存儲芯片市場正迎來一場由AI驅(qū)動的深刻變革，而SK海力士憑借HBM4的強勢定價權(quán)，正卡住全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的命脈。

01

天價協(xié)議，HBM4價格暴漲50%

“HBM4的供應(yīng)價格將比上一代HBM3E高出50%以上?！?/strong>日前，SK海力士與英偉達(dá)達(dá)成第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)協(xié)議的消息在業(yè)內(nèi)迅速傳開。

SK海力士與英偉達(dá)的這場談判引發(fā)全球芯片市場密切關(guān)注。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。

這一漲幅大大超過了行業(yè)最初的預(yù)期。

集邦咨詢在5月份發(fā)布的報告中曾預(yù)測，由于HBM4制造門檻提高，其溢價幅度將突破30%。實際落地價格比市場預(yù)期高出10%以上，凸顯出AI算力需求持續(xù)爆發(fā)下，高端存儲芯片的供需失衡狀況比想象中更為嚴(yán)重。

SK海力士此前向英偉達(dá)提出的HBM4報價為每顆540~560美元左右。盡管英偉達(dá)最初考慮到三星電子和美光也將大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，不愿接受如此高的報價，但最終仍然妥協(xié)，按照SK海力士的提案確定了價格。

02

技術(shù)飛躍

HBM4為何能大幅漲價

HBM4價格的飆升背后，是技術(shù)飛躍與市場格局的雙重作用。從技術(shù)角度看，HBM4代表了高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的重大突破。其數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量達(dá)到2048個，是HBM3E（1024個）的兩倍，大幅提升了數(shù)據(jù)處理速度。

更值得關(guān)注的是，HBM4在基底芯片中集成了計算優(yōu)化和能效管理等邏輯功能。這種架構(gòu)革新使得SK海力士不得不將基底芯片生產(chǎn)外包給臺積電，形成存儲與邏輯工藝的深度整合。

HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)，如混合鍵合技術(shù)，以實現(xiàn)更高的互連密度和更小的節(jié)距。這些技術(shù)進(jìn)步無疑推高了制造成本，但技術(shù)突破只是故事的一部分。

市場壟斷地位為SK海力士提供了定價權(quán)。目前，SK海力士在HBM市場的占有率高達(dá)62%，遠(yuǎn)超美光和三星。更重要的是，消息顯示美光的HBM4產(chǎn)品難以滿足英偉達(dá)對性能和功耗的要求，可能需要重新設(shè)計芯片架構(gòu)，導(dǎo)致量產(chǎn)延后長達(dá)9個月。

三星的HBM4仍在積極提升良率當(dāng)中，預(yù)計明年上半年才能量產(chǎn)。這使得SK海力士成為目前唯一能夠滿足英偉達(dá)要求的HBM4供應(yīng)商，在談判中占據(jù)絕對優(yōu)勢。

03

AI算力成本結(jié)構(gòu)重構(gòu)

HBM4價格暴漲正深刻影響著AI芯片的成本結(jié)構(gòu)。根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，HBM4占英偉達(dá)下一代GPU（如Rubin架構(gòu)）總成本的25%，較HBM3E時代的18%大幅提升。

對于英偉達(dá)而言，這意味著AI芯片生產(chǎn)成本顯著增加。但業(yè)內(nèi)分析師認(rèn)為，英偉達(dá)在AI芯片市場上的強勢地位，以及其在CUDA生態(tài)系統(tǒng)中的優(yōu)勢，使其能夠?qū)⒉糠殖杀巨D(zhuǎn)嫁給客戶。

事實上，英偉達(dá)已通過AI芯片漲價15%來轉(zhuǎn)嫁部分成本。這一變化將進(jìn)一步推高AI服務(wù)器整機價格，可能抑制中小型企業(yè)的算力采購需求。但在全球AI軍備競賽背景下，頭部云廠商（如AWS、谷歌）仍需要接受成本上漲以維持算力優(yōu)勢。

AI服務(wù)器市場的“巨頭們”正在改寫供應(yīng)鏈規(guī)則。全球第二大DRAM模組廠威剛科技董事長陳立白指出：“現(xiàn)在我們的競爭對手已經(jīng)不再是同業(yè)的模組公司，而是像OpenAI、Google、Amazon、Microsoft這樣的CSP（云服務(wù)提供商）?！?/p>

這種變化導(dǎo)致大型CSP直接跳過中間環(huán)節(jié)，與芯片制造商簽署大規(guī)模長期合同，進(jìn)一步加劇了HBM供應(yīng)緊張的局面。

04

三足鼎立，SK海力士暫占先機

當(dāng)前全球HBM市場競爭格局中，SK海力士以62%的出貨量市場份額占據(jù)絕對領(lǐng)先地位，美光科技以21%位列第二，三星電子則以17%位居第三。

這一市場格局直接影響了各家企業(yè)的談判能力。

SK海力士在今年3月就率先向英偉達(dá)交付了全球首款HBM4 12層堆棧樣品，6月開始供應(yīng)初始批次。這種技術(shù)領(lǐng)先和市場時機優(yōu)勢，為其在價格談判中增加了重要籌碼。

三星電子也不甘示弱，預(yù)計本月將交付HBM4最終驗證樣品，力爭在2026年初獲得英偉達(dá)的最終認(rèn)證。而美光科技則向客戶送樣了HBM4產(chǎn)品，正積極磋商采購協(xié)議。

05

中國存儲產(chǎn)業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)

面對HBM市場的巨大機遇和技術(shù)壁壘，中國存儲產(chǎn)業(yè)正在加速追趕。目前，長鑫存儲已實現(xiàn)16nm HBM3量產(chǎn)并供應(yīng)華為，成為全球第三個具備HBM3量產(chǎn)能力的國家。

盡管國產(chǎn)HBM3在層數(shù)（8層）和帶寬（6.4Gbps）上落后于SK海力士的12層HBM3E（9.6Gbps），但16nm工藝成熟度已支撐商業(yè)化落地。國家投入超百億資金支持國產(chǎn)HBM發(fā)展，目標(biāo)2026年市占率突破20%。

在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同方面，國產(chǎn)設(shè)備廠商（如中微公司的先進(jìn)封裝設(shè)備、賽騰股份的HBM檢測設(shè)備）和材料供應(yīng)商已切入HBM供應(yīng)鏈。但在邏輯基底芯片設(shè)計、混合鍵合工藝等核心環(huán)節(jié)仍依賴進(jìn)口，需通過“產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同加速技術(shù)突破。

長鑫存儲正在研發(fā)一款厚度僅0.58mm的LPDDR5X，若成功量產(chǎn)將成為業(yè)內(nèi)最薄LPDDR5X產(chǎn)品。這表明中國企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新方面已具備一定實力。在產(chǎn)品路線圖方面，長鑫存儲將逐步退出DDR4市場，據(jù)傳最快會在2026年上半年全面停供，僅保留少量產(chǎn)線為中國模組廠代工供貨。

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編輯｜張毅

主編｜黎坤

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