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過去十年，臺(tái)積電是GaN行業(yè)的隱形支柱，臺(tái)積電是全球唯一一家能夠提供高低壓雙襯底GaN解決方案的晶圓代工廠。納微半導(dǎo)（Navitas）、羅姆（ROHM）等頭部玩家的旗艦產(chǎn)品，無一不誕生于臺(tái)積電的6英寸及8英寸生產(chǎn)線。然而，2025 年 7 月，臺(tái)積電對(duì)外明確，將逐步退出GaN foundry服務(wù)，并計(jì)劃在2027年7月31日徹底完成退出。

因?yàn)榕_(tái)積電的這一決定，GaN的江湖格局正在被改寫。

二線晶圓廠加緊接盤

隨著臺(tái)積電退出，GaN 純代工正在從“先進(jìn)代工牽引”，轉(zhuǎn)向特色工藝晶圓廠主導(dǎo)。一批具備成熟工藝、成本優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)期產(chǎn)能規(guī)劃能力的二線晶圓代工廠，正加速承接其釋放出的產(chǎn)能空位，成為新一輪 GaN 制造能力再配置的核心承載者。

格芯（GF）是這一輪接盤中最具戰(zhàn)略意味的玩家之一。其在 2025 年 11 月 10 日官宣，已與臺(tái)積電簽署 GaN 技術(shù)授權(quán)協(xié)議，覆蓋 650V（高壓）與 80V（低壓）兩類電源工藝，并給出明確節(jié)奏：目標(biāo)在 2026 年底前進(jìn)入可用階段。與此同時(shí)，GF 正將佛蒙特州工廠定位為美國戰(zhàn)略性 GaN 生產(chǎn)中心，并獲得超過 8000 萬美元的聯(lián)邦政府資金支持。這一布局并非單純的商業(yè)擴(kuò)產(chǎn)，而是將 GaN 明確納入美國本土功率半導(dǎo)體與能源基礎(chǔ)設(shè)施體系之中。

作為臺(tái)積電的子公司，世界先進(jìn)（VIS）于2026年1月28日官宣：已與臺(tái)積電簽署GaN技術(shù)授權(quán)協(xié)議，同樣覆蓋 650V與 80V，并強(qiáng)調(diào)其將擴(kuò)展 GaN-on-Si 能力，形成“高低壓+多襯底”的組合敘事。VIS的定位非常明確：利用成熟的8英寸產(chǎn)能，承接臺(tái)積電退出的中低毛利訂單，成為全球GaN代工的新重心。

臺(tái)積電通過技術(shù)授權(quán)精準(zhǔn)地扶持了一批繼任者，其定義的工藝標(biāo)準(zhǔn)依然是事實(shí)上的行業(yè)準(zhǔn)則。即便不再代工，它依然掌握著該領(lǐng)域的話語權(quán)和專利費(fèi)分成。

在下游客戶層面，作為臺(tái)積電曾經(jīng)最大的 GaN 客戶，納微半導(dǎo)（Navitas）的應(yīng)對(duì)路徑，清晰映射了 Fabless GaN 廠商的現(xiàn)實(shí)選擇。隨著臺(tái)積電 2027 年停產(chǎn)節(jié)點(diǎn)逐步明確，Navitas 已迅速啟動(dòng)供應(yīng)鏈“備胎計(jì)劃”。

一方面與力積電（PSMC）達(dá)成量產(chǎn)合作。Navitas在2025年7月1日博文/公告中披露，與力積電（PSMC）規(guī)劃 200mm GaN-on-Si 生產(chǎn)，100V 產(chǎn)品預(yù)計(jì)在 2026 年上半年率先量產(chǎn)；650V 產(chǎn)品將從其“現(xiàn)有供應(yīng)商 TSMC”向 PSMC 在未來 12–24 個(gè)月內(nèi)逐步轉(zhuǎn)移。并且納微把GaN需求直接對(duì)準(zhǔn) 48V 基礎(chǔ)設(shè)施、超大規(guī)模 AI 數(shù)據(jù)中心與電動(dòng)車。

