北京
【CNMO科技消息】1月8日，TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)查報告顯示，英偉達2025年第三季對其即將推出的Rubin平臺（第三代GPU架構(gòu)）的HBM4存儲技術(shù)規(guī)格進行了上調(diào)。此次調(diào)整將對HBM（高帶寬存儲器）單針速率的要求提高至高于11Gbps，這一變動迫使三大HBM供應(yīng)商（SK海力士、三星、美光）必須修正設(shè)計并重新送樣其HBM4產(chǎn)品。
該機構(gòu)預測，HBM4最快也要到2026年第一季末才能進入量產(chǎn)階段。此外，英偉達調(diào)整Rubi 平臺量產(chǎn)時程的另一重要原因，是AI熱潮帶動了英偉達前一代Blackwell系列產(chǎn)品的需求超預期，迫使英偉達上調(diào)了Blackwell產(chǎn)品的出貨目標。
在此背景下，三星憑借其1Cnm制程的先進優(yōu)勢，率先采用了自家晶圓代工廠的制程工藝，為HBM4采用更高速的傳輸規(guī)格奠定了基礎(chǔ)，預期將成為第一個通過驗證的HBM4供應(yīng)商。相比之下，SK海力士雖然HBM合約已談妥，但在2026年的供應(yīng)位元上，預計仍將保持絕對優(yōu)勢。
據(jù)CNMO了解，由于AI帶動2026年上半年Blackwell系列產(chǎn)品需求大幅成長，英偉達上調(diào)了上半年B300/GB300出貨目標，并上修HBM3e訂單，且同步調(diào)整了Rubin平臺量產(chǎn)時程表，三大HBM供應(yīng)商因此獲得額外調(diào)整HBM4產(chǎn)品的時間。依照目前驗證情形來看，預計各家HBM4量產(chǎn)的時間點最快將落于2026年第一季末至第二季之間。
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