過去十年，談到存儲芯片，行業(yè)人士的第一反應往往是：“又一輪周期來了?！?/p>

供需失衡→價格暴漲/暴跌→廠商擴產(chǎn)/減產(chǎn)→新一輪循環(huán)。這套“周期鐵律”幾乎成了半導體行業(yè)的常識。

但從2024 年開始，這套運行多年的邏輯，正在悄然失效。時間走到 2026 年，曾經(jīng)熟悉的周期劇本徹底改寫，整個存儲行業(yè)，正同時發(fā)生五大關鍵變化。在此轉變之下，存儲芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場從“規(guī)模驅動的周期博弈”向“技術驅動的價值競爭”的根本性轉向。

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變化一：存儲芯片，周期失靈

如上圖所示，根據(jù)以往的模式，存儲器市場增長率呈現(xiàn)四年周期性波動，在2017年中期達到峰值，2019年中期觸底，2021年下半年再次達到峰值，2023年中期觸底。按照這種模式，人們可能會預期峰值出現(xiàn)在2025年，谷底出現(xiàn)在2027年。

然而，令人費解的是，如果僅從增長率來看，峰值實際上已在2024年到來，而2025年上半年則出現(xiàn)了先下降后上升的趨勢，打破了之前的周期性規(guī)律。從上圖可以看出，兩點顯而易見：目前的出貨量遠高于前兩個峰值，而且峰值尚未最終確定。

與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴個人消費端需求，而是以企業(yè)級AI資本開支為核心。韓華投資證券分析師Park Jun-young在 2 月 24 日發(fā)布的一份報告中預測，2026年全球存儲市場規(guī)模將比上年增長159%，達到5749億美元，是2018年1599億美元的3.6倍。 具體而言，他預測DRAM市場將同比增長 192%，達到4399億美元，NAND市場將增長 88%，達到1350億美元。

總的來說，2024年至今，AI算力基建與HBM技術革命成為新引擎，直接改寫了傳統(tǒng)周期邏輯。

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變化二：存儲器需求，正在分層

周期失靈的背后，是存儲芯片需求端的結構性重塑。

在高端市場，AI產(chǎn)業(yè)化的加速落地直接引爆了存儲需求。不同于傳統(tǒng)服務器，AI服務器需要承載大規(guī)模數(shù)據(jù)訓練、高頻次數(shù)據(jù)運算，對HBM（高帶寬存儲）、高端DDR5內存及企業(yè)級SSD的需求量呈爆發(fā)式增長，單臺AI服務器的存儲需求量更是達到傳統(tǒng)服務器的8-10倍。其中，HBM憑借超高帶寬、低延遲的核心優(yōu)勢，成功破解了AI運算中的“內存墻”技術瓶頸，成為AI算力基建的核心戰(zhàn)略級資源，目前2026年全球三大存儲巨頭的HBM產(chǎn)能已全部提前售罄，部分頭部AI企業(yè)甚至提前簽訂2027年長期供貨協(xié)議。

在中端市場，需求呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的產(chǎn)業(yè)化格局，核心聚焦兩大場景：一是消費電子的迭代升級，智能手機、筆記本電腦等終端逐步淘汰老舊存儲配置，DDR5內存、PCIe 4.0 SSD因性價比優(yōu)勢成為主流配置，形成持續(xù)的增量需求；二是工業(yè)控制、車載存儲等工業(yè)級場景，這類場景對存儲芯片的穩(wěn)定性、兼容性要求較高，中端存儲產(chǎn)品能夠精準匹配其需求，成為產(chǎn)業(yè)增量的重要支撐。

而低端市場則呈現(xiàn)明顯的收縮態(tài)勢，核心以存量替換為主——隨著高端、中端產(chǎn)品的普及，DDR4內存、入門級NAND閃存等低端產(chǎn)品的市場需求持續(xù)下滑，頭部廠商紛紛主動削減低端產(chǎn)能，將芯片制造產(chǎn)能、研發(fā)資源向高端、中端高附加值領域傾斜，避免低端市場的價格內卷。這種清晰的需求分層，直接推動整個存儲產(chǎn)業(yè)的資源重構。

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變化三：存儲技術，持續(xù)演進

需求分層與周期重構，倒逼存儲技術進入產(chǎn)業(yè)化迭代的快車道。

在傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品方面，10nm以下DRAM制造工藝正成為主流，并逐步向7nm工藝突破，通過“FinFET架構+TSV技術”提升密度、降低功耗。3D NAND堆疊層數(shù)突破400層后，“垂直堆疊”難度加劇，廠商轉向“水平擴展+架構優(yōu)化”，比如三星V-NAND的階梯式架構、Kioxia的BiCS架構，同時引入“HKC（高K介質+金屬柵）”技術，解決高層數(shù)堆疊的漏電、散熱問題，制造工藝從“層數(shù)競賽”轉向“架構+工藝”雙重競爭。

