一、中國(guó)IC測(cè)試板行業(yè)發(fā)展概況

（一）IC測(cè)試板概念及類型

IC測(cè)試可以分為兩個(gè)階段，一是進(jìn)入封裝之前的晶圓測(cè)試（Chip Probing），另外則是封裝完成后的成品測(cè)試（Final Testing）。探針卡（Probe Card）和接口板（Interposer Board）主要應(yīng)用于晶圓測(cè)試階段，對(duì)晶圓上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)。封裝后FT階段的IC測(cè)試板主要包括負(fù)載板(Load Board)、老化板(Burn in Board)等。FT主要進(jìn)行功能測(cè)試及分類，其目的在于確保IC的功能、速度、可靠性、電源消耗等屬性是否正常。通過(guò)該階段的測(cè)試，剔除功能不正確的IC，進(jìn)一步確保IC的品質(zhì)，避免終端產(chǎn)品因?yàn)镮C不合格而產(chǎn)生報(bào)廢等問(wèn)題。

IC 測(cè)試板技術(shù)特點(diǎn)為：“四高一小”，即高層數(shù)、高厚徑比、高平整度、高可靠性、小間距及精細(xì)線路。從需求量上來(lái)說(shuō)，探針卡板、負(fù)載板、轉(zhuǎn)接板屬于多品種小批量產(chǎn)品，老化板屬于大批量產(chǎn)品。探針卡板、負(fù)載板、轉(zhuǎn)接板對(duì)PCB加工工藝要求極高，具備加工能力的PCB板廠商較為有限。

由于芯片設(shè)計(jì)及功能的復(fù)雜性，芯片性能達(dá)標(biāo)與否，一般是需要由IC設(shè)計(jì)公司進(jìn)行把關(guān)驗(yàn)證，在這個(gè)過(guò)程中，為了保證生產(chǎn)/驗(yàn)證流程的穩(wěn)定，IC設(shè)計(jì)公司可能指定關(guān)鍵部件的供應(yīng)商，其中便包含晶圓測(cè)試、成品測(cè)試時(shí)使用的測(cè)試板。IC測(cè)試本質(zhì)上仍是服務(wù)于IC設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)，設(shè)計(jì)公司在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題，主要有下面幾個(gè)原因：

1）隨著芯片復(fù)雜度持續(xù)提升，芯片內(nèi)部的功能模塊數(shù)量不斷增加，制造工藝不斷向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，芯片面臨的潛在失效模式也隨之顯著增多，而如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要被考慮的比重越來(lái)越多。

2） 設(shè)計(jì)、制造、甚至測(cè)試本身，都會(huì)帶來(lái)一定的失效，如何確保芯片設(shè)計(jì)結(jié)果能夠?qū)崿F(xiàn)既定的功能與性能目標(biāo)，如何保證制造出來(lái)的芯片達(dá)到要求的良率，如何確保測(cè)試本身的質(zhì)量和有效，從而提供給客戶符合產(chǎn)品規(guī)范的、質(zhì)量合格的產(chǎn)品，這些都要求必須在設(shè)計(jì)開(kāi)始的第一時(shí)間就要考慮測(cè)試方案。

3） 成本的考量。越早發(fā)現(xiàn)失效，越能減少無(wú)謂的浪費(fèi)；設(shè)計(jì)和制造的冗余度越高，越能提供最終產(chǎn)品的良率；同時(shí)，如果能得到更多的有意義的測(cè)試數(shù)據(jù)，也能反過(guò)來(lái)提供給設(shè)計(jì)和制造端有用的信息，從而使得后者有效地分析失效模式，改善設(shè)計(jì)和制造良率。

（二）中國(guó)IC測(cè)試板市場(chǎng)規(guī)模

IC測(cè)試板市場(chǎng)直接受益于晶圓制造與封裝測(cè)試產(chǎn)能的擴(kuò)張和技術(shù)演進(jìn)。一般而言，晶圓測(cè)試的需求與晶圓制造廠商的產(chǎn)能及稼動(dòng)率直接相關(guān)，晶圓制造產(chǎn)能的快速提升，將持續(xù)帶動(dòng)探針卡市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)。另一方面，在封裝產(chǎn)能擴(kuò)張與先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)負(fù)載板與老化板的需求也持續(xù)攀升。全球IC測(cè)試板市場(chǎng)具備顯著增長(zhǎng)潛力，集微咨詢預(yù)計(jì)，2025年全球IC測(cè)試板的銷售規(guī)模為37億美元，預(yù)計(jì)到2027年全球IC測(cè)試板市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到41.8億美元。

1、中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造、封裝測(cè)試產(chǎn)能和技術(shù)快速發(fā)展

Yole 預(yù)期，中國(guó)大陸以及全球2023年8英寸和12英寸合計(jì)晶圓制造產(chǎn)能分別為131萬(wàn)片/月和870 萬(wàn)片/月，中國(guó)大陸產(chǎn)能約占全球的15%；預(yù)計(jì)至2029年中國(guó)大陸以及全球的8英寸和12英寸合計(jì)晶圓制造產(chǎn)能將分別增長(zhǎng)至355萬(wàn)片/月和1,168萬(wàn)片/月，中國(guó)大陸產(chǎn)能將達(dá)到全球的30%。

根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2022年全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模為815億美元，汽車(chē)電子、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展將推動(dòng)全球封測(cè)市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張，預(yù)計(jì)2026年將達(dá)到961億美元；根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2022年中國(guó)封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模為2995億元，2026年將達(dá)到3248億。中國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模已長(zhǎng)期穩(wěn)居全球第一，約占全球市場(chǎng)的50%。