另一方面，Navitas 亦加深與格芯佛蒙特州產(chǎn)線的綁定關(guān)系，以進(jìn)一步分散制造風(fēng)險(xiǎn)。

從更廣泛的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)看，臺(tái)積電的退出并未削弱 GaN 的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，反而推動(dòng)其制造能力向更廣泛的特色工藝體系擴(kuò)散，產(chǎn)能遍地開花。例如，2025 年 9 月，德國代工廠 X-Fab 正式推出 GaN-on-Si 晶圓代工服務(wù)，覆蓋 MPW、原型制作及批量生產(chǎn)，進(jìn)一步補(bǔ)齊歐洲在功率 GaN 代工側(cè)的能力拼圖。

當(dāng) GaN 不再依賴單一頂級(jí)先進(jìn)代工廠，而是分布在 GF、VIS、PSMC、X-Fab 等多家特色工藝晶圓廠之中，其結(jié)果并非技術(shù)降級(jí)，而是 GaN 正式進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)業(yè)擴(kuò)散階段：產(chǎn)能來源更加多元，供應(yīng)瓶頸被打破，F(xiàn)abless 與 IDM 均可在更可控的制造體系中制定中長(zhǎng)期產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)業(yè)鏈的整體彈性與覆蓋面顯著提升。

IDM模式，羅姆的選擇

此前一直將650V耐壓產(chǎn)品的前道工序委托給臺(tái)積電的羅姆，近日在2026年2月4日舉行的財(cái)報(bào)說明會(huì)上，羅姆社長(zhǎng)東克己在回答《EE Times Japan》的提問時(shí)透露：“考慮到我司此前一直與臺(tái)積電共同開發(fā)的淵源，我們已轉(zhuǎn)向從臺(tái)積電購買許可、進(jìn)行自主生產(chǎn)的方向。”

生產(chǎn)將在羅姆半導(dǎo)體位于日本中部城市濱松的子公司進(jìn)行。濱松以其制造業(yè)傳統(tǒng)而聞名，羅姆半導(dǎo)體計(jì)劃在那里建立一條新的8英寸（200毫米）晶圓生產(chǎn)線，專門用于生產(chǎn)氮化鎵器件。

與此同時(shí)，羅姆也為潛在的需求超預(yù)期情形預(yù)留了產(chǎn)能彈性方案：在必要情況下，可將部分產(chǎn)能外包至臺(tái)積電子公司世界先進(jìn)（VIS），以平衡交付節(jié)奏與制造風(fēng)險(xiǎn)。

在 GaN 領(lǐng)域，IDM 路線的代表并不只有羅姆。包括英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等功率半導(dǎo)體廠商，均在不同程度上將 GaN 納入自身 IDM 體系之中。盡管各家在外延獲取、晶圓尺寸和工藝節(jié)奏上存在差異，但其共同特征是：核心工藝與關(guān)鍵產(chǎn)能不完全外包，強(qiáng)調(diào)器件可靠性、壽命與系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證能力，優(yōu)先服務(wù)車規(guī)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施等長(zhǎng)周期市場(chǎng)。這一取向與 GaN 器件在高壓、高可靠應(yīng)用中的技術(shù)屬性高度契合。相較于以成本與彈性見長(zhǎng)的純代工模式，IDM 廠商更容易在材料選擇、器件結(jié)構(gòu)、電性一致性與失效率控制上形成長(zhǎng)期積累。

羅姆的選擇并不只是一次供應(yīng)鏈調(diào)整，而是把 GaN 從“高度依賴先進(jìn)代工廠的特色工藝”，重新拉回到以 IDM 為主導(dǎo)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邏輯之中。這種路徑也與日本半導(dǎo)體廠商長(zhǎng)期強(qiáng)調(diào)的制造掌控力、品質(zhì)穩(wěn)定性與長(zhǎng)期可靠交付的經(jīng)營哲學(xué)保持高度一致。

GaN需求沒塌，反而變的更熱

很多人會(huì)誤讀成“臺(tái)積電不做了 → GaN 需求會(huì)塌”。現(xiàn)實(shí)更可能相反。由于其優(yōu)異的材料特性（包括高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)和優(yōu)異的導(dǎo)熱性），氮化鎵正迅速從消費(fèi)級(jí)快速充電應(yīng)用擴(kuò)展到要求更高的工業(yè)和先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心、新能源汽車和人形機(jī)器人。Yole預(yù)計(jì)到2030年GaN市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約30億美元。從2024年到2030年，該市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)令人矚目的42%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。

