap）

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