先進(jìn)封裝市場(chǎng)，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2026年，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到482.0億美元，先進(jìn)封裝占比將達(dá)到50.2%。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年中國(guó)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模為903億元，2023年中國(guó)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1330億元，先進(jìn)封裝占比持續(xù)提升至39%。

2、中國(guó)IC測(cè)試板市場(chǎng)規(guī)模占全球比重將進(jìn)一步提升

集微咨詢預(yù)計(jì)，2025年中國(guó)IC測(cè)試板市場(chǎng)規(guī)模為5.7億美元，占全球市場(chǎng)規(guī)模的15.3%，預(yù)計(jì)到2027年中國(guó)IC測(cè)試板市場(chǎng)空間將達(dá)到6.8億美元。隨著中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造、封裝測(cè)試能力和技術(shù)的共同發(fā)展，預(yù)計(jì)中國(guó)IC測(cè)試板市場(chǎng)規(guī)模占全球比重將進(jìn)一步提升。

二、中國(guó)探針卡行業(yè)發(fā)展概況

（一）探針卡概念及類型

探針卡（Probe Card）應(yīng)用于晶圓測(cè)試階段，對(duì)晶圓上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)。探針卡是一種布滿探針的電路板，作為測(cè)試機(jī)臺(tái)和待測(cè)晶圓測(cè)試分析的接口，通過(guò)傳輸信號(hào)對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，因此每一種芯片都需要至少一片相對(duì)應(yīng)的探針卡。針對(duì)裸晶以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程，可避免不必要的封裝成本浪費(fèi)。因此，探針卡是 IC 制造中對(duì)成本控制和良率提升具有重要影響的關(guān)鍵制程之一。

將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。和探針卡一起使用的設(shè)備有：

a.測(cè)試機(jī)（Tester）：測(cè)量電氣特性的測(cè)試設(shè)備。電信號(hào)通過(guò)探針卡被發(fā)送和接收到固定在半導(dǎo)體晶片上的IC芯片；

b.探針臺(tái)（Prober）：芯片測(cè)試平臺(tái)，提供支撐、定位和步進(jìn)功能。探針卡的針自動(dòng)接觸芯片的鍵合焊盤(pán)，以測(cè)量半導(dǎo)體晶片上的IC芯片的電特性。

探針卡執(zhí)行三種測(cè)試：

a.直流測(cè)試：檢測(cè)是否存在斷路和短路；檢查I / O電壓；檢查輸出電流；

b.交流測(cè)試：檢查輸出信號(hào)的波形；

c.功能測(cè)試：檢查輸出模式；檢查寫(xiě)入數(shù)據(jù)是否可行；測(cè)量數(shù)據(jù)保存時(shí)間；檢查數(shù)據(jù)是否存在相互干擾。

探針卡主要分為三類：懸臂式（C型）、垂直式（V型）和MEMS式。其中懸臂式是傳統(tǒng)的探針卡類型，它先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹(shù)脂固定，針位較穩(wěn)定。隨著IC制程的發(fā)展，對(duì)針尖尺寸及針針間距的要求越來(lái)越高，垂直式和MEMS式先進(jìn)探針卡的需求越來(lái)越大。MEMS探針卡由于使用了MEMS的工藝，能夠?qū)⑨樇獾某叽缂搬樇忾g距做到微米量級(jí)，是目前最先進(jìn)的探針卡。

（二）探針卡市場(chǎng)規(guī)模

探針卡是半導(dǎo)體測(cè)試的核心配件之一，根據(jù)Tech Insights的數(shù)據(jù)，2018-2022 年，全球半導(dǎo)體探針卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由 16.5 億美元增長(zhǎng)至 25.4 億美元。受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體周期性波動(dòng)影響，2022 年全球半導(dǎo)體探針卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模增速放緩，2023 年規(guī)模收縮至 21.1 億美元，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣度回升以及晶圓測(cè)試重要性的增加，2024 年全球半導(dǎo)體探針卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 26.5 億美元，預(yù)計(jì)2029 年全球半導(dǎo)體探針卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 39.7 億美元。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，探針卡主要包括MEMS、垂直和懸臂等類型。其中，MEMS探針卡憑借其高精密度、高效率、優(yōu)異耐用性與穩(wěn)定性，確立了市場(chǎng)主流地位。據(jù)Tech Insights統(tǒng)計(jì)，MEMS探針卡長(zhǎng)期占據(jù)全球60%-70%的市場(chǎng)份額。相較之下，垂直探針卡與懸臂探針卡的份額較小，2024年占比分別為14.85%、9.38%。Tech Insights預(yù)計(jì)，2029年MEMS探針卡仍將保持其領(lǐng)先的市場(chǎng)地位，全球市場(chǎng)規(guī)模將增至 27.7 億美元。

中國(guó)市場(chǎng)近幾年快速崛起，根據(jù) Tech Insights的數(shù)據(jù)，2018-2022 年，中國(guó)探針卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由 1.35 億美元增長(zhǎng)至 2.97 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 21.8%，遠(yuǎn)超全球半導(dǎo)體探針卡行業(yè)同期復(fù)合增長(zhǎng)率。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣度回升以及中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，2024 年中國(guó)半導(dǎo)體探針卡市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至 3.57 億美元，同比增長(zhǎng) 69.2%。

全球半導(dǎo)體探針卡市場(chǎng)有望延續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，Yole 預(yù)測(cè)未來(lái)五年全球探針卡市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率約為 6.2%，Global Information 預(yù)計(jì)2025-2031年全球半導(dǎo)體探針卡市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率約為 7.4%。受益于國(guó)內(nèi)晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)制程與特色工藝并行發(fā)展，以及探針卡國(guó)產(chǎn)化率不斷提升，中國(guó)半導(dǎo)體探針卡市場(chǎng)增速將高于全球平均水平。

