根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint報告，當(dāng)前主流HBM（高帶寬內(nèi)存）采用微凸塊（micro-bump）搭配熱壓鍵合（TCB）進(jìn)行芯片連接，目前已實(shí)現(xiàn)12至16層堆疊。

但隨著HBM未來向20層以上堆疊方向發(fā)展，微凸塊在信號完整性、功耗及散熱方面的局限性逐漸凸顯，行業(yè)開始積極探尋新的技術(shù)解決方案。

混合鍵合（Hybrid Bonding）成為核心備選方案：其通過銅對銅（Cu-Cu）直接連接，可大幅縮小連接間距、降低堆棧高度，同時有效提升帶寬與能源效率，是推動HBM4乃至HBM5發(fā)展的重要技術(shù)路徑。

不過，混合鍵合對制程條件要求極高，其中化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）質(zhì)量直接決定鍵合良率。若CMP環(huán)節(jié)出現(xiàn)銅凹陷（dishing）、污染或空洞等缺陷，會導(dǎo)致電阻上升、產(chǎn)品可靠度下降，使得CMP從常規(guī)制程環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)變?yōu)橛绊慔BM整體效能與良率的關(guān)鍵技術(shù)。

Counterpoint指出，混合鍵合短期內(nèi)的導(dǎo)入節(jié)奏仍存在不確定性。核心原因在于JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）已放寬HBM堆疊高度規(guī)范，使得現(xiàn)有TCB制程可延續(xù)應(yīng)用于16層HBM產(chǎn)品，減輕了內(nèi)存廠商立即轉(zhuǎn)換技術(shù)的壓力。

盡管短期導(dǎo)入節(jié)奏可能放緩，但在英偉達(dá)等企業(yè)AI芯片需求的持續(xù)帶動下，內(nèi)存廠商仍在不斷提升HBM的帶寬與能效表現(xiàn)。Counterpoint預(yù)測，HBM5將成為混合鍵合應(yīng)用的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)——隨著HBM堆疊層數(shù)突破20層、連接間距持續(xù)縮小，混合鍵合有望進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。

在此趨勢下，SK海力士、三星、美光等主流內(nèi)存廠商，正積極布局混合鍵合相關(guān)技術(shù)與設(shè)備的導(dǎo)入。業(yè)界認(rèn)為，混合鍵合不僅關(guān)系到HBM技術(shù)的未來發(fā)展，更將成為AI芯片性能與能耗競爭的關(guān)鍵分水嶺。

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