最近，一種說法在業(yè)內(nèi)與輿論場反復被提起——“中國的5nm（或7nm）只是數(shù)字游戲，性能并沒有真正提升，與美國至少還有10年差距?！边@類觀點常被歸因到以英偉達為代表的頂級芯片企業(yè)高管或其技術視角之下，態(tài)度冷靜甚至略帶傲慢。它迅速引發(fā)爭論：這是技術事實，還是話語權優(yōu)勢下的價值判斷？

PART.01

制程數(shù)字，究竟是不是“文字游戲”？

先把最容易混淆的一點說清楚：“nm”本身早已不等于真實的物理柵長。

從28nm之后，全球半導體進入“等效制程”時代。今天的5nm、4nm、3nm，更多是一整套工藝能力的品牌標簽，而非某一根線寬的真實尺寸。

臺積電5nm ≠ 三星5nm ≠ 英特爾“Intel 4”。同一“nm”節(jié)點下，晶體管密度、功耗曲線、良率、設計規(guī)則差異巨大。

所以，從嚴格工程角度看，說“nm是數(shù)字”并不完全錯誤，它確實是一個綜合指標，而非單點參數(shù)。

但問題在于：“數(shù)字化”≠“沒進步”。

PART.02

中國的先進制程，究竟進步了沒有？

目前公開可驗證的信息顯示：麒麟9000S / 麒麟9010：等效7nm工藝，DUV多重曝光。龍芯3A6000：14nm工藝，但架構(gòu)與指令集完全自研。制造路徑：在極端設備受限條件下，依靠工藝堆疊、設計補償、系統(tǒng)級優(yōu)化實現(xiàn)量產(chǎn)。

如果只看“單位核心峰值性能”，國產(chǎn)先進制程確實不占優(yōu)勢；但如果看實際用戶體驗、系統(tǒng)吞吐、功耗-性能曲線的可用區(qū)間，結(jié)論就不一樣了。

舉個直觀對比：麒麟9000S整體性能 ≈ 驍龍888（約3年差距），中低負載體驗，接近早期驍龍8 Gen1，高負載持續(xù)性能與能效，仍明顯落后于臺積電4nm體系。

為什么看起來性能沒躍遷？

答案很現(xiàn)實：DUV的天花板就在那兒。DUV理論極限：≈7nm（依靠多重曝光、工藝堆疊）。再往下，EUV幾乎不可替代。 多重曝光 = 成本上升 + 良率下降 + 功耗劣化。

所以你看到的是：制程節(jié)點“前進”，單位功耗性能提升不明顯，芯片“能用，但不完美”。這不是技術路線錯誤，而是在極端限制下，優(yōu)先“活下來”的理性選擇。

PART.03

真正的差距，不在設計，而在制造鏈條

一個常被忽視的事實是：中國在芯片設計層面，已基本追平國際一線；真正的短板，在高端制造裝備。

已經(jīng)站上國際舞臺的部分：中微半導體（AMEC）高端刻蝕設備已進入臺積電等國際頭部晶圓廠供應體系；盛美半導體（ACM）的清洗、除膠、電鍍等多環(huán)節(jié)設備，多項工藝達到國際先進水平；國產(chǎn)拋光液、靶材、部分特氣等材料體系實現(xiàn)替代。

仍然存在顯著差距的領域：EUV光刻機；部分高端量檢測設備； 超高一致性工藝控制。

所以，說“產(chǎn)業(yè)鏈差距10年”，并非空穴來風；但這10年，不是“從0到1”，而是從80到95的艱難爬坡。

當有人反復強調(diào)：“你們落后10年，永遠追不上。”

其真正目的，往往不是技術討論，而是削弱信心、固化認知、凍結(jié)追趕意志。但現(xiàn)實是：7年前，中國連14nm量產(chǎn)都困難，今天，DUV 7nm已進入穩(wěn)定出貨。國產(chǎn)設備正在從“可用”走向“好用”。技術進步，從來不是線性躍遷，而是長時間壓縮后的突變。

差距存在，但路已經(jīng)走通。真正決定未來的，從來不是別人說你落后多少年，而是你有沒有繼續(xù)往前走。

小小寰球，有幾個蒼蠅碰壁。嗡嗡叫，幾聲凄厲，幾聲抽泣。螞蟻緣槐夸大國，蚍蜉撼樹談何易。正西風落葉下長安，飛鳴鏑。

多少事，從來急；天地轉(zhuǎn)，光陰迫。一萬年太久，只爭朝夕。四海翻騰云水怒，五洲震蕩風雷激。要掃除一切害人蟲，全無敵。

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