（三）探針卡行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

長(zhǎng)期以來(lái)，全球探針卡市場(chǎng)主要由境外企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)Tech Insights的統(tǒng)計(jì)，自2018年起，全球前十大探針卡供應(yīng)商始終為境外公司，合計(jì)市場(chǎng)占有率連續(xù)多年超過(guò)80%。其中，美國(guó)Form Factor、意大利Technoprobe以及日本MJC穩(wěn)居行業(yè)前三，共同占據(jù)全球一半以上的市場(chǎng)份額。

我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步相對(duì)較晚，在芯片設(shè)計(jì)與晶圓制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)仍存在一定的技術(shù)依賴，這也間接制約了國(guó)內(nèi)探針卡行業(yè)的發(fā)展步伐。據(jù)Tech Insights估算，2024年中國(guó)半導(dǎo)體探針卡市場(chǎng)規(guī)模已接近全球的15%，但本土企業(yè)的全球市占率仍低于5%，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。近年來(lái)，受?chē)?guó)際政治環(huán)境影響，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求日益凸顯，為國(guó)產(chǎn)探針卡帶來(lái)顯著的市場(chǎng)機(jī)遇，進(jìn)一步推動(dòng)了其替代進(jìn)程的提速。

（四）探針卡市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

探針卡的發(fā)展與IC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展有同步關(guān)系，如立體堆疊芯片(3D IC)、芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package CSP)、覆晶封裝（Flip Chip Package）、多芯片組合(Multi Chip Module MCM)、KGD Known Good Die ）、銅柱凸塊封裝 Copper Pillar Package ）、繪圖芯片、高頻測(cè)試需求等，均需仰賴不同的探針測(cè)試技術(shù)。綜合IC 的發(fā)展趨勢(shì)與晶圓探針卡的關(guān)系，歸納出以下十項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：

（1）針距細(xì)微化

半導(dǎo)體整體技術(shù)的演進(jìn)，將持續(xù)朝電路間隔微小化前進(jìn)。配合未來(lái)IC制程微縮及芯片面積持續(xù)縮小，晶圓探針卡將朝向更細(xì)微化針距發(fā)展，以符合IC制程技術(shù)的要求。

（2）防信號(hào)干擾

系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）已經(jīng)成為IC發(fā)展主流，未來(lái)IC制程、功能將更加復(fù)雜，包括邏輯、內(nèi)存、模擬等各種功能區(qū)塊將集中在一個(gè)芯片內(nèi)，相對(duì)地使晶圓針測(cè)技術(shù)困難度越來(lái)越高，也使得信號(hào)防干擾受到挑戰(zhàn)。

（3）適用不同半導(dǎo)體材質(zhì)與技術(shù)

對(duì)于半導(dǎo)體新制程技術(shù)的創(chuàng)新與開(kāi)發(fā)，將衍生對(duì)應(yīng)不同類型的芯片焊墊（Bonding Pad）及焊墊材質(zhì)。若待測(cè)芯片接觸焊墊材質(zhì)不同，所需探針卡技術(shù)也會(huì)有所差異。

（4）高速探針卡

因移動(dòng)通訊、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需求上升，使得高速通訊芯片需求大幅成長(zhǎng)，甚至驅(qū)動(dòng)IC也向高速信號(hào)傳遞發(fā)展。高速通訊芯片中最重要的設(shè)計(jì)考量是信號(hào)傳遞，所以信號(hào)傳遞路徑的阻抗匹配，以及信號(hào)完整性都極其重要；如何進(jìn)行探針卡的線路設(shè)計(jì)與制造精密度，以確保信號(hào)傳遞完整性，也是探針卡開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵因素。

（5）多芯片平行測(cè)試

隨著12英寸晶圓廠的快速成長(zhǎng)，IC測(cè)試廠商為了節(jié)省測(cè)試時(shí)間并提升成本效益，偏好一次接觸就能達(dá)到多芯片測(cè)試的探針卡。要達(dá)到此目的，設(shè)計(jì)芯片同測(cè)數(shù)要越高，但其DUT與DUT間的一致性也就越難達(dá)到，再加上同測(cè)面積越大，其平面度也越難控制，必須有更好的探針卡設(shè)計(jì)制造技術(shù)。

（6）Low k芯片用探針卡

當(dāng)半導(dǎo)體制程演進(jìn)至90nm時(shí)，其介電層必須使用低介電值的Low k材料以提高元件效能，故低介電系數(shù)制程技術(shù)的產(chǎn)品已經(jīng)成為主流。然而一般Low k材質(zhì)多屬于脆性多孔性材料，在晶圓針測(cè)時(shí)容易造成芯片的傷害，故如何控制探針卡的針壓范圍就非常重要。

（7）少清針

探針卡的針尖接觸品質(zhì)不佳時(shí)，將無(wú)法達(dá)到良好測(cè)試功能，必須加以清針才能繼續(xù)測(cè)試；但清針時(shí)，針尖會(huì)被磨損，探針壽命將會(huì)因此縮短。因此開(kāi)發(fā)少清針的偵探卡已經(jīng)成為產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)。

（8）高低溫測(cè)試

由于IC產(chǎn)品須適用于各種不同環(huán)境中，故晶圓測(cè)試時(shí)，必須針對(duì)高低溫進(jìn)行測(cè)試，以符合產(chǎn)品規(guī)格要求。因此，研究溫度效應(yīng)造成的探針卡變異現(xiàn)象，亦為設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)之要點(diǎn)。

（9）高功率芯片測(cè)試

高功率芯片所需測(cè)試的電流，相對(duì)于一般芯片要高出許多，此時(shí)探針卡探針的電流耐受能力就顯得非常重要。故高耐電流探針亦為設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)。