• 從市場(chǎng)細(xì)分來看，消費(fèi)領(lǐng)域仍是當(dāng)前最大的出貨來源，尤其是功率高達(dá) 300W 的快充設(shè)備，以及 OVP、家電電源等新興應(yīng)用。預(yù)計(jì)到 2030 年，消費(fèi)與移動(dòng)領(lǐng)域合計(jì)仍將貢獻(xiàn)50%以上的市場(chǎng)份額。但需要注意的是，這一部分更多體現(xiàn)的是規(guī)模效應(yīng)，而非技術(shù)牽引的上限空間。

• 汽車與出行領(lǐng)域則展現(xiàn)出更強(qiáng)的成長(zhǎng)彈性。盡管短期受到 xEV 市場(chǎng)節(jié)奏放緩的影響，但 Yole 預(yù)計(jì)，該領(lǐng)域在 2024–2030 年期間仍將實(shí)現(xiàn) 73% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率。2025年12月8日，采用英諾賽科650V氮化鎵的新一代6.6kWOBC系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車順利裝車，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的充電效率和整機(jī)功率密度，為車載電源技術(shù)樹立了新標(biāo)桿。目前，GaN 已在 ADAS 系統(tǒng)中的 LiDAR 電源環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)落地，未來有望進(jìn)一步擴(kuò)展至車載充電器（<11kW）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、車載音頻系統(tǒng)以及高端電動(dòng)車平臺(tái)。到 2030 年，該領(lǐng)域預(yù)計(jì)將占據(jù)約19%的市場(chǎng)份額。

• 真正改變 GaN 產(chǎn)業(yè)定位的，是數(shù)據(jù)中心。AI 負(fù)載的快速增長(zhǎng)，使電源系統(tǒng)從“配套環(huán)節(jié)”躍升為系統(tǒng)效率的關(guān)鍵瓶頸。在 3kW 以上的電源單元中，GaN 在體積、能效和運(yùn)行成本方面的優(yōu)勢(shì)開始顯性化。2025年，英偉達(dá)發(fā)布新一代數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，隨之帶動(dòng)了包括德州儀器、納微半導(dǎo)、英飛凌、英諾賽科、安森美在內(nèi)的一批功率半導(dǎo)體廠商協(xié)同推進(jìn)GaN在800V高壓直流（HVDC）電源系統(tǒng)中的導(dǎo)入。預(yù)計(jì)到 2030 年，數(shù)據(jù)中心與電信領(lǐng)域?qū)⒇暙I(xiàn) 約 13%的 GaN 市場(chǎng)規(guī)模，但其技術(shù)外溢效應(yīng)遠(yuǎn)高于表觀占比。

那話又說回來，為什么臺(tái)積電反而選擇退出？答案并不復(fù)雜：不是 GaN 不重要，而是“不夠重要”。即便GaN制造業(yè)務(wù)保持高速增長(zhǎng)，其體量與利潤(rùn)水平，仍難以與臺(tái)積電的核心業(yè)務(wù)——服務(wù)于從大模型訓(xùn)練到自動(dòng)駕駛的尖端 AI 處理器制造——相提并論。臺(tái)積電已計(jì)劃將新竹Fab 5（現(xiàn)有 GaN 產(chǎn)線）改造為先進(jìn)封裝基地，用于承接CoWoS等需求快速擴(kuò)張的封裝工藝。這些能力直接服務(wù)于英偉達(dá)等客戶的AI芯片交付，是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)鏈中單位產(chǎn)能價(jià)值密度最高的環(huán)節(jié)。

簡(jiǎn)言之，臺(tái)積電并非“看空 GaN”，而是選擇了 AI 時(shí)代的黃金，而非 GaN 的白銀。

大陸GaN制造版圖

作為 IDM 型 GaN 玩家，英諾賽科擁有全球最大規(guī)模的 8 英寸 GaN-on-Si 產(chǎn)能，并已形成從外延、生長(zhǎng)、器件到量產(chǎn)交付的完整閉環(huán)。這一點(diǎn)，使其在當(dāng)前 GaN 從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心、AI 服務(wù)器等高功率密度場(chǎng)景遷移的過程中，占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

