財聯(lián)社3月12日訊（編輯 史正丞）晶圓代工大廠聯(lián)電（UMC）周四宣布，與來自哈佛大學(xué)納米光學(xué)實(shí)驗室的創(chuàng)業(yè)企業(yè)HyperLight建立制造伙伴關(guān)系，加速量產(chǎn)后者的TFLN Chiplet（薄膜鈮酸鋰晶片）平臺。

（來源：公司公告）

據(jù)悉，HyperLight此前已經(jīng)與聯(lián)電旗下的聯(lián)穎光電（Wavetek）將TFLN光子技術(shù)從實(shí)驗室創(chuàng)新推進(jìn)到面向客戶的6英寸晶圓制造產(chǎn)線。在此基礎(chǔ)上，聯(lián)電將進(jìn)一步提供8英寸晶圓生產(chǎn)能力，以滿足AI基礎(chǔ)設(shè)施大規(guī)模部署所帶來的生產(chǎn)需求。

（來源：HyperLight、聯(lián)電）

當(dāng)前主流的硅光子技術(shù)，是將包括調(diào)制器在內(nèi)的所有光學(xué)器件都構(gòu)建在硅基材料之上。隨著科技公司希望更好地實(shí)現(xiàn)電子電路與光傳輸?shù)募?，這一路線目前是更為成熟、應(yīng)用更廣的技術(shù)路徑。不過，該技術(shù)仍存在一些局限，例如功耗較高、速度受限等問題，因此業(yè)界開始關(guān)注能夠突破這些瓶頸的新材料。

聯(lián)電資深副總經(jīng)理洪圭鈞對媒體介紹稱，為了實(shí)現(xiàn)1.6T（每秒）及更高的帶寬，薄膜鈮酸鋰正成為一種前景向好的材料，有望支撐下一代數(shù)據(jù)中心互連所需的超高帶寬。

洪圭鈞也表示，預(yù)計到2027年，公司將推出自有光子技術(shù)平臺，能夠?qū)⒐庾酉到y(tǒng)與其內(nèi)部的先進(jìn)封裝能力進(jìn)行整合，從而為客戶提供完整的一體化解決方案。

HyperLight首席執(zhí)行官張勉表示，薄膜鈮酸鋰一直被認(rèn)為是光互連未來最重要的技術(shù)之一，但業(yè)界一直在等待走向真正規(guī)模制造的路徑。

張勉特別強(qiáng)調(diào)，TFLN Chiplet平臺自設(shè)計之初便以支持AI基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模量產(chǎn)為目標(biāo)，整合了數(shù)據(jù)中心短距離可插拔模塊、長距離相干數(shù)據(jù)通信與電信模塊，以及共封裝光學(xué)（CPO）等應(yīng)用場景。

值得一提的是，聯(lián)電也在押注硅光子賽道。去年12月，聯(lián)電與比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)imec簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，引入后者開發(fā)的iSiPP300硅光子制造工藝。借助這項技術(shù)，聯(lián)電將推出基于12英寸晶圓的硅光子平臺。