（10）低接觸電阻

為符合移動(dòng)終端減少耗電的要求，其操作電壓相對(duì)會(huì)降低，而探針卡在測(cè)試芯片時(shí)的接觸電阻就不能太高。因此低接觸電阻探針卡，亦為設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)。

三、中國(guó)負(fù)載板行業(yè)發(fā)展概況

（一）負(fù)載板概念及類型

負(fù)載板（Load Board），是自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）中的關(guān)鍵硬件組成部分，廣泛應(yīng)用于晶圓測(cè)試（CP）及成品測(cè)試（FT）環(huán)節(jié)，承擔(dān)測(cè)試信號(hào)、電源及控制通路的轉(zhuǎn)接與管理功能。CP 階段，負(fù)載板與探針卡（Probe Card）協(xié)同工作，用于連接測(cè)試機(jī)與晶圓裸片，構(gòu)成完整的測(cè)試信號(hào)鏈路，實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)與供電在 ATE 與裸片焊盤(pán)之間的可靠傳輸。負(fù)載板不僅完成物理接口轉(zhuǎn)換，還承擔(dān)信號(hào)調(diào)理、阻抗控制、電源分配及保護(hù)等功能，是晶圓測(cè)試系統(tǒng)中不可或缺的核心部件。FT 階段，負(fù)載板用于連接封裝后的芯片與測(cè)試機(jī)，通常與測(cè)試插座（Socket）及自動(dòng)上下料設(shè)備（Handler）配合使用。根據(jù)測(cè)試通量與自動(dòng)化程度不同，F(xiàn)T 可分為人工測(cè)試與自動(dòng)化測(cè)試兩類：在低通量或工程驗(yàn)證場(chǎng)景中，芯片通過(guò)人工方式插入負(fù)載板上的插座進(jìn)行測(cè)試；在量產(chǎn)測(cè)試場(chǎng)景中，則由 Handler 實(shí)現(xiàn)芯片的自動(dòng)裝載、定位與分選，芯片通過(guò)插座與負(fù)載板實(shí)現(xiàn)電氣連接。

成品測(cè)試通常包含老化前測(cè)試（Pre-Burn-in FT）與老化后測(cè)試（Post-Burn-in FT）兩個(gè)階段。老化前測(cè)試主要用于篩除封裝過(guò)程中引入的不良器件及初始電性能異常芯片；老化后測(cè)試則用于識(shí)別在加速老化條件下暴露出的早期失效器件。兩個(gè)測(cè)試階段一般采用相同的負(fù)載板配置，僅在測(cè)試程序及判定標(biāo)準(zhǔn)上有所差異。

對(duì)于高速、高頻或大功率器件，負(fù)載板的設(shè)計(jì)難度和技術(shù)要求顯著提升。為保證信號(hào)完整性和電源完整性，此類負(fù)載板在層疊結(jié)構(gòu)、布局布線、阻抗控制、差分信號(hào)等長(zhǎng)、電源去耦及熱管理等方面均需進(jìn)行專門(mén)定制設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)周期通常較長(zhǎng)，制造成本顯著高于通用型負(fù)載板，屬于半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)中的高價(jià)值定制化部件。

（二）國(guó)內(nèi)負(fù)載板市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算

負(fù)載板需求直接來(lái)源于芯片測(cè)試環(huán)節(jié)，屬于一次性或階段性資本投入，并非隨芯片顆數(shù)線性消耗，其市場(chǎng)規(guī)模主要由芯片產(chǎn)值、測(cè)試復(fù)雜度及測(cè)試強(qiáng)度共同決定。隨著芯片 Pin 數(shù)增加、接口速率提升及功耗上升，負(fù)載板由通用型接口部件逐步向高附加值、定制化系統(tǒng)級(jí)工程產(chǎn)品演進(jìn)，單板價(jià)值量持續(xù)提升。

在量產(chǎn)測(cè)試環(huán)節(jié)，測(cè)試成本主要由硬件投入、測(cè)試運(yùn)行及服務(wù)成本構(gòu)成。硬件部分包括自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備（ATE）主機(jī)、各類測(cè)試模塊以及接口硬件（包括負(fù)載板、Socket、連接器、探針等），其中，負(fù)載板在整體ATE測(cè)試成本中的占比一般在個(gè)位數(shù)至十余個(gè)百分點(diǎn)之間，在高端芯片測(cè)試場(chǎng)景下占比相對(duì)更高。

從芯片整體成本來(lái)看，量產(chǎn)測(cè)試成本在芯片總成本中占比經(jīng)多年下降后再次上升，傳統(tǒng)消費(fèi)級(jí)芯片占比不到5%，人工智能、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域?qū)π酒目煽啃?、壽命要求較高，測(cè)試成本有所上升。此外，國(guó)內(nèi)龍頭IC設(shè)計(jì)公司近三年財(cái)平均毛利率水平在40%左右。集微咨詢進(jìn)一步結(jié)合IC設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)值規(guī)模、測(cè)試成本在制造成本中的占比，以及負(fù)載板在ATE測(cè)試成本中的比重，對(duì)負(fù)載板市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)行了合理測(cè)算，預(yù)計(jì)2025年國(guó)內(nèi)負(fù)載板市場(chǎng)規(guī)模為0.97億美元，2027年將達(dá)到1.36億美元。

近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試需求快速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商在負(fù)載板領(lǐng)域已逐步實(shí)現(xiàn)從低端通用型產(chǎn)品向中高端定制化產(chǎn)品的升級(jí)。目前，國(guó)產(chǎn)廠商在模擬器件、功率器件、中低速數(shù)字芯片等應(yīng)用場(chǎng)景中，已具備較為成熟的負(fù)載板設(shè)計(jì)與交付能力；在高速 SerDes、先進(jìn)存儲(chǔ)接口及高并行測(cè)試等高端領(lǐng)域，與國(guó)際頭部廠商相比仍存在差距，主要體現(xiàn)在高頻信號(hào)完整性控制、復(fù)雜多電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及長(zhǎng)期可靠性驗(yàn)證等方面。

