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據(jù)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，SK海力士目前的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和NAND閃存庫存僅夠維持約四周。隨著人工智能（AI）服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。

據(jù)美國金融博客 Zero Hedge 21 日報(bào)道，SK 海力士最近在與高盛研究人員（包括 Guinee Lee）的討論中分享了這一情況。

李指出，SK海力士預(yù)計(jì)“大量投資將繼續(xù)持續(xù)，因?yàn)榭蛻粼陂_發(fā)人工智能服務(wù)方面取得了顯著進(jìn)展”。他補(bǔ)充道：“雖然PC和移動用戶可能因價(jià)格大幅上漲而降低配置，這可能會抑制需求，但由于供應(yīng)擴(kuò)張能力有限，價(jià)格上漲趨勢可能會持續(xù)下去?！?/p>

他還指出，“整個(gè)行業(yè)潔凈室空間短缺加劇了供應(yīng)限制，并為價(jià)格上漲創(chuàng)造了有利環(huán)境?！迸c此同時(shí)，他分析道，“客戶認(rèn)識到短期內(nèi)大幅擴(kuò)大產(chǎn)能困難，因此像過去那樣為了確保銷量而重復(fù)下單的可能性很低?！?/p>

具體而言，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量，這被視為進(jìn)一步增強(qiáng)了該公司作為供應(yīng)商的議價(jià)能力。李先生解釋說：“穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長期合同進(jìn)行磋商。”他補(bǔ)充道：“目前DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴(kuò)張?！?/p>

該公司工藝升級路線圖也與此前預(yù)期基本一致。李表示：“1c納米工藝將從2026年起主要應(yīng)用于DRAM，并從2027年起全面應(yīng)用于HBM?！彼€指出，“對DRAM和HBM的資本支出重點(diǎn)與此前的預(yù)期一致?！?/p>

會議主要紀(jì)要 (Key Takeaways)

1. 受實(shí)際需求和供應(yīng)緊張驅(qū)動，內(nèi)存價(jià)格年內(nèi)可能持續(xù)上漲 海力士認(rèn)為，在 AI 客戶強(qiáng)勁需求的推動下，當(dāng)前的內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢可能貫穿全年。公司預(yù)計(jì)，隨著 AI 客戶在 AI 服務(wù)方面取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，他們將繼續(xù)保持相當(dāng)大的投資規(guī)模。 盡管公司承認(rèn) PC 和移動端客戶潛在的“規(guī)格降低（despeccing）”可能會對內(nèi)存需求造成壓力，但由于供應(yīng)增長有限，公司仍預(yù)計(jì)價(jià)格將保持上漲軌跡。 公司提到，全行業(yè)無塵室空間有限是導(dǎo)致供應(yīng)緊張和內(nèi)存價(jià)格環(huán)境有利的原因之一。公司認(rèn)為內(nèi)存訂單出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性“重復(fù)下單（double-booking）”的可能性較低，因?yàn)榭蛻粢庾R到短期內(nèi)內(nèi)存產(chǎn)能無法顯著增加，因此他們認(rèn)識到重復(fù)下單不會帶來更多配額，反而會進(jìn)一步推高價(jià)格。

2. 健康的庫存水平和增強(qiáng)的供應(yīng)商議價(jià)能力促使長期合同討論增加 海力士強(qiáng)調(diào)，今年沒有客戶能夠完全滿足其內(nèi)存需求，因此所有終端市場的需求滿足率仍處于較低水平。結(jié)果是，海力士認(rèn)為服務(wù)器客戶的庫存水平正達(dá)到健康狀態(tài)，而 PC/移動端客戶的庫存水平呈下降趨勢。 考慮到供應(yīng)商方面的庫存也很精簡（我們認(rèn)為海力士持有的 DRAM 和 NAND 正常庫存水平約為 4 周，并預(yù)計(jì)該水平將在全年下降），我們認(rèn)為供應(yīng)商的議價(jià)能力（leverage）將繼續(xù)增強(qiáng)。 在此背景下，公司正在與主要客戶討論多年期合同。雖然討論已取得一定進(jìn)展，但海力士總體持謹(jǐn)慎態(tài)度，試圖最大化未來的需求穩(wěn)定性。

3. 當(dāng)前傳統(tǒng) DRAM 供需緊張可能為 2027 年的 HBM 業(yè)務(wù)帶來更有利的條款 雖然認(rèn)識到需求的潛在上行空間，但海力士提到，鑒于今年的 HBM 已售罄且滿足客戶需求的生產(chǎn)已分配完畢，要在 2026 年對 HBM 和傳統(tǒng) DRAM 之間的生產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行實(shí)質(zhì)性更改將很困難。 雖然公司可能會堅(jiān)持 2026 年的原定產(chǎn)能分配計(jì)劃，但我們認(rèn)為，對于 2027 年，公司的 HBM 業(yè)務(wù)可能有更大的上行空間，因?yàn)槲覀冋J(rèn)為它將能夠反映當(dāng)前傳統(tǒng) DRAM 顯著的供需緊張狀況。

4. 2026 年 1c nm 產(chǎn)能爬坡主要針對傳統(tǒng) DRAM，HBM 主要從 2027 年開始 海力士今年將專注于在 M15X 工廠提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能，主要用于支持 HBM3E 和 HBM4 的供應(yīng)。鑒于公司計(jì)劃從 HBM4E 開始使用 1c nm 工藝，該節(jié)點(diǎn)用于 HBM 的大規(guī)模產(chǎn)能爬坡可能會在 2027 年完成。 同時(shí)，由于公司預(yù)計(jì)全年對 DDR5 和 LPDDR5（包括 SOCAMM）的需求強(qiáng)勁，其可能會進(jìn)行大規(guī)模的技術(shù)遷移（而不是增加新的晶圓產(chǎn)能），以增加其傳統(tǒng) DRAM 的 1c nm 位元供應(yīng)，并預(yù)計(jì)到今年年底，超過一半的傳統(tǒng) DRAM 將采用 1c nm 節(jié)點(diǎn)。

5. 資本支出指引及對 DRAM/HBM 投資的關(guān)注與高盛預(yù)測基本一致 雖然海力士提到今年的資本支出計(jì)劃仍在討論中，但其繼續(xù)預(yù)計(jì)支出將比去年有所增加，同時(shí)計(jì)劃繼續(xù)堅(jiān)持資本支出紀(jì)律。公司預(yù)計(jì)今年的資本支出中，晶圓廠設(shè)備（WFE）的組合與去年相比不會有太大差異。 雖然公司已恢復(fù)了部分 NAND 投資，主要是為了遷移到 321層 3D NAND，但仍預(yù)計(jì) NAND 資本支出的比例將保持穩(wěn)定，因?yàn)橘Y本支出的重點(diǎn)仍將放在 HBM 和傳統(tǒng) DRAM 上。 我們認(rèn)為公司對資本支出的看法與我們的觀點(diǎn)基本一致，因?yàn)槲覀冾A(yù)計(jì)公司今年的總資本支出將同比增長 36%，達(dá)到 38 萬億韓元，并預(yù)計(jì) NAND 的占比今年將保持在低雙位數(shù)百分比，與去年相似。

（來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合）

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