大幅漲價(jià)

對(duì)于DIY玩家而言，從2025年第4季度開始就是“痛苦”時(shí)間的到來(lái)—內(nèi)存、SSD開啟大幅漲價(jià)。特別是內(nèi)存，漲價(jià)幅度翻了幾倍。以我們裝機(jī)欄目常用的英睿達(dá)DDR5 PRO 6000 32GB套裝為例，在今年上半年我們撰寫配置，查詢價(jià)格時(shí)，這套內(nèi)存的價(jià)格一般都在599元左右。但現(xiàn)在該內(nèi)存的售價(jià)則上漲到2099元，上漲幅度高達(dá)250%。更夸張的是，在消費(fèi)級(jí)內(nèi)存售價(jià)如此高昂、堅(jiān)挺的今天。擁有英睿達(dá)品牌的美光竟然在年末宣布將終結(jié)英睿達(dá)品牌與相關(guān)產(chǎn)品的業(yè)務(wù)。美光的解釋是：“人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)帶動(dòng)了內(nèi)存和存儲(chǔ)需求的激增。為了更好地為我們?cè)谠鲩L(zhǎng)更快的細(xì)分市場(chǎng)中的大型戰(zhàn)略客戶提供供應(yīng)和支持，美光做出了艱難的決定，退出英睿達(dá)消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)。”

▲2025年最讓人震驚的是，一款普通的DDR5 6000 32GB內(nèi)存套裝，價(jià)格竟然漲到2000元以上。

美光的解釋也從中透露出內(nèi)存在2025年第4季度大幅漲價(jià)的關(guān)鍵原因—AI。在2025年，AI服務(wù)器、高性能計(jì)算內(nèi)存的需求持續(xù)上升，尤其是AI領(lǐng)域?qū)BM（高帶寬內(nèi)存）、服務(wù)器內(nèi)存的需求激增，存儲(chǔ)芯片廠商將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的HBM和服務(wù)器DDR5內(nèi)存，導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)DDR5內(nèi)存、DDR4內(nèi)存供應(yīng)緊張。另一方面，全球主要內(nèi)存顆粒廠商比如三星、SK 海力士與美光在2022年～2024年因行業(yè)低迷主動(dòng)減產(chǎn)，導(dǎo)致庫(kù)存減少。盡管2025年需求回升，但產(chǎn)能的恢復(fù)也需要時(shí)間。

同時(shí)，對(duì)AI服務(wù)器、高性能計(jì)算的需求也拉動(dòng)了固態(tài)硬盤價(jià)格的上升。以雷克沙（Lexar）ARES PRO 戰(zhàn)神2TB為例，其今年10月的售價(jià)在999元左右，而在2025年12月的售價(jià)則攀升至1499元，上漲幅度雖沒(méi)有內(nèi)存那么厲害，但也達(dá)到50%。原因在于AI服務(wù)器、高性能計(jì)算服務(wù)器的打造同樣離不開閃存，服務(wù)器的正常運(yùn)行需要系統(tǒng)盤，模型的部署需要高性能固態(tài)硬盤，而一個(gè)參數(shù)規(guī)模稍大的大語(yǔ)言模型容量就在100GB以上。因此，這也導(dǎo)致存儲(chǔ)廠商將閃存顆粒的大部分產(chǎn)能都供應(yīng)給企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。即便如此，由于企業(yè)級(jí)大容量固態(tài)硬盤需求爆發(fā)，市場(chǎng)也未能阻止閃存顆粒的售價(jià)的上升。2025年11月開始，從DIYer瞧不起的QLC顆粒到TLC顆粒價(jià)格紛紛迎來(lái)大幅上漲，大部分產(chǎn)品平均月漲幅可達(dá)20%至60%以上，部分規(guī)格的TLC顆粒上漲幅度超過(guò)65%。