（三）負(fù)載板核心技術(shù)壁壘

1、高速信號(hào)完整性和電源完整性的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)及仿真能力

IC 負(fù)載板作為 ATE 與被測(cè)芯片之間的關(guān)鍵電氣接口，其核心技術(shù)壁壘主要是高速信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI）的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)與仿真能力上。隨著芯片測(cè)試頻率和接口速率持續(xù)提升，負(fù)載板需在設(shè)計(jì)階段對(duì)信號(hào)鏈路阻抗連續(xù)性、串?dāng)_、反射及時(shí)延一致性，以及電源網(wǎng)絡(luò)的 IR Drop 與瞬態(tài)噪聲進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化，以保障測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性。不僅依賴成熟的 EDA 仿真工具，更取決于對(duì)芯片 I/O 特性、Socket 行為及 ATE 架構(gòu)的綜合理解，屬于高度經(jīng)驗(yàn)驅(qū)動(dòng)的工程能力。

2、高層多層 PCB 制造工藝與材料工程能力

高性能 IC 負(fù)載板通常采用多層乃至高層數(shù) PCB 結(jié)構(gòu)，以滿足復(fù)雜信號(hào)布線、電源分配及電磁隔離需求，其制造工藝本身形成重要競(jìng)爭(zhēng)壁壘。在高速測(cè)試場(chǎng)景下，PCB 的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、線寬線距控制、層間對(duì)準(zhǔn)精度以及通孔與微盲埋孔工藝，對(duì)信號(hào)質(zhì)量和測(cè)試穩(wěn)定性具有決定性影響。同時(shí)，隨著信號(hào)速率提升，對(duì) PCB 基材介電常數(shù)穩(wěn)定性和介質(zhì)損耗的要求顯著提高，往往需要選用低損耗高頻材料或混合材料方案。具備穩(wěn)定量產(chǎn)能力的廠商通常在材料選型、制程窗口控制及長(zhǎng)期一致性管理方面形成深厚積累，新進(jìn)入者難以在短期內(nèi)復(fù)制。

IC負(fù)載板價(jià)格通常隨 PCB 層數(shù)、Pin 數(shù)及供電與信號(hào)網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜度提升呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，在高端應(yīng)用場(chǎng)景（如 AI/GPU 等高算力芯片測(cè)試）中，負(fù)載板往往采用 40 層以上高層 PCB 結(jié)構(gòu)，并涉及高厚徑比通孔及嚴(yán)格的阻抗控制要求，其單價(jià)顯著高于傳統(tǒng)通用測(cè)試板卡。

3、系統(tǒng)級(jí)集成能力與客戶驗(yàn)證壁壘

IC 負(fù)載板并非單一的PCB 產(chǎn)品，而是承載 Socket、連接器、元件、實(shí)現(xiàn)信號(hào)與電源傳輸?shù)膹?fù)雜測(cè)試接口板。不同芯片架構(gòu)、封裝形式及測(cè)試平臺(tái)對(duì)負(fù)載板的電氣、結(jié)構(gòu)和可靠性要求差異顯著，產(chǎn)品通常需經(jīng)歷多輪電性驗(yàn)證、平臺(tái)適配及可靠性測(cè)試方可導(dǎo)入量產(chǎn)。一旦通過(guò)認(rèn)證并進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段，客戶切換成本較高，具備持續(xù)工程支持能力和歷史驗(yàn)證數(shù)據(jù)積累的廠商競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。

四、中國(guó)老化板行業(yè)發(fā)展概況

（一）老化板概念及類型

老化板（Burn-in board），是用于封測(cè)后IC在特定的工況和時(shí)間內(nèi)進(jìn)行老化測(cè)試的專用PCB 板件。老化測(cè)試（Burn-in）是指通過(guò)高溫、電應(yīng)力或持續(xù)工作負(fù)載等受控條件，使芯片在一定時(shí)間內(nèi)持續(xù)運(yùn)行，加速潛在失效機(jī)制的暴露、篩除早期失效器件，從而提升產(chǎn)品出廠一致性及長(zhǎng)期可靠性，是高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域常用的量產(chǎn)測(cè)試手段。老化板作為半導(dǎo)體IC測(cè)試的載具，通過(guò) Socket等方式連接待測(cè)IC，置于測(cè)試機(jī)臺(tái)內(nèi)對(duì)IC的不同溫度、電壓、信號(hào)等進(jìn)行測(cè)試，檢驗(yàn)IC的可靠性。由于長(zhǎng)期工作于高溫、高濕等惡劣環(huán)境，老化板的品質(zhì)直接影響其使用壽命與測(cè)試穩(wěn)定性。

老化測(cè)試并非所有半導(dǎo)體產(chǎn)品的必要流程，主要集中于對(duì)可靠性、壽命及安全性要求較高的領(lǐng)域。車(chē)規(guī)芯片是量產(chǎn)老化測(cè)試最典型、標(biāo)準(zhǔn)最明確的應(yīng)用領(lǐng)域，依據(jù) AEC-Q100 等車(chē)規(guī)可靠性規(guī)范，車(chē)規(guī)芯片通常需要在量產(chǎn)階段引入老化測(cè)試流程，用于篩除早期失效器件，保障產(chǎn)品在復(fù)雜工況和長(zhǎng)使用周期下的穩(wěn)定運(yùn)行。除車(chē)規(guī)產(chǎn)品外，高可靠工業(yè)芯片、航空航天及軍工芯片亦普遍采用老化測(cè)試作為量產(chǎn)質(zhì)量控制的重要手段。在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等高端應(yīng)用中，部分關(guān)鍵芯片會(huì)根據(jù)客戶服務(wù)等級(jí)協(xié)議（SLA）及系統(tǒng)可靠性要求，選擇性引入抽樣老化或系統(tǒng)級(jí)老化測(cè)試，在可靠性保障與成本之間取得平衡。

