英特爾正致力于在制程工藝與先進(jìn)全球產(chǎn)能兩方面追趕臺積電，但在美國本土市場，這家芯片巨頭的地位依舊無可撼動。據(jù)美國消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道（CNBC）報道，英特爾 52 號晶圓廠的技術(shù)先進(jìn)性超過了臺積電目前運(yùn)營的 21 號晶圓廠一期項目，以及即將投產(chǎn)的二期項目，其產(chǎn)能規(guī)模更是相當(dāng)于這兩個廠區(qū)的總和。

英特爾位于亞利桑那州錢德勒的Fab 52半導(dǎo)體制造廠

英特爾 52 號晶圓廠專為 18A 制程（1.8 納米級）及更先進(jìn)工藝而生，采用了環(huán)繞柵極（GAA）納米帶晶體管技術(shù)與 PowerVia 背側(cè)供電網(wǎng)絡(luò)。該工廠的晶圓月啟動量（WSPM）在滿負(fù)荷量產(chǎn)階段可達(dá)約 40,000 片，對應(yīng)每周 10,000 片的啟動規(guī)模 —— 以當(dāng)下行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)衡量，這無疑是一座超大規(guī)模晶圓廠。

據(jù)推特賬號 @IntelProMUltra 實(shí)地觀察，52 號晶圓廠目前配備了 4 臺阿斯麥（ASML）Twinscan NXE 系列低數(shù)值孔徑（Low-NA）極紫外（EUV）光刻機(jī)，其中至少包含 1 臺NXE:3800E 機(jī)型。這款設(shè)備是阿斯麥最先進(jìn)的低數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)，借鑒了下一代高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)的晶圓傳送裝置、高速晶圓臺與光源技術(shù)，在 30 毫焦 / 平方厘米的曝光劑量下，每小時可處理高達(dá) 220 片晶圓。此外，該廠還部署了 3 臺 NXE:3600D 光刻機(jī)，同曝光劑量下的小時晶圓處理量為 160 片。

英特爾位于亞利桑那州奧科蒂約的 “硅沙漠” 園區(qū)，最終將配備至少 15 臺極紫外光刻機(jī)。不過，其中高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)的具體數(shù)量，以及即將開建的 62 號晶圓廠將部署多少臺這類設(shè)備，目前仍未可知。但 “至少” 這一表述意味著，英特爾在亞利桑那的生產(chǎn)基地預(yù)留了充足空間，未來可部署超過 15 臺極紫外光刻機(jī)。

對比臺積電 21 號晶圓廠一期項目（采用 N4 與 N5 制程生產(chǎn)芯片），英特爾 52 號晶圓廠不僅能生產(chǎn)制程工藝顯著更先進(jìn)的芯片（最低達(dá) 1.8 納米級及以下），月晶圓處理量更是前者的兩倍。事實(shí)上，臺積電單座晶圓廠模塊的產(chǎn)能通常在 20,000 片 / 月左右，即便其具備 N3 制程生產(chǎn)能力的 21 號晶圓廠二期項目建成投產(chǎn)，待三家工廠均滿負(fù)荷運(yùn)行時，英特爾 52 號晶圓廠的綜合實(shí)力仍能與臺積電在亞利桑那的兩座工廠持平，甚至略有領(lǐng)先。

需要指出的是，由于英特爾 18A 制程的技術(shù)復(fù)雜度遠(yuǎn)超臺積電 N4 或 N4P 制程，單純對比產(chǎn)能規(guī)模并不完全準(zhǔn)確。即便采用更先進(jìn)的 Twinscan NXE:3800B 光刻機(jī)，英特爾工廠在生產(chǎn) 18A 制程芯片時，也需要完成更多工序。

不過，英特爾 52 號晶圓廠的產(chǎn)能爬坡進(jìn)度存在一個關(guān)鍵變數(shù)。目前，該廠正基于 18A 制程推進(jìn) “黑豹湖”（Panther Lake）處理器的量產(chǎn)，但該制程的良率仍處于爬坡初期。英特爾預(yù)計，18A 制程的良率將在 2027 年初達(dá)到業(yè)界頂尖水平。在此之前，該廠不會擴(kuò)大該制程下的處理器產(chǎn)能，因此工廠現(xiàn)階段無法實(shí)現(xiàn)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，部分產(chǎn)能將處于閑置狀態(tài)。反觀臺積電，其在美國工廠采用的是成熟制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，能夠快速完成產(chǎn)能爬坡，晶圓廠利用率也能迅速提升至接近 100% 的水平。

注：由于平均每月的周數(shù)超過 4 周，因此英特爾 52 號晶圓廠滿負(fù)荷運(yùn)行時的最大產(chǎn)能可能高于 40,000 片 / 月，具體數(shù)值受計劃維護(hù)與非計劃停機(jī)等因素影響。

邀請函