這幾天，印度國防研究與發(fā)展組織的科學(xué)家們正在為國產(chǎn)氮化鎵雷達(dá)芯片的“突圍”開香檳。從2026年1月25日的官宣來看，印度似乎終于洗刷了當(dāng)年被法國“陣風(fēng)”拒絕轉(zhuǎn)讓技術(shù)的恥辱，踏入了全球前六的門檻。但在這一片“印度制造”的歡呼聲中，一個(gè)略顯尷尬且隱秘的真相被掩蓋了：這個(gè)所謂的“國防自力更生”，底層其實(shí)流淌著深厚的“中國工業(yè)血液”。

要拆解印度雷達(dá)的“中國基因”，我們得從這顆氮化鎵芯片的“老家”說起。制造雷達(dá)芯片不是在實(shí)驗(yàn)室里憑空畫符，它需要大量的電力和關(guān)鍵的基礎(chǔ)原材料——鋁。 可見，氮化鎵作為化合物半導(dǎo)體，其核心原料鎵，本質(zhì)上是電解鋁工業(yè)的副產(chǎn)品。而吊詭的是，印度的電解鋁產(chǎn)業(yè)在過去十五年的爆發(fā)式擴(kuò)張，底層邏輯幾乎全盤“漢化”。從韋丹塔到巴拉特鋁業(yè)，這些支撐起印度軍工底座的鋁業(yè)巨頭，其核心電解槽技術(shù)、整廠設(shè)計(jì)方案乃至自動化控制系統(tǒng)，大多出自沈陽或貴陽的鋁鎂設(shè)計(jì)院。

我認(rèn)為，這是一場極具諷刺意味的“技術(shù)接力”：中國輸出的大型預(yù)焙電解槽技術(shù)，幫印度搭起了現(xiàn)代鋁工業(yè)的架子，而有了這個(gè)架子，印度才有機(jī)會在鋁土礦的殘?jiān)腥ヌ釤?、去探索那顆被稱為“雷達(dá)心臟”的鎵。

通俗點(diǎn)說，這就是一場“中國出圖紙，印度蓋工廠，最后印度說房子里的芯片是自己造的”戲碼。 雖然印度在2023年攻克了單片微波集成電路的密碼，但芯片生長所需的超純氣體和反應(yīng)堆依然被歐美卡脖子。而中國在這個(gè)局里的貢獻(xiàn)，我認(rèn)為可以用“壓力型賦能”來形容。 一方面，中國作為全球“鎵皇”，通過出口管制讓全球鎵價(jià)波動，逼得印度不得不硬著頭皮搞全產(chǎn)業(yè)鏈自研；另一方面，中國把氮化鎵技術(shù)從軍用降維到民用快充頭、5G基站的規(guī)?；a(chǎn)，無意中為印度提供了極低門檻的商業(yè)參考和實(shí)驗(yàn)環(huán)境。

我認(rèn)為，印度雷達(dá)的這次突破，本質(zhì)上是“中國工業(yè)基建+歐美高端設(shè)備+印度本土算法”的雜交產(chǎn)物。 可見，如果沒有當(dāng)年中國“交鑰匙”式的電解鋁技術(shù)輸出，印度的基礎(chǔ)工業(yè)底座恐怕還在“遠(yuǎn)古時(shí)代”徘徊，更別提去折騰什么1000攝氏度高溫下工作的黑科技芯片了。印度所謂的“自律進(jìn)化”，其實(shí)是站在了中國作為全球工業(yè)母機(jī)輸出國的肩膀上。

中國輸出的是成熟的、已經(jīng)“白菜價(jià)”的重工業(yè)技術(shù)，以此換取外匯并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級；而印度通過吸納這些技術(shù)，完成了國防原材料的初步閉環(huán)。這種深度綁定意味著，無論德里的政客如何喊“脫鉤”，在責(zé)任大道閱兵式上閃爍的雷達(dá)信號里，其實(shí)都跳動著中國工業(yè)的脈搏。

我認(rèn)為，與其說印度突破了禁運(yùn)，倒不如說它在中國的工業(yè)紅利期，精準(zhǔn)地?fù)斓搅四且粔K最關(guān)鍵的“拼圖”。這場“自力更生”的戲份，有一半的功勞，得記在那些在印度廠區(qū)里調(diào)試電解槽的中國工程師頭上。