在產(chǎn)品研發(fā)與工藝定型階段，老化測(cè)試更多用于可靠性驗(yàn)證，其中高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL）是典型代表。HTOL通過(guò)高溫、通電條件下的加速應(yīng)力測(cè)試，評(píng)估器件在長(zhǎng)期工作狀態(tài)下的壽命特性與失效機(jī)理，主要服務(wù)于產(chǎn)品認(rèn)證、工藝驗(yàn)證及客戶可靠性評(píng)估。

（二）老化板市場(chǎng)規(guī)模

1、國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)芯片市場(chǎng)規(guī)模

隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化方向演進(jìn)，全球車(chē)用半導(dǎo)體需求持續(xù)釋放，市場(chǎng)規(guī)模保持穩(wěn)健增長(zhǎng)。根據(jù)Trend Force調(diào)查，2024-2029年全球車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）約為7.4%；Global Market Insights亦預(yù)計(jì)，2025-2034年全球車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模CAGR將達(dá)到8.4%。綜合多家機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2025-2027年全球車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的年均復(fù)合增速在8%左右。預(yù)計(jì)全球車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將由2025年的約804億美元，增長(zhǎng)至2027年的938億美元。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，受新能源汽車(chē)滲透率持續(xù)提升、單車(chē)車(chē)規(guī)級(jí)芯片價(jià)值量顯著增加，以及產(chǎn)業(yè)政策和本土化配套能力不斷完善等多重因素推動(dòng)，我國(guó)車(chē)規(guī)級(jí)芯片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到約216億美元。隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化及網(wǎng)聯(lián)化水平不斷深化，中國(guó)車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體市場(chǎng)仍具備較高成長(zhǎng)性，未來(lái)復(fù)合年增長(zhǎng)率有望保持在10%-12%，整體增速高于全球平均水平，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步提升至約266億美元。

2、國(guó)內(nèi)老化板市場(chǎng)測(cè)算

老化測(cè)試（Burn-in Test）是集成電路測(cè)試環(huán)節(jié)中成本投入相對(duì)較高、但對(duì)提升產(chǎn)品出貨質(zhì)量和長(zhǎng)期可靠性具有顯著作用的關(guān)鍵流程。根據(jù)集微咨詢分析，在量產(chǎn)階段，像車(chē)規(guī)級(jí)芯片及其他高可靠性要求的產(chǎn)品，其老化測(cè)試成本通常占單顆芯片制造總成本的約3%-5%，在高功率、高電壓器件領(lǐng)域，由于應(yīng)力條件更嚴(yán)苛、測(cè)試周期更長(zhǎng)，該比例可能進(jìn)一步提升。從行業(yè)整體盈利水平來(lái)看，全球主要車(chē)規(guī)級(jí)芯片廠商，包括Infineon、NXP、STMicroelectronics、Renesas及TI，近三年行業(yè)平均毛利率分別約為55.9%、50.7%、49.6%，行業(yè)平均制造成本約占產(chǎn)品售價(jià)的50%左右。在此背景下，老化測(cè)試作為可靠性保障的重要組成部分，其成本投入在整體制造成本結(jié)構(gòu)中具備較高合理性與必要性。

老化測(cè)試投入主要由測(cè)試服務(wù)費(fèi)用及相關(guān)硬件設(shè)備折舊構(gòu)成。對(duì)于車(chē)規(guī)級(jí)、航空級(jí)等高可靠性芯片，測(cè)試過(guò)程更加依賴長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行、專業(yè)工程師經(jīng)驗(yàn)以及數(shù)據(jù)分析能力，服務(wù)性成本占比相對(duì)更高；其中，老化板（BIB）作為關(guān)鍵消耗型硬件，通常占老化測(cè)試總成本的約10%-20%。

老化測(cè)試投入主要包括測(cè)試服務(wù)與硬件折舊投入，通常較高的可靠性測(cè)試（如車(chē)規(guī)/航空等級(jí)芯片）更依賴長(zhǎng)期運(yùn)行、工程師技能、數(shù)據(jù)分析，服務(wù)性成本占比更高，老化板占比在10%-20%。

隨著汽車(chē)向智能化、電動(dòng)化方向加速演進(jìn)，車(chē)用芯片的工作環(huán)境更加復(fù)雜、系統(tǒng)安全等級(jí)持續(xù)提升，老化測(cè)試在芯片測(cè)試流程中的戰(zhàn)略重要性不斷增強(qiáng)，進(jìn)而推動(dòng)老化板（BIB）及相關(guān)可靠性測(cè)試需求呈現(xiàn)確定性的結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)。根據(jù)集微咨詢測(cè)算，2025年國(guó)內(nèi)老化板規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到0.86億美元，至2027年有望增長(zhǎng)至1.1億美元。

五、IC測(cè)試板行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及主要企業(yè)

（一）IC測(cè)試板行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

長(zhǎng)期以來(lái)全球高端芯片市場(chǎng)都由外企主導(dǎo)，進(jìn)而帶動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)的發(fā)展，使得歐美和日韓企業(yè)在半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)獲得領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體測(cè)試板因需滿足高層數(shù)、高厚徑比、小孔距等嚴(yán)苛技術(shù)要求，加工難度極大且對(duì)專業(yè)能力要求極高，導(dǎo)致高端產(chǎn)品長(zhǎng)期被少數(shù)企業(yè)壟斷，主要集中在美國(guó)、日本和韓國(guó)等地區(qū)。

