據(jù)日經(jīng)新聞援引知情人士消息，臺積電計劃于明年夏季啟動其亞利桑那州 21 號晶圓廠二期項目的設(shè)備搬入工作。待各類配套設(shè)施及生產(chǎn)設(shè)備于 2027 年完成安裝調(diào)試后，該廠將可依托3 納米制程工藝開展芯片量產(chǎn)，較原計劃提前數(shù)個季度。

若日經(jīng)新聞的報道屬實，臺積電將于2026 年第三季度（7-9 月）正式啟動亞利桑那州 21 號晶圓廠二期的設(shè)備安裝工作，目標在 2027 年實現(xiàn)投產(chǎn)，較原定于 2028 年量產(chǎn)的計劃提前數(shù)個季度。

臺積電方面表示，該公司亞利桑那州 21 號晶圓廠二期的土建工程已于今年竣工。在廠房主體結(jié)構(gòu)及水電氣等機電管線系統(tǒng)落成后，芯片廠商需進一步完成電梯、暖通空調(diào)（HVAC）等內(nèi)部基礎(chǔ)設(shè)施的搭建。這一階段收尾后，廠商會開展環(huán)境驗證工作，只有在溫度、氣壓、濕度等各項指標均保持穩(wěn)定的前提下，才會正式搬入量產(chǎn)所需的核心設(shè)備。

不同設(shè)備的安裝與調(diào)試周期從數(shù)小時到數(shù)天不等，而晶圓廠中的高端深紫外光刻機（DUV）與極紫外光刻機（EUV），其安裝調(diào)試耗時遠高于其他設(shè)備。無論如何，首批設(shè)備的安裝、聯(lián)調(diào)及小批量量產(chǎn)的籌備工作，整體仍需耗費數(shù)月時間。盡管初期產(chǎn)能有限，但臺積電仍有望在 2027 年于亞利桑那州實現(xiàn) 3 納米制程芯片的量產(chǎn)。

此外，臺積電已于2025 年 4 月啟動亞利桑那州21 號晶圓廠三期項目的建設(shè)，該產(chǎn)線將具備 2 納米及 1.6 納米級芯片的生產(chǎn)能力。臺積電希望加快三期項目建設(shè)進度，從而推動更先進制程芯片的產(chǎn)能落地，同樣實現(xiàn)提前在美國量產(chǎn) 2 納米、1.6 納米級芯片的目標。

臺積電總裁魏哲家在 2024 年 10 月的最新財報電話會議上表示：“在頭部美國客戶，以及美國聯(lián)邦、州、市各級政府的通力協(xié)作與大力支持下，我們正持續(xù)加快亞利桑那州的產(chǎn)能擴充步伐。目前各項工作進展顯著，項目執(zhí)行情況符合預期。此外，基于客戶對人工智能相關(guān)芯片的強勁需求，我們正籌備在亞利桑那州加速技術(shù)升級，早日導入 2 納米及更先進的制程工藝。”

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