2025年底，三星正式亮出全球首顆2nm芯片——獵戶座Exynos2600。

這顆采用三星自家GAAFET 2nm技術制造、第二代GAA工藝加持的芯片，10核設計下性能飆升39%，配合HPB技術溫效還降了16%。雖然晶體管密度等細節(jié)還沒完全公開，但全球芯片工藝已正式邁入2nm時代，這事兒板上釘釘。

反觀咱們國內(nèi)，芯片制造工藝還在等效7nm水平晃悠。以前三星、臺積電搞3nm時，咱們和他們的差距是5nm、3nm兩代；現(xiàn)在三星沖到2nm，臺積電也快跟上，差距直接拉大到5nm、3nm、2nm三代。這數(shù)字看著扎心，但確實是實打?qū)嵉默F(xiàn)狀。

有人可能會說：“咱們用浸潤式光刻機也能搞5nm芯片！”可這事兒得掰扯清楚——沒EUV光刻機，造7nm以下芯片比登天還難。理論上浸潤式DUV能搞5nm甚至3nm，但得經(jīng)過多輪曝光，技術上能不能成還是未知數(shù)。畢竟沒廠商用浸潤式DUV造過5nm芯片，臺積電當年用浸潤式造了7nm就火速換EUV了。就算技術上能成，良率也得大打折扣，直接影響芯片成本和制造效率。

說到底，關鍵還是得有EUV光刻機?？少I是買不到了——ASML早就攤牌，賣給中國的光刻機相當于2013、2014年賣給西方的，落后十年以上，連最先進的浸潤式DUV都不給，更別說EUV了。所以咱們只能自己造。

但造EUV光刻機可不是搭積木。EUV光源、物鏡系統(tǒng)這些核心部件，供應鏈全被ASML綁在戰(zhàn)車上。比如EUV光源需要高功率激光器，技術門檻高得離譜；物鏡系統(tǒng)得用超精密光學元件，加工難度堪比繡花。這些坎兒，都得一個個邁過去。

不過再難也得造。要是造不出自己的EUV，咱們和三星、臺積電的芯片制造技術差距只會越拉越大，這后果咱們承受不起。畢竟芯片是現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”，從手機到汽車，從人工智能到國防科技，都離不開它。要是芯片制造技術落后，整個產(chǎn)業(yè)鏈都得受牽連。

現(xiàn)在咱們國內(nèi)也有不少企業(yè)和科研機構(gòu)在攻關EUV技術，比如中科院、上海微電子等。雖然進展可能沒那么快，但只要堅持投入，持續(xù)創(chuàng)新，總有一天能突破這些技術壁壘。

三星2nm芯片的推出，確實讓咱們看到了差距。但這不是壞事，反而提醒咱們得更努力。國產(chǎn)化不是為了“面子”，而是為了產(chǎn)業(yè)鏈安全，為了不被別人卡脖子。只要咱們堅持自主研發(fā)，不斷突破，總有一天能迎頭趕上，甚至實現(xiàn)反超。畢竟，咱們中國人最擅長的，就是把“不可能”變成“可能”。