IC測(cè)試板行業(yè)存在顯著的技術(shù)、資金和人才壁壘，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展以及供應(yīng)鏈自主可控戰(zhàn)略的深入推進(jìn)，本土企業(yè)正憑借對(duì)客戶需求的精準(zhǔn)把握、持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新、產(chǎn)品性能的快速迭代以及高效的本地化服務(wù)能力，不斷縮小差距，在中高端產(chǎn)品領(lǐng)域加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，市場(chǎng)份額持續(xù)提升。

（二）中國(guó)IC測(cè)試板行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)

1、雍智科技

雍智科技股份有限公司，成立于2006年，總部位于中國(guó)臺(tái)灣，于2019 年在中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市。公司專注于半導(dǎo)體測(cè)試界面與測(cè)試載板的設(shè)計(jì)與制造，核心業(yè)務(wù)涵蓋 IC負(fù)載板、老化板、探針卡等測(cè)試載板及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，覆蓋晶圓測(cè)試至封裝后量產(chǎn)測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。雍智科技以高定制化、高層數(shù)及高速信號(hào)測(cè)試載板為技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)，具備信號(hào)完整性（SI）/電源完整性（PI）仿真、多層高密度 PCB 設(shè)計(jì)及高可靠性制造能力，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 AI、高性能計(jì)算、服務(wù)器及車(chē)規(guī)芯片等測(cè)試場(chǎng)景，客戶主要包括國(guó)際及臺(tái)灣地區(qū)的 IC 設(shè)計(jì)公司、封測(cè)廠及測(cè)試服務(wù)供應(yīng)商。

2、中華精測(cè)

中華精測(cè)成立于2005年，總部位于中國(guó)臺(tái)灣，于2016 年在中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市，其核心產(chǎn)品為探針卡、負(fù)載板、老化板等，主要服務(wù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)客戶。公司中通過(guò)自主研發(fā)設(shè)計(jì)、制造、組裝及技術(shù)服務(wù)構(gòu)建了獨(dú)特的 All In House商業(yè)模式，在探針材料、探針卡設(shè)計(jì)及測(cè)試介面技術(shù)方面積累了完整技術(shù)體系，以滿足高速、大腳數(shù)、高可靠性芯片測(cè)試需求。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)處理器、AI 芯片、高性能計(jì)算（HPC）及車(chē)規(guī)等測(cè)試場(chǎng)景，并持續(xù)借助AI智能設(shè)計(jì)平臺(tái)提升探針卡設(shè)計(jì)效率與性能。

3、旺矽科技

旺矽科技成立于 1995 年，總部位于中國(guó)臺(tái)灣，于 2003 年在中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市。旺矽科技致力于提供探針卡測(cè)試方案、LED 及光電測(cè)試解決方案，主要服務(wù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)客戶，拓展美國(guó)、日本、歐洲及中國(guó)大陸市場(chǎng)。

4、興森科技

興森科技，1993年廣州快捷線路板有限公司（前身）成立，2010年上市。公司堅(jiān)持以傳統(tǒng) PCB 業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為發(fā)展核心，主要產(chǎn)品包括PCB、IC封裝基板、半導(dǎo)體測(cè)試板。2015年興森香港取得美國(guó)納斯達(dá)克上市公司 Xcerra Corporation半導(dǎo)體測(cè)試板相關(guān)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品涵蓋測(cè)試負(fù)載板、老化測(cè)試板、探針卡等，可為晶圓測(cè)試及封裝后量產(chǎn)測(cè)試提供定制化整體解決方案，客戶包括國(guó)際及國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體廠商。

5、季豐電子

上海季豐電子股份有限公司，成立于2008年，專攻 CP 載板、Load board、HTOL Board、SLT測(cè)試板、芯片封裝等半導(dǎo)體測(cè)試載板仿真，同時(shí)對(duì)外開(kāi)放全領(lǐng)域仿真服務(wù)，以精準(zhǔn)分析助力研發(fā)提效、降本減錯(cuò)。公司ATE測(cè)試業(yè)務(wù)可為客戶提供從開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)的全流程一站式解決方案，依托2500平米的測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、15000平米的測(cè)試與可靠性量產(chǎn)基地，以及經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，可以提供射頻、高速、SOC芯片的晶圓級(jí)、封裝級(jí)、系統(tǒng)級(jí)的測(cè)試方案，包括測(cè)試開(kāi)發(fā)、全套測(cè)試硬件（如LB，Probe Card，Socket，ChangeKit）工程借機(jī)、特性分析、良率提升、工程批測(cè)試、可盒性回測(cè)等服務(wù)，可以為客戶提供從研發(fā)到量產(chǎn)的無(wú)縫銜接。

6、上海澤豐

上海澤豐半導(dǎo)體科技有限公司，成立于2015年，以 PCB 業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)拓展探針卡相關(guān)業(yè)務(wù)。公司聚焦半導(dǎo)體測(cè)試板、MEMS探針卡和基于陶瓷基板的先進(jìn)封裝，客戶包括全球集成電路芯片設(shè)計(jì)公司、封裝測(cè)試廠、晶圓制造廠。

7、強(qiáng)一股份

強(qiáng)一半導(dǎo)體（蘇州）股份有限公司，成立于2015年，是中國(guó)大陸少數(shù)具備自主 MEMS 探針制造及探針卡設(shè)計(jì)能力的企業(yè)。公司核心產(chǎn)品包括 MEMS 探針卡、懸臂探針卡、垂直探針卡，廣泛應(yīng)用于晶圓電性測(cè)試環(huán)節(jié)。公司擁有自主研發(fā)與批量生產(chǎn)能力，能夠滿足高密度、高可靠性測(cè)試需求，其客戶主要覆蓋中國(guó)大陸的 IC設(shè)計(jì)公司、晶圓代工廠及封裝測(cè)試廠。

