近日，三星正式公布了下一代旗艦芯片——Exynos 2600，并確認(rèn)這顆芯片將搭載于 Galaxy S26 系列手機(jī)中。

以往的消息顯示，全球所有市場(chǎng)的Galaxy S26 Ultra 都將全面搭載驍龍?zhí)幚砥?，Galaxy S26 Plus 和S26標(biāo)準(zhǔn)版將采用驍龍和 Exynos 處理器的混合配置。

現(xiàn)在隨著全新Exynos 2600芯片的到來(lái)，三星Galaxy S26系列的芯片搭載方案也出現(xiàn)了新的消息。

參考IT之家的報(bào)道來(lái)看：

三星已發(fā)布首款 2nm GAA 芯片 Exynos 2600，但搭載該芯片的 Galaxy S26 系列手機(jī)將僅限韓國(guó)本土發(fā)售，全球其他市場(chǎng)仍將采用高通第五代驍龍 8 至尊版芯片。

也就是說(shuō)，國(guó)行版本的Galaxy S26 系列手機(jī)將繼續(xù)搭載來(lái)自高通的芯片產(chǎn)品。

據(jù)悉，三星的Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的旗艦芯片，也是三星代工首個(gè) 2nm 重點(diǎn)項(xiàng)目。這對(duì)于三星來(lái)說(shuō)意義重大，其實(shí)際表現(xiàn)也令人關(guān)注。

除此之外，參考IT之家的另一份報(bào)道來(lái)看：

三星電子半導(dǎo)體（DS）部門拒絕了智能手機(jī)生產(chǎn)部門移動(dòng)體驗(yàn)（MX）事業(yè)部的內(nèi)存半導(dǎo)體長(zhǎng)期供應(yīng)請(qǐng)求。

由于三星半導(dǎo)體正在調(diào)整生產(chǎn)線，主要生產(chǎn) AI 加速器用高帶寬內(nèi)存（HBM）和移動(dòng)用低功耗 DRAM（LPDDR）等高利潤(rùn)產(chǎn)品，以最大化收益。

按照常規(guī)節(jié)奏，三星 MX 事業(yè)部將在明年年初推出 Galaxy S26 系列旗艦手機(jī)，由于內(nèi)存“超級(jí)周期”的影響，成本負(fù)擔(dān)急劇增加，收益警報(bào)已經(jīng)拉響。

就此來(lái)看，新一代的Galaxy S26 系列旗艦手機(jī)是否會(huì)漲價(jià)也令人關(guān)注。

另外，還有消息曝光了Galaxy S26 系列的充電技術(shù)升級(jí)。

按照爆料中的說(shuō)法，One UI 8 系統(tǒng)中的三星代碼中僅包含“無(wú)線充電”和“快速無(wú)線充電”。

而在 One UI 8.5 系統(tǒng)中，三星添加了一行名為kg_power_super_fast_charging_wirelessly 的代碼，這明確指向“超快速無(wú)線充電”功能。

基于此有推測(cè)認(rèn)為，三星Galaxy S26 Ultra 預(yù)計(jì)支持25W無(wú)線充電，Galaxy S26 和 S26 Plus 也有望從 15W 提升至 20W。

同時(shí)，根據(jù)三星一直采用 Qi 無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看，預(yù)計(jì)三星 Galaxy S26 系列手機(jī)的三款機(jī)型都將采用 Qi 2.2 標(biāo)準(zhǔn)，此前曝光的渲染圖也顯示這三款機(jī)型將內(nèi)置磁鐵。

三星還有望在有限充電能力方面帶來(lái)提升，為Galaxy S26 Ultra 支持 60W 的 PPS 協(xié)議。

結(jié)合來(lái)看，全新的三星Galaxy S系列旗艦將帶來(lái)充電能力的大幅度提升，實(shí)際效果令人期待。

除此之外，最近還有消息曝光了Galaxy Z TriFold 三折疊手機(jī)的跑分信息。

按照爆料中的說(shuō)法，這款設(shè)備的GeekBench 6.0.0 版本單核成績(jī) 2853 分，多核成績(jī) 8501 分，分別低于官方基準(zhǔn) 9.6% 和 12.6%。

據(jù)悉，這款Galaxy Z TriFold核心搭載了定制的驍龍 8 Elite for Galaxy 芯片；配備16GB 運(yùn)行內(nèi)存，同時(shí)提供 512GB / 1TB 可選存儲(chǔ)；內(nèi)置 5600mAh 容量電池，結(jié)合45W快充。