▲基于TLC顆粒的2TB固態(tài)硬盤普遍漲到1200元以上

隨著現(xiàn)有庫(kù)存消耗殆盡，我們預(yù)計(jì)內(nèi)存與閃存的供應(yīng)在2026年上半年可能繼續(xù)保持供不應(yīng)求的狀況。不過(guò)就像股票、黃金等這類資產(chǎn)，存儲(chǔ)市場(chǎng)這幾十年的運(yùn)作也是有漲有跌。根據(jù)媒體報(bào)道，針對(duì)AI旺盛的需求，SK海力士計(jì)劃到2026年將其內(nèi)存顆粒產(chǎn)能擴(kuò)大超過(guò)八倍。三星則計(jì)劃到2026年底，將10納米級(jí)第六代（1c DRAM）的月產(chǎn)能提升至20萬(wàn)片晶圓，美光則計(jì)劃于2026年5月啟動(dòng)日本內(nèi)存顆粒工廠的擴(kuò)建工程。同時(shí)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正全力轉(zhuǎn)向新一代DDR5和LPDDR5市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2026年起全面量產(chǎn)，其產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)約50%的增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)則會(huì)通過(guò)三期項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，力爭(zhēng)在2026年總產(chǎn)能達(dá)到全球市場(chǎng)份額的15%。

▲在2025年，DDR5內(nèi)存的速率來(lái)到DDR5 13530

因此，我們?nèi)詷?lè)觀地預(yù)測(cè)目前的內(nèi)存、SSD漲價(jià)不會(huì)一直持續(xù)下去。當(dāng)AI服務(wù)器、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)達(dá)到一定的飽和，再在各家上游芯片廠的擴(kuò)產(chǎn)助攻下，或許在2026年下半年我們就有望看到存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格的回落。當(dāng)然需要等待的時(shí)間仍不算短，對(duì)于有剛需的用戶而言還是該買就買，特別是從《微型計(jì)算機(jī)》評(píng)測(cè)的產(chǎn)品中挑選高質(zhì)價(jià)比的內(nèi)存、固態(tài)硬盤，就能讓自己的投資得到保障。

DDR5 13530+DDR5 10000

在2025年，內(nèi)存的極限速率再上一層樓。2025年11月25日，德國(guó)知名極限超頻專家sergmann親自操刀，成功將內(nèi)存頻率推升至DDR5 13530，創(chuàng)下全新速度巔峰。本次紀(jì)錄采用海盜船復(fù)仇者DDR5的單根24GB內(nèi)存，并搭配技嘉Z890 Aorus Tachyon Ice主板、英特爾酷睿Ultra 9 285K處理器，透過(guò)LN2液態(tài)氮極限散熱與精準(zhǔn)內(nèi)存參數(shù)調(diào)校，再度創(chuàng)造最新的內(nèi)存超頻世界紀(jì)錄，其在DDR5 13530下的延遲設(shè)置為68-127-127-127。

對(duì)于普通DIYer來(lái)說(shuō)，今年也是值得銘記的一年。借助主板內(nèi)存線路布線的優(yōu)化設(shè)計(jì)，使用SK海力士A-Die或M-Die顆粒的內(nèi)存有機(jī)會(huì)在今年的雙插槽主板上達(dá)成DDR5 10000的速率，且處理器、內(nèi)存都只需要使用普通的風(fēng)冷或被動(dòng)散熱。而且延遲、電壓也不需要設(shè)置得太高。在《微型計(jì)算機(jī)》的測(cè)試中，僅僅使用1.55V內(nèi)存電壓，千元出頭的華碩B850M AYW GAMING OC WIFI 7 W主板，在46-58-58-127的延遲設(shè)置下就達(dá)成了DDR5 10000。以上內(nèi)存速率的提升說(shuō)明內(nèi)存顆粒的品質(zhì)，與內(nèi)存相關(guān)的PCB布線、設(shè)計(jì)與抗干擾等技術(shù)在今年仍在不斷進(jìn)步，DDR5內(nèi)存的速率提升還沒(méi)有走到盡頭。

14950+8000

與內(nèi)存一樣，盡管2024年已經(jīng)有數(shù)款所謂“滿血版”PCIe 5.0 SSD發(fā)布，但今年上市的產(chǎn)品顯示PCIe 5.0固態(tài)硬盤的性能還能更上一層樓—其中最典型的代表就是閃迪WD_BLACK SN8100 NVMe SSD。這款固態(tài)硬盤采用內(nèi)置4顆ARM Cortex-R8架構(gòu)處理器核心的慧榮SM2508 PCIe 5.0主控芯片，并使用經(jīng)過(guò)閃迪調(diào)優(yōu)的固件。其閃存則搭配BiCS8 218層堆疊3D TLC閃存顆粒。該閃存使用了CBA晶圓鍵合（CMOS directly Bonded to Array）技術(shù)，走線變得更短，不僅大幅提高顆粒存儲(chǔ)密度，還提高了隨機(jī)性能，實(shí)現(xiàn)更高的I/O速度，BICS8 閃存的數(shù)據(jù)傳輸速率可到3.2Gb/s。