2026 年 2 月 3 日，英諾賽科宣布其 GaN 產(chǎn)品已完成谷歌 AI 硬件平臺(tái)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)導(dǎo)入，并簽署正式合規(guī)供應(yīng)協(xié)議。而早在去年8月，英諾賽科還披露了與英偉達(dá)的合作，聯(lián)合推動(dòng)800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化落地。這些合作重點(diǎn)直指AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)、高門檻市場(chǎng)。

在產(chǎn)業(yè)協(xié)同層面，英諾賽科并未封閉自身能力：與 STMicroelectronics開展 GaN 技術(shù)開發(fā)與制造合作；與安森美簽署戰(zhàn)略 MoU，將其成熟的 200 mm GaN-on-Si 工藝，與后者在系統(tǒng)集成和封裝上的能力結(jié)合。這使英諾賽科在大陸 GaN 產(chǎn)業(yè)鏈中，逐步扮演起“事實(shí)上的產(chǎn)能與工藝中心”角色，而不僅僅是一家 IDM。

除英諾賽科之外，大陸GaN制造的另一條主線，是以代工為核心的多路徑并行發(fā)展。

三安集成依托三安光電在 LED 與化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的長(zhǎng)期積累，是國內(nèi)最早提供 GaN 代工服務(wù)的廠商之一。其工藝覆蓋射頻（RF）與功率（Power）兩大方向，在基站射頻前端、低功耗快充等市場(chǎng)已實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨。

芯聯(lián)集成近年來在車規(guī)級(jí) GaN 上的投入尤為突出。隨著臺(tái)積電明確收縮 GaN 代工布局，原本依賴其進(jìn)行 8 英寸、車規(guī)級(jí)制造的設(shè)計(jì)公司，正在尋找替代方案，芯聯(lián)集成正處在這一“承接窗口”的中心位置。

賽微電子通過收購瑞典 Silex，并在國內(nèi)布局產(chǎn)線，其子公司聚能晶源在 GaN 外延與代工領(lǐng)域形成了較高的技術(shù)壁壘，重點(diǎn)覆蓋高端工業(yè)與通信應(yīng)用。

華潤(rùn)微是典型的老牌 IDM 轉(zhuǎn)型，擁有成熟的 6 英寸和正在爬坡的 8 英寸線，主打中低壓消費(fèi)電子市場(chǎng)，勝在供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。

可以說，大陸已經(jīng)從GaN產(chǎn)業(yè)的邊緣角色，進(jìn)入到全球制造版圖中不可忽視的結(jié)構(gòu)性力量階段。

總結(jié)

回看這一輪格局重塑，臺(tái)積電的退出并沒有終結(jié) GaN，反而加速了它從“依附先進(jìn)代工的特色工藝”，走向獨(dú)立、自洽、可擴(kuò)散的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

一方面，GaN 制造正在去中心化：從單一頂級(jí)先進(jìn)代工廠，轉(zhuǎn)向 GF、VIS、PSMC、X-Fab 以及大陸多家廠商并行承載；從“誰能把工藝做到最極限”，轉(zhuǎn)向“誰能穩(wěn)定交付、誰能長(zhǎng)期供貨、誰能承受系統(tǒng)級(jí)責(zé)任”。

另一方面，產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)正在重新分配：IDM 廠商重新掌控核心工藝與關(guān)鍵產(chǎn)能，F(xiàn)abless 廠商獲得更具彈性的制造選擇，而特色工藝晶圓廠則找到了明確且可持續(xù)的價(jià)值錨點(diǎn)。

更重要的是，GaN 的應(yīng)用結(jié)構(gòu)正在發(fā)生質(zhì)變——從快充等消費(fèi)級(jí)“規(guī)模市場(chǎng)”，邁入數(shù)據(jù)中心、車載電源與能源基礎(chǔ)設(shè)施等高可靠、高責(zé)任、高驗(yàn)證成本的系統(tǒng)級(jí)場(chǎng)景。這一轉(zhuǎn)向，決定了 GaN 不再只是“有沒有性能優(yōu)勢(shì)”的問題，而是“誰能為系統(tǒng)效率、壽命與交付負(fù)責(zé)”的問題。

從這個(gè)角度看，臺(tái)積電的離場(chǎng)，并不是 GaN 的退潮信號(hào)，而是它完成早期技術(shù)驗(yàn)證之后，進(jìn)入產(chǎn)業(yè)成熟期的標(biāo)志性節(jié)點(diǎn)。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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