內(nèi)容提要：

英偉達(dá)CEO黃仁勛預(yù)告，將于2026年下半年投產(chǎn)，2028年推出全球首款1.6納米AI芯片“Feynman”，采用臺(tái)積電A16制程與背面供電技術(shù)，算力與能效大幅躍升。此舉將加速全球AI迭代，鞏固英偉達(dá)霸主地位，同時(shí)對(duì)大陸芯片制造業(yè)形成嚴(yán)峻考驗(yàn)，倒逼國(guó)產(chǎn)替代加速與政策加碼。

一、英偉達(dá)黃仁勛預(yù)告AI芯片大黑馬——首款1.6納米芯片AI GPU問(wèn)世。

科技界爆出春雷，芯片行業(yè)線程繼續(xù)突破！2月26日（周四），英偉達(dá)（NVIDIA）CEO黃仁勛親自預(yù)告AI芯片首個(gè)大黑馬——世界前所未見(jiàn)的首款1.6納米芯片的全新芯片架構(gòu)Feynman，將在臺(tái)積電投產(chǎn)。

周四下午，中時(shí)新聞網(wǎng)報(bào)道稱，英偉達(dá)年度技術(shù)盛會(huì)“GTC 2026”定于3月16日至19日在美國(guó)加州圣荷西登場(chǎng)，英偉達(dá)CEO黃仁勛在宣布這一消息的同時(shí)向媒體預(yù)告稱，本屆“GTC 2026”大會(huì)的重頭戲?qū)⑹前l(fā)表世界前所未見(jiàn)的全新芯片架構(gòu)Feynman，該產(chǎn)品是全球首款導(dǎo)入臺(tái)積電1.6納米的A16先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)Feynman芯片將于2028年正式投入市場(chǎng)，成為全球首款邁入1.6納米里程碑的革命性AI GPU。

Feynman將銜接已量產(chǎn)的Blackwell，以及預(yù)計(jì)于2026年問(wèn)世的Rubin架構(gòu)，成為英偉達(dá)下一世代人工智能數(shù)據(jù)中心GPU的旗艦產(chǎn)品。這不僅是英偉達(dá)首度切入1.6納米級(jí)制程，更標(biāo)志著AI算力進(jìn)入全新紀(jì)元。

為了克服先進(jìn)制程的物理限制，F(xiàn)eynman 將采用“超級(jí)電軌”（Super Power Rail， SPR）技術(shù)，將供電線路移至晶圓背面，使邏輯密度提升約10%、功耗降低約15%，同時(shí)解決了長(zhǎng)期困擾半導(dǎo)體業(yè)已久的SRAM壓縮瓶頸。即透過(guò)新技術(shù)讓原本難以壓縮的內(nèi)存單元成功瘦身，釋放出更多芯片空間來(lái)堆疊算力。

此外，市場(chǎng)盛傳Feynman可能整合類LPU（語(yǔ)言處理單元）技術(shù)，強(qiáng)化對(duì)大型語(yǔ)言模型（LLM）與生成式AI推理任務(wù)的專項(xiàng)加速能力。Nvidia最近收購(gòu)了Groq。這有望為大型語(yǔ)言模型工作負(fù)載帶來(lái)巨大的性能提升。不過(guò)，具體架構(gòu)與技術(shù)細(xì)節(jié)，仍待英偉達(dá)在2026年GTC大會(huì)上正式揭曉。

傳英偉達(dá)也接觸英特爾代工。

在芯片產(chǎn)能布局方面，臺(tái)積電正為16A制程積極擴(kuò)充產(chǎn)能，而英偉達(dá)已取得A16的獨(dú)家量產(chǎn)權(quán)，據(jù)目前時(shí)間表，F(xiàn)eynman預(yù)計(jì)于2026年下半年投產(chǎn)、2028年啟動(dòng)出貨，但由于先進(jìn)制程高度復(fù)雜，客戶端的終端交付可能延后至2029至2030年。

值得注意的是，市場(chǎng)也傳出英偉達(dá)正考慮將部分Feynman GPU外包給英特爾（Intel）生產(chǎn)，雙方目前仍就封裝與制造合作細(xì)節(jié)進(jìn)行磋商。

二、1.6納米制程的Feynman提前18個(gè)月投產(chǎn)，預(yù)示著芯片產(chǎn)業(yè)的時(shí)不我待。

2025年3月19日，科技新報(bào)曾經(jīng)報(bào)道稱，英偉達(dá)在 GTC 2025 公布的2026年與2027年數(shù)據(jù)中心路線圖更新，展示即將推出的以天文學(xué)家Vera Rubin命名的Rubin系列與Rubin Ultra。同時(shí)，在英偉達(dá)的藍(lán)圖中，也可看到Rubin系列的下個(gè)繼任者是Feynman，該命名取自理論物理學(xué)家Richard Feynman，當(dāng)時(shí)計(jì)劃2028年投產(chǎn)。

在GTC 2025大會(huì)上，英偉達(dá)CEO黃仁勛透露，Blackwell B200 其實(shí)每顆GPU含兩個(gè)芯片（die），使NVLink拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)生變化。雖然 Blackwell B200 NVL72 是這個(gè)名稱，但稱為 NV144L 應(yīng)該更合適，因此英偉達(dá)計(jì)劃Rubin產(chǎn)品線調(diào)整名字。

此外，Rubin產(chǎn)品線將從HBM3/HBM3e轉(zhuǎn)向HBM4，并在Rubin Ultra采用HBM4e，內(nèi)存容量維持288GB，與B300相同。帶寬則從8TB/s提升至13TB/s，NVLink速度將提升一倍。另一個(gè)重點(diǎn)是 Vera CPU，取代目前的 Grace CPU。