最終其在基準(zhǔn)測(cè)試中的順序讀取速度突破14950MB/s，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)為14957.35MB/s，相對(duì)2024年的“滿血版”PCIe 5.0 SSD又有小幅進(jìn)步，后者的順序讀取速度在14500MB/s左右。更重要的是，這款固態(tài)硬盤還有特別的游戲模式，可通過(guò)開啟該模式進(jìn)一步提升固態(tài)硬盤的隨機(jī)性能。在基于酷睿i9-14900K的英特爾平臺(tái)上，其PCMark 10完整系統(tǒng)盤測(cè)試、3DMark存儲(chǔ)測(cè)試得分均能突破8000分，而之前固態(tài)硬盤在以上兩項(xiàng)測(cè)試的得分均不超過(guò)7000分，這意味著PCIe 5.0固態(tài)硬盤的性能在2025年也達(dá)到了一個(gè)新的高度。

雷電5

2025年，外置存儲(chǔ)設(shè)備的性能同樣獲得飛躍般的提升，雷電5產(chǎn)品得到應(yīng)用。雷電5的核心在于雙向帶寬達(dá)80Gb/s（是雷電4的2倍），實(shí)現(xiàn)這一突破的關(guān)鍵在于PAM-3（脈沖幅度調(diào)制-3級(jí)）信號(hào)技術(shù)。與傳統(tǒng)二進(jìn)制信號(hào)（PAM-2）相比，PAM-3在每個(gè)時(shí)鐘周期可編碼更多數(shù)據(jù)，在相同物理鏈路（如1米無(wú)源銅纜）上實(shí)現(xiàn)速率大幅提升，同時(shí)兼容現(xiàn)有PCB和連接器設(shè)計(jì)，可大幅降低升級(jí)成本。

▲借助雷電5技術(shù)，2025年移動(dòng)固態(tài)硬盤的峰值傳輸速率突破6000MB/s。

存儲(chǔ)廠商也推出了相應(yīng)的雷電5移動(dòng)存儲(chǔ)固態(tài)硬盤，比如雷孜小金剛移動(dòng)固態(tài)Rugged SSD Pro5。根據(jù)《微型計(jì)算機(jī)》評(píng)測(cè)室實(shí)測(cè)，其CrystalDiskMark順序讀寫速度分別為6016.88MB/s、4427.49MB/s。它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)最大傳輸速度在3800MB/s左右的USB4移動(dòng)固態(tài)硬盤，最大傳輸速度在2100MB/s的USB 3.2 Gen 2×2移動(dòng)固態(tài)硬盤，標(biāo)志著移動(dòng)固態(tài)硬盤在2025年的性能表現(xiàn)達(dá)到PCIe 4.0 x4內(nèi)置固態(tài)硬盤的水準(zhǔn)，獲得了新的突破。

大容量化

在固態(tài)存儲(chǔ)因AI相關(guān)需求激增，價(jià)格劇烈波動(dòng)的2025年，機(jī)械硬盤領(lǐng)域走出了另一條更適合自己的發(fā)展軌跡。憑借其在海量冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的成本優(yōu)勢(shì)，機(jī)械硬盤悄然開啟了新一輪的“容量競(jìng)賽”。以希捷、西部數(shù)據(jù)為代表的廠商紛紛將研發(fā)重心轉(zhuǎn)向更高容量的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，單盤容量突破30TB的技術(shù)在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，使得每TB成本進(jìn)一步下探，成為數(shù)據(jù)中心、影視歸檔與備份領(lǐng)域的首選。

機(jī)械硬盤容量的快速增長(zhǎng)離不開新技術(shù)的突破與落地。2025年最引人矚目的亮點(diǎn)無(wú)疑是熱輔助磁記錄HAMR技術(shù)的規(guī)?；涞?。希捷基于魔彩盒（Mozaic）平臺(tái)推出的銀河Exos M系列，不僅實(shí)現(xiàn)30TB容量產(chǎn)品的批量出貨，更向核心客戶交付了36TB容量樣品，憑借10碟充氦封裝設(shè)計(jì)，將單碟容量提升至3TB+的行業(yè)新高。據(jù)希捷透露的信息，其已在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下成功演示了單盤片容量超過(guò)6TB的技術(shù)，這意味著60TB硬盤也已經(jīng)在路上了，預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年內(nèi)面世。這項(xiàng)研發(fā)歷時(shí)二十余年的技術(shù)，通過(guò)激光瞬時(shí)加熱磁盤介質(zhì)實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。

