本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2030年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)將達(dá)3020億美元，HBM以33%CAGR領(lǐng)跑。

日前，全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)技術(shù)盛會(huì)—未來(lái)存儲(chǔ)大會(huì)（FMS）在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉舉行。近日，F(xiàn)MS官方網(wǎng)站已發(fā)布了主題演講視頻和全體會(huì)議報(bào)告的幻燈片。

報(bào)告首先概述了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)（由Yole Group于2025年5月創(chuàng)建，不包括嵌入式存儲(chǔ)器）及其發(fā)展趨勢(shì)。2024年，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1700億美元，較上年增長(zhǎng)78%。按產(chǎn)品類(lèi)型劃分，DRAM（包括HBM）占據(jù)最大份額，達(dá)57%。HBM本身占10%。NAND閃存緊隨DRAM之后，占40%。DRAM和NAND閃存合計(jì)占97%的市場(chǎng)份額，表明這兩種產(chǎn)品占據(jù)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的大部分份額。

其他產(chǎn)品包括占比 1.7% 的 NOR 閃存、占比 0.4% 的非易失性 SRAM 和鐵電存儲(chǔ)器 (NVSRAM/FRAM)、占比 0.1% 的下一代非易失性存儲(chǔ)器 (新興 NVM) 以及占比 0.63% 的 EEPROM 和其他產(chǎn)品。

2024年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)（按產(chǎn)品分類(lèi)）及市場(chǎng)規(guī)模趨勢(shì)（2020-2025年）。來(lái)源：2025年FMS，Yole集團(tuán)

同一張幻燈片還展示了2020年至2025年的市場(chǎng)規(guī)模趨勢(shì)。其中，2024年及之前的數(shù)據(jù)為實(shí)際數(shù)據(jù)，2025年的數(shù)據(jù)為預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)到2025年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)18%，達(dá)到2000億美元。

到2030年，HBM將以33%的平均高增長(zhǎng)率引領(lǐng)整體存儲(chǔ)器市場(chǎng)

演示文稿還展示了對(duì)比2024年和2030年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的幻燈片。2024年的數(shù)據(jù)為實(shí)際（估計(jì)）數(shù)據(jù)，2030年的數(shù)據(jù)為預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)2030年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3020億美元，約為2024年的1.8倍。2024年至2030年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）約為10%。

按產(chǎn)品類(lèi)型劃分，DRAM市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的970億美元增長(zhǎng)到2030年的1940億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為12%。HBM將推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)，其市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的174億美元顯著增長(zhǎng)到2030年的980億美元。HBM市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將高達(dá)約33%。

2024年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)（實(shí)際結(jié)果）和2030年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)（預(yù)測(cè)）來(lái)源：2025年FMS，Yole集團(tuán)

NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的680億美元增長(zhǎng)到2030年的1010億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)約為7%，低于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器整體10%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。

在其他產(chǎn)品中，NOR閃存預(yù)計(jì)將從2024年的29億美元增長(zhǎng)到2030年的41億美元。除NOR閃存以外的其他存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)增長(zhǎng)空間不大。

到2030年，HBM比特成本將持續(xù)上漲

一份很有用的幻燈片分析了2020年至2030年HBM市場(chǎng)的情況。如上所述，市場(chǎng)規(guī)模（價(jià)值）將從2024年到2030年以33%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)高速增長(zhǎng)。相比之下，比特等效出貨量（2024-2030年）的復(fù)合年增長(zhǎng)率略低，為31%。換句話說(shuō)，每比特的成本將會(huì)上升。簡(jiǎn)單的計(jì)算（價(jià)值/GB）顯示，2024年的每比特成本（實(shí)際每GB成本）為11.3美元，而2030年的每比特成本（預(yù)測(cè)每GB成本）將達(dá)到12.9美元。

2024 年至 2030 年晶圓加工量（每月）的復(fù)合年增長(zhǎng)率甚至更低，僅為 18%，這表明銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)大于晶圓加工成本的增長(zhǎng)。

如今，AI服務(wù)器與通用服務(wù)器正共同驅(qū)動(dòng)新一輪存儲(chǔ)器超級(jí)周期，在此背景下，消費(fèi)電子的DRAM產(chǎn)能已經(jīng)被持續(xù)擠壓。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分享的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，2024至2026年，AI與服務(wù)器相關(guān)應(yīng)用對(duì)DRAM產(chǎn)能的占比分別達(dá)到46%、56%及66%。除HBM需求激增外，服務(wù)器DRAM的需求也在激增，Graphics DRAM亦是如此，如英偉達(dá)RTX Pro 6000等產(chǎn)品亦消耗大量產(chǎn)能，此外AI平臺(tái)對(duì)LPDDR方案的廣泛采用進(jìn)一步擠占消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品供給。該趨勢(shì)已呈不可逆態(tài)勢(shì)，2027年上述領(lǐng)域合計(jì)占比將突破70%。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，值得注意的是，鑒于買(mǎi)方資金實(shí)力雄厚，傾向于維持更高庫(kù)存水平，實(shí)際采購(gòu)量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預(yù)測(cè)值，導(dǎo)致PC、智能手機(jī)等消費(fèi)終端可獲得的DRAM分配量進(jìn)一步收縮。

“AI服務(wù)器、GPU廠商（如英偉達(dá)）為保障產(chǎn)能，愿意為L(zhǎng)PDDR5支付比手機(jī)廠商高出50%—60%的溢價(jià)。存儲(chǔ)原廠為追求更高利潤(rùn)，自然優(yōu)先將產(chǎn)能分配給AI客戶?！眳茄沛帽硎?，AI吃掉的量越來(lái)越多，今年英偉達(dá)占了LPDDR產(chǎn)量的3%，明年會(huì)上升到4%，而且這是實(shí)際的需求，英偉達(dá)還會(huì)傾向把庫(kù)存建得更高，所以保守估計(jì)，英偉達(dá)真正在LPDDR5購(gòu)買(mǎi)的量應(yīng)該會(huì)占到整個(gè)產(chǎn)業(yè)的5%到6%。

而為了應(yīng)對(duì)強(qiáng)勁需求，三大DRAM供貨商正積極提升資本支出，并規(guī)劃新廠，在未來(lái)釋放更多的產(chǎn)量。

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