腦機(jī)接口：腦機(jī)接口“獨(dú)角獸”強(qiáng)腦科技完成約20億元融資

腦機(jī)接口“獨(dú)角獸”強(qiáng)腦科技近期完成約20億元融資，為腦機(jī)接口領(lǐng)域除馬斯克旗下Neuralink以外世界第二大規(guī)模融資。據(jù)悉，投資人陣容強(qiáng)大，包括著名投資機(jī)構(gòu)IDG、由英特爾CEO陳立武創(chuàng)立的華登國際，“果鏈”巨頭藍(lán)思科技、戰(zhàn)略投資方韋爾股份、潤澤科技、華住集團(tuán)、好未來集團(tuán)，也有中國香港、美國頂級(jí)家辦等。

強(qiáng)腦科技創(chuàng)立于2015年2月，由創(chuàng)始人韓璧丞率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在哈佛大學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室孵化而來，主要致力于非侵入式腦機(jī)接口技術(shù)的研發(fā)。

國信證券陳曦炳認(rèn)為，腦機(jī)接口已進(jìn)入“技術(shù)突破向商業(yè)化躍遷”的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，應(yīng)聚焦產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)與技術(shù)路線，上游可關(guān)注腦電傳感器、核心芯片等硬件供應(yīng)商，受益于設(shè)備量產(chǎn)帶來的放量需求；中游重點(diǎn)布局擁有核心專利與臨床資源的企業(yè)，尤其是侵入式領(lǐng)域技術(shù)對(duì)標(biāo)國際、非侵入式場景落地快的龍頭；下游可跟蹤在康復(fù)醫(yī)療、工業(yè)控制等細(xì)分場景形成商業(yè)化閉環(huán)的標(biāo)的。

A股上市公司中

瑞邁特：公司與強(qiáng)腦科技洽談推進(jìn)合作，利用非侵入式腦機(jī)接口技術(shù)實(shí)現(xiàn)腦控仿生手和仿生腿。

三七互娛：去年10月宣布完成對(duì)浙江強(qiáng)腦科技有限公司2000萬美元的戰(zhàn)略投資，拓展下一代人機(jī)交互入口并強(qiáng)化技術(shù)與場景協(xié)同。

第三代半導(dǎo)體：碳化硅產(chǎn)品正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長產(chǎn)業(yè)

機(jī)構(gòu)指出，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體核心材料，憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率優(yōu)、電子飽和漂移速度快等突出性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長產(chǎn)業(yè)，其應(yīng)用場景從功率器件延伸至散熱材料、光學(xué)基底等領(lǐng)域，需求呈爆發(fā)式增長，行業(yè)即將進(jìn)入高速發(fā)展期。

AI產(chǎn)業(yè)中，SiC迎來“功率+散熱”雙重增長機(jī)遇。在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，SiC器件主要應(yīng)用于AI功率器件和散熱層。在AI功率器件方面，SiC器件將用于AI數(shù)據(jù)中心的兩大電能轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。一是電網(wǎng)到數(shù)據(jù)中心電流轉(zhuǎn)換。二是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部電流轉(zhuǎn)換。在散熱層方面，SiC主要作為CoWoS技術(shù)的中介層，也有望進(jìn)入基板和熱沉環(huán)節(jié)。

五礦證券指出，需求端的全面爆發(fā)推動(dòng)行業(yè)規(guī)?？焖贁U(kuò)張，預(yù)計(jì)2027年碳化硅襯底供需緊平衡，甚至存在出現(xiàn)產(chǎn)能供應(yīng)緊張的可能性；2030年，全球1676萬片的襯底需求量，較2025年的供給，存在約1200萬片的產(chǎn)能缺口。

A股上市公司中

天岳先進(jìn)：自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，且在晶體生長、缺陷控制、加工檢測及部件自制等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域形成了完整的技術(shù)體系，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、AI數(shù)據(jù)中心、光伏系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域。

三安光電：公司在數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源領(lǐng)域，湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已向長城、維諦技術(shù)、偉創(chuàng)力、臺(tái)達(dá)、光寶等頭部客戶實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。晶盛機(jī)電碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實(shí)現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)?；慨a(chǎn)與銷售，量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流水平，8英寸碳化硅襯底技術(shù)和規(guī)模處于國內(nèi)前列。