▲隨著HAMR、ePMR及UltraSMR等技術(shù)的相繼成熟與商用，機(jī)械硬盤的單碟存儲(chǔ)密度得到了顯著提高，實(shí)現(xiàn)單盤容量的持續(xù)突破。

西部數(shù)據(jù)在2025年推出了多款高容量硬盤，覆蓋了從NAS到數(shù)據(jù)中心的全場(chǎng)景需求。其中最重磅的產(chǎn)品是Ultrastar DC HC690，這款32TB的企業(yè)級(jí)硬盤是全球首款采用11碟設(shè)計(jì)的商用機(jī)械硬盤。它采用SMR技術(shù)，專為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、AI和云服務(wù)場(chǎng)景打造，能有效解決“在有限空間內(nèi)裝下更多數(shù)據(jù)”。而Ultrastar DC HC590則以26TB容量、CMR技術(shù)面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用，提供更穩(wěn)定的讀寫性能。在技術(shù)上，西部數(shù)據(jù)將能量輔助垂直磁記錄ePMR技術(shù)與超密度磁記錄UltraSMR技術(shù)結(jié)合，使HC690在32TB的容量下仍能保持不錯(cuò)的性能，成功改善了傳統(tǒng)SMR硬盤為人詬病的寫入性能問(wèn)題。

場(chǎng)景化需求

機(jī)械硬盤持續(xù)向大容量方向突破的背后，是消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)被固態(tài)硬盤持續(xù)擠壓，機(jī)械硬盤廠商將重心轉(zhuǎn)向“高價(jià)值”場(chǎng)景的結(jié)果。企業(yè)級(jí)市場(chǎng)成為絕對(duì)主力，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練存儲(chǔ)和冷數(shù)據(jù)歸檔三大需求驅(qū)動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)。隨著AI大模型訓(xùn)練規(guī)模的擴(kuò)大，企業(yè)需長(zhǎng)期保存數(shù)百TB乃至PB級(jí)的原始數(shù)據(jù)、訓(xùn)練中間結(jié)果及模型版本，這類“冷數(shù)據(jù)”對(duì)讀寫性能要求低，但極度依賴存儲(chǔ)的經(jīng)濟(jì)性與可靠性。2025年，機(jī)械硬盤企業(yè)級(jí)產(chǎn)品線均強(qiáng)化了抗振動(dòng)、多盤位并發(fā)訪問(wèn)優(yōu)化等功能，以滿足這些需要。

▲超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練存儲(chǔ)和冷數(shù)據(jù)歸檔三大需求驅(qū)動(dòng)機(jī)械硬盤市場(chǎng)增長(zhǎng)。

當(dāng)然，個(gè)人用戶對(duì)機(jī)械硬盤的依賴也未消失，而是轉(zhuǎn)向NAS與家庭媒體中心。2025年，搭配RAID功能的4盤位NAS普及至千元價(jià)位，推動(dòng)了大容量HDD在家庭端的銷售。西部數(shù)據(jù)紅盤Pro 22TB、希捷酷狼Pro 24TB等產(chǎn)品均針對(duì)7×24小時(shí)運(yùn)行環(huán)境優(yōu)化，支持振動(dòng)補(bǔ)償與AI工作負(fù)載分析，成為家庭影音庫(kù)與私有云備份的“數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)”。這種從應(yīng)用場(chǎng)景需求出發(fā)的優(yōu)化，使得機(jī)械硬盤在與固態(tài)硬盤的競(jìng)爭(zhēng)中，憑借大容量、低成本的核心優(yōu)勢(shì)站穩(wěn)腳跟。

行業(yè)預(yù)計(jì)，2026年機(jī)械硬盤的容量競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步白熱化。希捷已預(yù)告將于2026年底試產(chǎn)40TB方案，西部數(shù)據(jù)則計(jì)劃通過(guò)OptiNAND技術(shù)（閃存增強(qiáng)型磁記錄）提升集成度。盡管固態(tài)存儲(chǔ)仍是性能市場(chǎng)的絕對(duì)主力，但機(jī)械硬盤憑借其不可替代的成本與壽命優(yōu)勢(shì)，在數(shù)據(jù)爆炸的AI時(shí)代找到了“老樹新枝”的生存邏輯——或許慢一些，但足夠穩(wěn)、足夠大。

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