然而，隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)增長，DRAM及NAND在耗電量及數(shù)據(jù)訪問速度上依舊無法跟上需求的腳步。他們在需要高速運算的應用場景中也有一些阻礙。

彼時，新興技術正從邊緣切入，重構存儲生態(tài)。比如MRAM（磁阻存儲器）兼具SRAM速度、DRAM密度與Flash非易失性，已在車規(guī)級MCU、工業(yè)控制器中商用，三星、臺積電、英特爾等均在持續(xù)推進該技術進展。ReRAM（阻變存儲器）單元面積小，讀寫速度是NAND的1000倍，同時功耗可以降低15倍。CXL（Compute Express Link）雖非存儲介質，卻是內存池化的關鍵。通過CXL，服務器可將多個DRAM/HBM模塊虛擬為統(tǒng)一內存池，大幅提升AI訓練效率。Intel、AMD、三星正推動其成為下一代數(shù)據(jù)中心標配。不過，新興存儲并非要“取代”DRAM或NAND，而是填補其無法覆蓋的“價值縫隙”。未來將是“傳統(tǒng)+新興”的分層共存格局。

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變化四：新興先進封測技術的興起

CoWoS先進封裝可謂HBM的黃金搭檔。隨著全球對于高性能計算（HPC）及人工智能（AI）芯片需求的持續(xù)增長，也推動了對于臺積電CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先進封裝產(chǎn)能的需求暴漲，雖然臺積電持續(xù)擴大產(chǎn)能，但依然難以滿足市場需求，成為了限制HPC及AI芯片產(chǎn)能的另一關鍵瓶頸。這也使得部分客戶考慮尋求臺積電CoWoS以外的替代方案，其中就包括英特爾的EMIB-T先進封裝技術。

EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特爾原有EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術基礎上的一次關鍵升級。傳統(tǒng)EMIB利用嵌入在封裝基板中的硅橋，實現(xiàn)多顆裸晶之間的高速互連。

而EMIB-T則在硅橋中引入TSV通孔結構，使得信號可垂直穿越橋接芯片本體，實現(xiàn)更高密度、更短路徑的垂直互連。

這種架構帶來三大直接優(yōu)勢：

帶寬提升：TSV大幅縮短互連距離，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠支持HBM4等超高帶寬需求；延遲降低：橋接器內部的TSV路徑比傳統(tǒng)封裝走線更短，有效降低數(shù)據(jù)通信延遲；功耗優(yōu)化：短路徑低電容，有助于降低整體系統(tǒng)功耗，符合高性能芯片的PPA（功耗、性能、面積）優(yōu)化目標。

從設計角度看，EMIB-T不再局限于簡單的2.5D互連，而是向3D封裝技術Foveros靠攏，使得在更大芯片尺寸下實現(xiàn)高密度集成成為可能，為未來異構計算平臺提供靈活封裝架構。

據(jù)悉，蘋果公司與高通公司在新的職位招聘要求中，都明確列出了需要英特爾的EMIB 與Foveros 等先進封裝技術經(jīng)驗，顯示多家大廠正尋求CoWoS 以外的替代方案。

FOPLP也正憑借規(guī)模化優(yōu)勢快速崛起，被視為CoWoS的潛在繼任者。FOWLP基于圓形晶圓進行封裝，由于晶圓形狀為圓盤狀，邊緣區(qū)域難以充分利用，導致芯片放置面積較小。尺寸與利用率優(yōu)勢是FOPLP的核心競爭力。FOPLP采用方形大尺寸面板作為載板，而非8英寸或12英寸晶圓。

以600mm×600mm面板為例，其面積是12英寸晶圓載板的5.1倍，單片產(chǎn)出芯片數(shù)量大幅增加。同時，F(xiàn)OPLP的面積利用率超95%，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)晶圓級封裝的85%，同等面積下面板可多容納1.64倍芯片?；迕娣e增大持續(xù)降低成本，200mm向300mm過渡節(jié)約25%成本，300mm向板級封裝過渡更可節(jié)約66%成本。

三星在先進節(jié)點中積極應用FOPLP技術，其用于可穿戴設備的Exynos W920處理器結合了5納米EUV工藝與FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技術；AMD、英偉達等公司正與臺積電及OSAT供應商合作，計劃將FOPLP整合至其下一代芯片產(chǎn)品。中國大陸廠商也在積極布局FOPLP領域，華潤微電子、成都奕斯偉、中科四合等已進入該領域，部分具備量產(chǎn)能力。

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變化五：競爭格局從“三足鼎立”到“多元博弈”

