據(jù)坊間最新可靠消息來源爆料，AMD即將推出的Zen 6 CPU架構(gòu)，將針對性提升L3緩存容量，以適配其核心復(fù)合體（CCD）核心數(shù)量的增加。

具體而言，Zen 6處理器的標(biāo)準(zhǔn)CCD將采用12核設(shè)計(jì)，同時(shí)配備高達(dá)48MB的L3級緩存，從而保持與前代相同的每核心L3緩存比例（4MB/核心）。

Zen 6 CCD的裸片面積約為76平方毫米，相較Zen 5的約71平方毫米增加了7%左右。盡管核心數(shù)與L3緩存容量均提升50%，但得益于臺積電N2（2nm級）工藝的更高晶體管密度，裸片尺寸的增幅得到了有效控制。

這也讓Zen 6成為自Zen 3以來，首個裸片面積超過前代架構(gòu)的Zen系列處理器。作為參考對比，Zen 3系列處理器的CCD約為83平方毫米，而Zen 4、Zen 5系列處理器的CCD面積則分別縮小至約73平方毫米、71平方毫米。

以下為各代Zen CCD主要規(guī)格對比：

1. Zen 2 CCD：8核（2×4核CCX），32MB L3（2×16MB），臺積電N7工藝，約77mm2

2. Zen 3 CCD：8核，32MB統(tǒng)一L3，臺積電N7工藝，約83mm2

3. Zen 4 CCD：8核，32MB統(tǒng)一L3，臺積電N5工藝，約72mm2

4. Zen 5 CCD：8核，32MB統(tǒng)一L3，臺積電N4工藝，約71mm2

5. Zen 6 CCD：12核，48MB統(tǒng)一L3，臺積電N2工藝，約76mm2

總體而言，Zen 6引入12核CCD設(shè)計(jì)，是一次重大的結(jié)構(gòu)性變革。此前自Zen 3開始，AMD便實(shí)現(xiàn)了8核統(tǒng)一L3共享設(shè)計(jì)，徹底消除了Zen 2及更早世代中，跨CCX訪問需經(jīng)過Infinity Fabric的延遲瓶頸。

Zen 6則首次在標(biāo)準(zhǔn)消費(fèi)級核心上，實(shí)現(xiàn)了每CCD核心數(shù)量的實(shí)質(zhì)性提升，讓12個核心可完全共享同一塊48MB L3緩存，有望大幅提升多線程數(shù)據(jù)局部性與整體運(yùn)行效率。

AMD已確認(rèn)，Zen 6是一款全新從頭設(shè)計(jì)的架構(gòu)，重點(diǎn)強(qiáng)化多線程性能，同時(shí)采用臺積電N2工藝節(jié)點(diǎn)（刪除多余空格）。該節(jié)點(diǎn)相較前代可帶來15%左右的晶體管密度提升，以及相同功耗下最高15%左右的性能增益。這些工藝優(yōu)勢，正是Zen 6能實(shí)現(xiàn)更高核心密度、同時(shí)控制裸片面積微增的關(guān)鍵。

目前，尚無Zen 6 X3D變體的具體規(guī)格細(xì)節(jié)披露，但鑒于3D V-Cache技術(shù)在游戲及特定專業(yè)工作負(fù)載中的巨大成功，AMD大概率會推出配備額外堆疊緩存的Zen 6 X3D型號。更高的基礎(chǔ)L3緩存容量（48MB vs Zen 5的32MB），將為未來的X3D版本提供更大的緩存擴(kuò)展空間，有望進(jìn)一步強(qiáng)化游戲性能和專業(yè)應(yīng)用表現(xiàn)。

需要強(qiáng)調(diào)的是，以上信息均來自泄露渠道（以HXL為代表），截至2026年1月尚未獲得AMD官方證實(shí)，準(zhǔn)確性仍有待后續(xù)驗(yàn)證。小編將在第一時(shí)間分享更多相關(guān)最新動態(tài)和爆料，敬請關(guān)注。