快科技5月7日消息，在2026年SID Display Week開幕首日，TCL華星全球首發(fā)14英寸矩陣分區(qū)分頻Oxide筆電屏，搭載自研超高遷50氧化物技術(shù)與ARR多區(qū)動態(tài)變頻技術(shù)，首次實現(xiàn)LCD面板0.01Hz超低刷新率，屏幕功耗直降50%。

在傳統(tǒng)非晶硅方案中，遷移率天花板使其完全無法驅(qū)動這種超低刷新率；低溫多晶硅雖遷移率高，但漏電流過大導致低頻畫面閃爍，同樣無法勝任。

面對這兩種技術(shù)路徑各自無法繞開的結(jié)構(gòu)性短板，TCL華星此次公開的超高遷50氧化物技術(shù)從三個維度展開了針對性突破。

其一，電子遷移率被推至50cm2/V·s。TCL華星攜手細野秀雄教授，引入聯(lián)動式旋轉(zhuǎn)靶濺射成膜技術(shù)，疊加復合疊層設計與復合修復工藝，徹底解決了高遷材料中銦（In）含量過高帶來的器件及工藝問題，材料遷移率大幅提升。

其二，穩(wěn)定性問題被徹底攻克。通過對絕緣層中氫氧組分的精準平衡調(diào)控，實現(xiàn)低缺陷界面構(gòu)筑與高致密阻隔層制備，漏電被有效抑制。

其三，全鏈路設計適配高分高刷場景。TCL華星通過新型電路架構(gòu)開發(fā)與TFT器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，有效緩解遷移率提升帶來的閾值電壓漂移與自發(fā)熱效應，充分釋放高遷移率材料的性能潛力。

經(jīng)過新型電路架構(gòu)與TFT器件優(yōu)化，超高遷50氧化物已具備驅(qū)動高分高刷場景的硬件基礎(chǔ)。實現(xiàn)超低刷新只是第一步，如何讓屏幕在不同區(qū)域靈活切換刷新率才是產(chǎn)品化的關(guān)鍵。

為此，AI技術(shù)被同步深度嵌入面板控制系統(tǒng)。 LCD屏幕被劃分為若干個獨立可控的刷新區(qū)域，在AI場景識別的加持下，視頻區(qū)域維持高刷新率保證流暢度，靜止區(qū)域則自動降至0.01Hz，硬件級功耗得到大幅壓縮。

此外，AI畫質(zhì)補償算法同步對各分區(qū)進行色域與亮度調(diào)校，保證高低刷切換時畫面均勻無閃爍。

TCL華星已于2024年完成常規(guī)氧化物量產(chǎn)落地，2025年達成高遷30量產(chǎn)，并明確計劃在2026年內(nèi)實現(xiàn)超高遷50的規(guī)模化量產(chǎn)。

目前，搭載全球首款超高遷50氧化物技術(shù)的14英寸矩陣分區(qū)分頻筆電屏已在SID完成全球首發(fā)。