公眾號(hào)記得加星標(biāo)??，第一時(shí)間看推送不會(huì)錯(cuò)過。

由于化合物半導(dǎo)體在功率、射頻和光子學(xué)方面具有明顯的性能優(yōu)勢(shì)，因此其發(fā)展勢(shì)頭持續(xù)強(qiáng)勁。

在2026年的展望中，襯底和開放式外延片層面的增長(zhǎng)情況進(jìn)行了重新評(píng)估，盡管短期內(nèi)面臨價(jià)格壓力和應(yīng)用時(shí)機(jī)調(diào)整，但n型SiC和InP仍將引領(lǐng)強(qiáng)勁的長(zhǎng)期增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)CS襯底市場(chǎng)總額將從2025年的12.9億美元增長(zhǎng)到2031年的27.9億美元（年復(fù)合增長(zhǎng)率14%），而開放式外延片市場(chǎng)將從11億美元增長(zhǎng)到23.9億美元（年復(fù)合增長(zhǎng)率14%）。

功率應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，其中n型碳化硅(SiC)憑借電動(dòng)汽車電氣化、800V架構(gòu)以及8英寸晶圓的加速普及而推動(dòng)增長(zhǎng)，盡管產(chǎn)能過剩和汽車行業(yè)增速放緩短期內(nèi)會(huì)對(duì)價(jià)格構(gòu)成壓力。功率氮化鎵(GaN)的應(yīng)用范圍已從消費(fèi)級(jí)快速充電擴(kuò)展到汽車和數(shù)據(jù)中心，但其外延晶圓市場(chǎng)規(guī)模仍小于碳化硅。

射頻市場(chǎng)保持穩(wěn)定，主要由手機(jī)領(lǐng)域的砷化鎵（GaAs）和電信及國防領(lǐng)域的氮化鎵（GaN）主導(dǎo)，短期內(nèi)增長(zhǎng)空間有限，但向6G時(shí)代穩(wěn)步邁進(jìn)。光子學(xué)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為強(qiáng)勁，主要受人工智能數(shù)據(jù)中心和帶寬升級(jí)的推動(dòng)，加速了磷化銦（InP）的普及、6英寸平臺(tái)和高速激光器的應(yīng)用。

LED 技術(shù)仍然成熟且價(jià)值較低，而 MicroLED 的普及將在本世紀(jì)晚些時(shí)候在更現(xiàn)實(shí)的預(yù)期下重新開始，首先應(yīng)用于可穿戴設(shè)備和 AR 領(lǐng)域。

可擴(kuò)展平臺(tái)和應(yīng)用塑造化合物半導(dǎo)體的未來

化合物半導(dǎo)體在眾多終端應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在汽車市場(chǎng)銷量巨大、人工智能數(shù)據(jù)中心快速擴(kuò)張以及移動(dòng)、消費(fèi)和電信領(lǐng)域需求穩(wěn)定增長(zhǎng)的推動(dòng)下，各種材料的供應(yīng)鏈正在重塑。電力電子是增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)力，這得益于自2020年代初以來對(duì)功率碳化硅(SiC)的大量投資以及近期在功率氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的戰(zhàn)略舉措。

碳化硅（SiC）的增長(zhǎng)得益于產(chǎn)能規(guī)模的擴(kuò)大以及晶圓尺寸從6英寸向8英寸的過渡，新的中國晶圓和外延片供應(yīng)商的加入提升了成本競(jìng)爭(zhēng)力，并滿足了開放市場(chǎng)對(duì)8英寸晶圓的需求。功率氮化鎵（GaN）正朝著混合型IDM和無晶圓/代工廠模式轉(zhuǎn)變，一些代工廠退出市場(chǎng)，而新的廠商則憑借其內(nèi)部外延技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)；IDM廠商將GaN視為數(shù)據(jù)中心滲透的戰(zhàn)略性技術(shù)。

移動(dòng)和電信射頻市場(chǎng)保持穩(wěn)定，GaAs 和 GaN 增長(zhǎng)溫和，市場(chǎng)重點(diǎn)在于整合而非擴(kuò)張。

受人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)，光子學(xué)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭，加速了高速激光器向 6 英寸 InP 的過渡。

LED和microLED技術(shù)已趨于成熟和集中，垂直整合至關(guān)重要，尤其是在microLED進(jìn)軍高端可穿戴設(shè)備領(lǐng)域之際。更大的襯底尺寸加劇了純化合物半導(dǎo)體廠商和硅晶圓廠之間的競(jìng)爭(zhēng)，而中國廠商則繼續(xù)構(gòu)建端到端的化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，以滿足國內(nèi)外的需求。

根據(jù)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整，以適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景

化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs、InP）在功率、射頻、光子學(xué)和顯示等領(lǐng)域不斷擴(kuò)展，日益推動(dòng)著超越硅的系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新。

該行業(yè)的路線圖由晶圓尺寸縮小、產(chǎn)能建設(shè)以及在襯底和外延方面的成本降低努力所定義。

SiC 不斷縮小尺寸，達(dá)到 6 英寸，并加速采用 8 英寸，新的方法旨在降低成本并提高材料利用率。

GaN 受益于與 CMOS 兼容的 GaN-on-Si 技術(shù)，推動(dòng)晶圓尺寸增大，從而提高可擴(kuò)展性和降低成本。

在射頻和光子學(xué)領(lǐng)域，平臺(tái)過渡仍然緩慢（GaAs 保持標(biāo)準(zhǔn)化，InP 向 6 英寸方向發(fā)展），而 MicroLED 的發(fā)展勢(shì)頭正在增強(qiáng)，有望在未來十年實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，襯底的演進(jìn)是關(guān)鍵的推動(dòng)因素。

https://www.yolegroup.com/product/report/status-of-the-compound-semiconductor-industry-2026---focus-on-substrates-and-epiwafers/?utm_source=PR&utm_medium=email&utm_campaign=PR_Status-of-Compound_Feb2026

（來源：編譯自Yole）

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第4327期內(nèi)容，歡迎關(guān)注。

加星標(biāo)??第一時(shí)間看推送

求推薦