Vera 是相對(duì)小巧緊湊的CPU，配備88顆客制化ARM 核心和176個(gè)線程，并且內(nèi)建1.8TB/s的NVLink核心對(duì)核心連接埠，可與Rubin GPU直接連接，進(jìn)一步提升運(yùn)算效能與整合性。

Rubin Ultra GPU將采用四個(gè) GPU 芯片（die）封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，提高計(jì)算密度。

Rubin Ultra預(yù)期 2027 下半年推出，現(xiàn)在也提前一年至2026年。這預(yù)示著GPU 的性能將迎接大幅度升級(jí)，整個(gè)機(jī)架的設(shè)計(jì)將被全新架構(gòu) NVL576 取代。

三、英偉達(dá)1.6納米的Feynman芯片提前面世，對(duì)全球人工智能行業(yè)有何影響？

英偉達(dá)提前18個(gè)月啟動(dòng)Feynman架構(gòu)量產(chǎn)（2026年下半年投產(chǎn)、2028年出貨），標(biāo)志著AI算力進(jìn)入“1.6納米時(shí)代”，將對(duì)全球人工智能行業(yè)產(chǎn)生革命性推動(dòng)。

首先，性能與能效大幅躍升。

采用臺(tái)積電A16制程并引入超級(jí)電軌（SPR）背面供電技術(shù)，邏輯密度提升約10%、功耗降低約15%，同時(shí)突破SRAM縮放瓶頸。這意味著單芯片算力將遠(yuǎn)超Blackwell和Rubin，訓(xùn)練萬(wàn)億參數(shù)大模型的時(shí)間可能縮短30%-50%，推理延遲大幅降低，單瓦性能比顯著提高。大型語(yǔ)言模型、Agentic AI、多模態(tài)生成等前沿應(yīng)用將迎來(lái)爆發(fā)式發(fā)展，AI訓(xùn)練成本有望下降20%以上，推動(dòng)AI從“實(shí)驗(yàn)室”走向大規(guī)模商業(yè)落地。

其次，將加速行業(yè)迭代節(jié)奏。

英偉達(dá)一年一迭代的路線圖（Blackwell→Rubin→Feynman）進(jìn)一步固化其絕對(duì)領(lǐng)先地位，迫使AMD、Intel、Groq等競(jìng)爭(zhēng)者加速追趕，全球AI供應(yīng)鏈將圍繞HBM4/HBM5、先進(jìn)封裝、硅光子等技術(shù)狂飆突進(jìn)。數(shù)據(jù)中心電力效率提升，也將緩解AI耗電危機(jī)，為全球建設(shè)“吉瓦級(jí)”AI工廠提供硬件基礎(chǔ)。

第三，引發(fā)資本與應(yīng)用雙重?zé)岢薄?/strong>

更多機(jī)構(gòu)將加大AI基礎(chǔ)設(shè)施投資，AI在醫(yī)療、科研、金融、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域的滲透率將加速提升。但同時(shí)也加劇壟斷擔(dān)憂，可能引發(fā)更多反壟斷討論與開(kāi)源替代浪潮。

第四，這一消息是對(duì)大陸芯片制造業(yè)和人工智能行業(yè)的又一次嚴(yán)峻考驗(yàn)。

對(duì)大陸芯片制造業(yè)而言，1.6nm 的Feynman芯片提前18個(gè)月投產(chǎn)，是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)封鎖的又一次嚴(yán)峻考驗(yàn)。

中芯國(guó)際目前量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)停留在7nm/5nm，距離1.6nm仍有巨大鴻溝，且受EUV光刻機(jī)禁運(yùn)影響，短期內(nèi)難以跟進(jìn)。這將進(jìn)一步拉大中外先進(jìn)制程差距，臺(tái)積電A16初期產(chǎn)能幾乎被英偉達(dá)獨(dú)占，中國(guó)廠商獲取最先進(jìn)AI芯片的窗口期被大幅壓縮。

對(duì)人工智能行業(yè)而言，短期內(nèi)，盡管面臨出口管制，大陸AI企業(yè)仍將高度依賴英偉達(dá)GPU，但Feynman的能效優(yōu)勢(shì)會(huì)讓“買不到最強(qiáng)芯片”的痛點(diǎn)更加突出，訓(xùn)練大模型的成本與速度劣勢(shì)可能進(jìn)一步顯現(xiàn)。部分企業(yè)或被迫轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代方案（如華為昇騰、壁仞、寒武紀(jì)等），倒逼國(guó)內(nèi)AI芯片生態(tài)加速成熟。

長(zhǎng)期看，這是一記“警鐘”。它將極大刺激國(guó)家與企業(yè)加大對(duì)國(guó)產(chǎn)先進(jìn)制程、3D堆疊、存算一體、新型芯片的投入。預(yù)計(jì)“十四五”后半段及“十五五”期間，國(guó)家在芯片專項(xiàng)資金、人才引進(jìn)、供應(yīng)鏈本土化政策將進(jìn)一步加碼。

總體而言，此次英偉達(dá)1.6nm 的Feynman芯片提前量產(chǎn)，將把全球AI發(fā)展推向一個(gè)新高度，讓“AI無(wú)處不在”從愿景變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

短期將給大陸芯片和人工智能行業(yè)帶來(lái)壓力，長(zhǎng)期將成為中國(guó)芯片與AI產(chǎn)業(yè)“自立自強(qiáng)”的強(qiáng)大外部動(dòng)力。若政策執(zhí)行得力、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同到位，完全有可能在10年內(nèi)將差距縮小到可控范圍。

【徐三郎】