六、IC測(cè)試板市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

隨著集成電路制程持續(xù)演進(jìn)、芯片集成度和功能復(fù)雜度不斷提升，IC 測(cè)試板在密度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性方面同步提高，需圍繞客戶具體芯片產(chǎn)品進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)，與通用 PCB 在技術(shù)特征和服務(wù)對(duì)象上存在顯著差異。

IC 測(cè)試板普遍具有線路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、精細(xì)度高、產(chǎn)品迭代周期短、工程響應(yīng)速度要求高等特點(diǎn)，主要服務(wù)于全球主流半導(dǎo)體客戶，整體技術(shù)門(mén)檻較高。作為芯片量產(chǎn)測(cè)試體系中的關(guān)鍵載體，IC 測(cè)試板在保障測(cè)試可靠性、測(cè)試覆蓋率和測(cè)試吞吐效率方面發(fā)揮核心作用，其設(shè)計(jì)與制造能力直接影響先進(jìn)制程芯片的量產(chǎn)良率和測(cè)試效率。

1. 定制化特征持續(xù)強(qiáng)化

隨著芯片在封裝形式、引腳數(shù)量、接口類型及供電結(jié)構(gòu)等方面差異不斷擴(kuò)大，IC 測(cè)試板難以實(shí)現(xiàn)跨型號(hào)通用，需圍繞具體芯片產(chǎn)品進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)。特別是在先進(jìn)邏輯芯片、AI 芯片及高端 SoC 領(lǐng)域，測(cè)試板往往需要在芯片設(shè)計(jì)或封裝階段即介入，與測(cè)試方案同步開(kāi)發(fā)。IC 測(cè)試板由標(biāo)準(zhǔn)化配套件逐步演進(jìn)為與芯片產(chǎn)品高度綁定的定制化測(cè)試載體，定制化設(shè)計(jì)能力和工程協(xié)同能力成為行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)條件。

2. 高端負(fù)載板需求增長(zhǎng)，推動(dòng)測(cè)試板技術(shù)水平整體提升

負(fù)載板（Load Board）作為 ATE 測(cè)試系統(tǒng)與被測(cè)芯片之間的高速電氣接口，其技術(shù)要求隨芯片性能和集成度提升而不斷提高。在 AI、GPU、服務(wù)器及高速通信芯片等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，高 I/O 數(shù)量、高速接口芯片加速普及，對(duì)負(fù)載板在層數(shù)、布線密度、阻抗控制以及信號(hào)完整性等方面提出更高要求。高端負(fù)載板通常采用多層高密度 PCB 結(jié)構(gòu)，結(jié)合微線寬線距設(shè)計(jì)和高厚徑比鉆孔工藝，并依賴成熟的高速信號(hào)與電源完整性仿真能力，對(duì)材料性能和制造工藝標(biāo)準(zhǔn)要求較高。負(fù)載板技術(shù)難度和應(yīng)用規(guī)模的同步提升，正持續(xù)推動(dòng) IC 測(cè)試板行業(yè)向高層數(shù)、高速接口和高可靠性方向發(fā)展。

3. 老化測(cè)試需求擴(kuò)大，老化板向高可靠性方向演進(jìn)

老化板（Burn-in Board, BIB）主要用于芯片在高溫、高應(yīng)力條件下的長(zhǎng)期老化測(cè)試，其需求與芯片應(yīng)用領(lǐng)域高度相關(guān)。隨著汽車(chē)電子、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心及功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域?qū)π酒煽啃砸蟛粩嗵岣?，老化測(cè)試在芯片量產(chǎn)流程中的重要性持續(xù)增強(qiáng)。相應(yīng)地，老化板在耐高溫能力、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及 Socket 密度等方面不斷升級(jí)，以適應(yīng)更嚴(yán)苛的測(cè)試環(huán)境。老化板正由傳統(tǒng)測(cè)試輔助工具，逐步發(fā)展為高可靠性芯片測(cè)試體系中的關(guān)鍵組成部分。

4. 系統(tǒng)板應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展

隨著 SoC 集成度提升和應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜化，傳統(tǒng) ATE 測(cè)試在部分系統(tǒng)功能驗(yàn)證方面存在覆蓋不足的情況，系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（System Level Test, SLT）的重要性逐步凸顯。系統(tǒng)板通過(guò)模擬芯片在終端產(chǎn)品中的實(shí)際運(yùn)行環(huán)境，對(duì)芯片進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)功能和穩(wěn)定性驗(yàn)證，在高端 SoC 和復(fù)雜應(yīng)用芯片測(cè)試中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著系統(tǒng)級(jí)測(cè)試在量產(chǎn)測(cè)試流程中的比重提升，系統(tǒng)板需求呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。

5. 從單一制造向“一站式測(cè)試板解決方案”升級(jí)

在定制化程度提升和測(cè)試要求不斷提高的背景下，IC 測(cè)試板行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局正逐步發(fā)生變化。下游客戶對(duì)測(cè)試板供應(yīng)商的要求，從單一板卡交付，轉(zhuǎn)向覆蓋負(fù)載板、老化板及系統(tǒng)板等多類型產(chǎn)品的綜合能力，對(duì)多品類協(xié)同設(shè)計(jì)、快速響應(yīng)和穩(wěn)定交付能力提出更高要求。一站式測(cè)試板解決方案有助于縮短測(cè)試方案驗(yàn)證周期、降低系統(tǒng)集成與匹配風(fēng)險(xiǎn)，提升測(cè)試體系整體穩(wěn)定性與協(xié)同效率，推動(dòng) IC 測(cè)試板行業(yè)由單一制造能力競(jìng)爭(zhēng)向綜合化、系統(tǒng)化能力競(jìng)爭(zhēng)演進(jìn)。