傳統(tǒng)存儲行業(yè)長期由三星、SK 海力士、美光三家主導 DRAM，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士主導 NAND，形成穩(wěn)定的 “三足鼎立 + 五強割據(jù)” 格局，定價權、技術路線、產(chǎn)能節(jié)奏高度集中。但 2025—2026 年，隨著 AI 需求爆發(fā)、先進封裝獨立成鏈、本土廠商技術突破，行業(yè)正式進入多極競爭的全新博弈階段。

其中頭部廠商正從“價格協(xié)同” 轉向 “技術卡位”：三星、SK 海力士、美光已放棄低端價格戰(zhàn)，全面轉向HBM、高端 DDR5、企業(yè)級 SSD、高堆疊 NAND等高毛利賽道。鎧俠、西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 領域持續(xù)深耕，聚焦BiCS、XL-Flash架構優(yōu)化，主攻數(shù)據(jù)中心大容量存儲與消費級高端市場；國產(chǎn)存儲廠商憑借成熟工藝與差異化架構，正式進入全球主流通路。

除眾所周知的兩大存儲龍頭企業(yè)外，還有諸多國產(chǎn)存儲企業(yè)嶄露頭角。兆易創(chuàng)新作為全品類存儲龍頭，聚焦NOR Flash、利基DRAM等領域，其NOR Flash全球市占率達18%，穩(wěn)居全球第二、國內第一，SPI NAND國內市占率領先，同時與國內產(chǎn)業(yè)鏈深度協(xié)同，車規(guī)、工業(yè)級存儲產(chǎn)品全面突破，成為國產(chǎn)存儲“設計+生態(tài)”協(xié)同發(fā)展的標桿。

江波龍作為“存儲器第一股”，以PTM商業(yè)模式實現(xiàn)差異化突圍，覆蓋嵌入式存儲、固態(tài)硬盤等四大產(chǎn)品線，其eMMC和UFS產(chǎn)品全球排名第四，自主研發(fā)的主控芯片已批量出貨，累計小容量NAND Flash出貨量超1億顆，廣泛應用于IoT、汽車、安防等領域。

此外，瀾起科技作為全球內存接口芯片領域的龍頭企業(yè)，國內市占率約40%；佰維存儲憑借自研主控+封測一體化優(yōu)勢，在嵌入式存儲領域占據(jù)國內領先地位。依托國家產(chǎn)業(yè)扶持與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這些廠商加速產(chǎn)能擴張與技術迭代，搭配長電科技、通富微電等配套企業(yè)，構建起完整的國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈，逐步實現(xiàn)從細分突圍到全面崛起，成為全球存儲市場的重要一極。

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存儲芯片，漲勢還能維持多久？

日前，TrendForce集邦咨詢全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格季成長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調至55-60%，并且不排除仍有進一步上修空間。

具體到細分領域，2026年第一季PC DRAM價格將季增100%以上，漲幅達歷史新高。Server DRAM價格上漲約90%，幅度創(chuàng)歷年之最。至于Mobile DRAM市場，第一季LPDDR4X、LPDDR5X合約價皆大幅上調至季增90%左右, 幅度同樣是歷來最高。在NAND Flash市場部分，2026年第一季Enterprise SSD價格將季增53-58%，創(chuàng)下單季漲幅最高紀錄。

2026年1月份，三星電子與SK海力士已向服務器、PC及智能手機用DRAM客戶提出漲價，今年一季度報價將較去年第四季度上漲60%-70%。閃迪計劃在3月期間，將其用于企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的高容量3D NAND閃存芯片價格環(huán)比上調超過100%，并要求客戶支付全額現(xiàn)金預付款。力成、華東、南茂等存儲封測廠產(chǎn)能利用率近乎滿載，陸續(xù)調升封測價格，調幅上看三成，后續(xù)不排除啟動第二波漲價。

至于存儲芯片，漲勢還能維持多久？不同的機構、公司均發(fā)布了相關預測，指向2026年未有消退跡象。

美光科技公司表示，內存芯片短缺在過去一個季度愈演愈烈，供應緊張狀況將持續(xù)到2026年之后。

新思科技CEO Sassine Ghazi透露，頂級制造商的大部分內存用于人工智能基礎設施，許多其他產(chǎn)品也需內存，導致其他市場面臨短缺，因無剩余容量可用。 Ghazi還稱，存儲器芯片價格上漲及短缺將持續(xù)到2027年。雖然芯片公司正擴大生產(chǎn)規(guī)模，但至少需兩年才能實現(xiàn)，這也是產(chǎn)能緊張持續(xù)的原因之一。

瑞銀Nicolas Gaudois最新報告顯示，DRAM預計供應短缺將持續(xù)到2027年第一季度，其中DDR需求增長20.7%，遠超供應增長。NAND短缺情況預計延續(xù)至2026年第三季度。