在AI算力需求驅(qū)動下，先進封裝的芯片系統(tǒng)面積正持續(xù)擴大。傳統(tǒng)的CoWoS技術(shù)（圓形硅中介層）因受限于光罩尺寸與材料特性，已成為制約大尺寸AI芯片的瓶頸。

華泰證券在兩份研報中，清晰地揭示了一個正在發(fā)生的產(chǎn)業(yè)變革：臺積電正在用CoPoS技術(shù)（方形玻璃基板）取代傳統(tǒng)的CoWoS技術(shù)，以突破先進封裝的橫向發(fā)展極限。

這一轉(zhuǎn)型的核心原因在于：當芯片面積擴大至9.5倍以上光罩時，傳統(tǒng)CoWoS面臨翹曲、成本高及面積受限等物理瓶頸，而CoPoS具備尺寸更大、信號損耗更低、熱膨脹系數(shù)可匹配硅等優(yōu)勢。據(jù)Trendforce信息，臺積電已于2026年Q1啟動CoPoS試產(chǎn)線建設(shè)，計劃6月完成；蘋果也已開始測試三星的玻璃基板用于AI封裝。產(chǎn)業(yè)鏈向CoPoS遷移已實質(zhì)性啟動。

這對投資者意味著，玻璃基板、TGV（玻璃通孔）及RDL（重布線層）設(shè)備驅(qū)動的增量市場正在加速形成。雖然臺積電大規(guī)模量產(chǎn)可能要到2028年，但在IC載板、CPO等領(lǐng)域的非中介層應(yīng)用，落地速度或?qū)⒊鍪袌鲱A(yù)期。當前試驗線已進入建設(shè)期，相關(guān)設(shè)備與材料供應(yīng)商有望率先受益。

核心驅(qū)動力：當芯片大到“圓”裝不下

臺積電在其2026年北美技術(shù)論壇上公布的路線圖，是解讀這一切的關(guān)鍵。2024年，其先進封裝面積為3.3個光罩（Reticle）；2026年提升至5.5個；2027年達9.5個。但最新的目標是：2028年達到14個光罩，2029年沖擊40個以上。 14個光罩的封裝面積已達約12000平方毫米，相當于兩張撲克牌大小。

這種“大芯片”需求直接源自英偉達、谷歌TPU、蘋果M-Ultra等AI巨頭。然而，臺積電目前主流的CoWoS-L方案（采用局部硅橋+有機RDL）在面對如此巨大的面積時，已面臨嚴重的翹曲、工藝復(fù)雜度和物理上限問題。

解決方案就是“化圓為方”。CoPoS（Chip on Panel on Substrate）用方形玻璃面板替代圓形硅中介層。玻璃的優(yōu)勢在于：1）面積可做得更大，不受圓形晶圓束縛；2）信號損耗極低，適配高頻；3）熱膨脹系數(shù)可調(diào)至與芯片匹配，減緩翹曲；4）TGV通孔深寬比可達50:1，遠超硅通孔（TSV）的10:1，互聯(lián)密度更高。

增量機遇：TGV與RDL設(shè)備成“賣鏟人”

CoPoS并非憑空出現(xiàn)，它本質(zhì)上是CoWoS的“面板化”演進。這意味著整個工藝鏈條需要重塑，而最大的增量機遇集中在TGV和RDL兩大環(huán)節(jié)。

TGV工藝是為玻璃基板“打通神經(jīng)”。其流程包括：激光誘導(dǎo)改性、刻蝕、清洗、雙面電鍍、退火、CMP（化學(xué)機械拋光）等。其中，超快激光打孔設(shè)備是關(guān)鍵。此外，面板級水平電鍍設(shè)備、CMP設(shè)備的需求將被顯著拉動。

RDL工藝則是“鋪設(shè)血管”。隨著芯片互聯(lián)密度提升，RDL金屬層數(shù)翻倍，銅凸點間距縮小至5微米。這直接拉動了直寫光刻設(shè)備、刻蝕、薄膜沉積及檢測設(shè)備的需求。尤其是AOI（自動光學(xué)檢測）設(shè)備，因玻璃基板工藝的全新良率挑戰(zhàn)，其重要性空前提升。

預(yù)期差與時間表：比想象的更快、更廣

市場當前的主流觀點存在兩點顯著“預(yù)期差”：

1. 應(yīng)用范圍比想象中更廣。市場主要關(guān)注CoPoS作為“中介層”替代CoWoS。但研報指出，玻璃基板的低損耗、高密度優(yōu)勢，使其在IC載板替代、射頻FOPLP封裝以及CPO（共封裝光學(xué)） 領(lǐng)域具備同樣廣闊的空間。尤其是在1.6T及以上速率的光模塊中，玻璃基板憑借其優(yōu)異的高頻性能和光波導(dǎo)集成能力，被認為是CPO的核心載體。

2. 落地節(jié)奏可能比預(yù)期更快。盡管臺積電將CoWoS的中介層上限提升至14倍光罩，可能推遲CoPoS大規(guī)模量產(chǎn)的緊迫性（Trendforce預(yù)計2028年量產(chǎn)），但在IC載板和CPO等新興應(yīng)用上的進展，將加速玻璃基板的商業(yè)化落地。例如，Intel已在2026年初推出了采用800微米玻璃基板的EMIB封裝樣品。

CoPoS技術(shù)將重塑先進封裝價值鏈。傳統(tǒng)封測廠需向上游玻璃基板及材料領(lǐng)域延伸，以掌握TGV、RDL等核心工藝能力；而面板制造商則可能憑借玻璃基板加工優(yōu)勢向下游封裝環(huán)節(jié)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈分工面臨重構(gòu)。

從投資邏輯看，三大環(huán)節(jié)有望受益：一是玻璃基板與上游材料，具備TGV全制程能力及玻璃載板量產(chǎn)經(jīng)驗的企業(yè)將率先受益；二是核心設(shè)備，包括超快激光打孔、面板級電鍍、CMP平坦化、直寫光刻及檢測設(shè)備等需求將顯著提升；三是封裝測試，擁有玻璃覆晶工藝積累的封測廠有望向TGV先進封裝拓展。隨著臺積電試產(chǎn)線推進及下游客戶驗證落地，上述環(huán)節(jié)的增量空間正逐步打開。